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SiC MOSFET驅(qū)動電壓測試結(jié)果離譜的六大原因

  • _____開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一，由器件在開關過程中的驅(qū)動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結(jié)論，獲得精準的開關過程波形至關重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著提高變換器的效率和功率密度，同時還能夠降低系統(tǒng)成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開關器件的一個重要區(qū)別是它
  • 關鍵字： Tektronix  SiC  MOSFET  

學貫中西(7):介紹生成對抗網(wǎng)路(GAN)

  • 1? ?GAN與NFT的結(jié)合在上一期里，我們說明了天字第一號模型：分類器。接著本期就來看看它的一項有趣應用：GAN(generative adversarial networks，生成對抗網(wǎng)絡)。自從2014 年問世以來，GAN 在電腦生成藝術(shù)(generative art) 領域，就開始涌現(xiàn)了許多極具吸引力的創(chuàng)作和貢獻。GAN 如同生成藝術(shù)的科技畫筆，使用GAN 進行創(chuàng)作特別令人振奮，常常創(chuàng)作出很特別的效果，給人們許多驚喜的感覺，例如圖1。?圖1近年來，非同質(zhì)化代幣NFT(
  • 關鍵字： 202205  生成對抗網(wǎng)路  GAN  

UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進的高性能1200V第四代SiC FET

  • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過
  • 關鍵字： Mentor P  Qorvo  SiC FET  

UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進的高性能 1200 V第四代SiC FET

  • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機、不間斷電源和感應加熱等應用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示：“我們通過
  • 關鍵字： SiC  FET  

瑞能半導體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實現(xiàn)最佳效率

  • 2022年5月10日-12日，一年一度的PCIM Europe盛大開幕，作為全球領先的功率半導體供應商，瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs，第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產(chǎn)品重磅回歸PCIM Europe展會，全方位展示行業(yè)領先的技術(shù)、產(chǎn)品應用和解決方案，和諸多業(yè)內(nèi)伙伴共話智能制造行業(yè)在全球范圍內(nèi)的可持續(xù)發(fā)展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展，是電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理領域最具影響力的博
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  瑞能半導體  PCIM Europe  

UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數(shù)的1200V第四代SiC FET

  • 2022年5月11日移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）系列。
  • 關鍵字： UnitedSiC  Qorvo  SiC  碳化硅  場效應管  

Power Integrations推出汽車級IGBT/SiC模塊驅(qū)動器產(chǎn)品系列SCALE EV，為巴士、卡車以及建筑和農(nóng)用電動汽車提供強大動力

  • 深耕于中高壓逆變器應用門極驅(qū)動器技術(shù)領域的知名公司Power Integrations近日宣布推出適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列門極驅(qū)動板。新款驅(qū)動器同樣適用于原裝、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模塊，其應用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車（包括巴士和卡車）以及建筑、采礦和農(nóng)用設備的大功率汽車和牽引逆變器。SCALE EV板級門極驅(qū)動器內(nèi)部集成了兩個增強型門極驅(qū)動通道、相關供電電源和監(jiān)控遙測電路。新驅(qū)動板已通過汽車級認證和ASIL B認證，可實現(xiàn)AS
  • 關鍵字： Power Integrations  IGBT  SiC  模塊驅(qū)動器  SCALE EV  PI  

英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強特性進一步提高系統(tǒng)能效

  • 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝，具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿足峰值電力需求的太陽能系統(tǒng)，如光伏逆變器。同時，這款芯片也是電動汽車快充、儲能系統(tǒng)和其他工業(yè)應用的理想選擇。CoolSiC技術(shù)取得的最新進展使得柵極驅(qū)動電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時，隨著柵極運行
  • 關鍵字： SiC  太陽能  MOSFET  

克服疫情，大灣區(qū)首臺全自動化SiC動態(tài)測試系統(tǒng)在北理汽車研究院交付

  • _____日前，泰克攜手方案合作伙伴忱芯科技向北京理工大學深圳汽車研究院交付了一臺全自動化SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)，此為今年度向客戶交付的第五臺SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)，亦是大灣區(qū)的首臺全自動化SiC功率模塊動態(tài)測試系統(tǒng)。此系統(tǒng)集成了來自泰克的專門針對第三代半導體測試的硬件設備，從而解決了“測不準”、“測不全”、“不可靠”這三個難題的挑戰(zhàn)。忱芯作為泰克科技的解決方案合作伙伴，在去年“碳化硅功率半導體及應用研討會”上結(jié)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，進行深度整合資源，圍繞寬禁帶功率半導體測試領域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的
  • 關鍵字： Tektroni  SiC  動態(tài)測試系統(tǒng)  

射頻硅基氮化鎵：兩個世界的最佳選擇

  • 　　當世界繼續(xù)努力追求更高速的連接，并要求低延遲和高可靠性時，信息通信技術(shù)的能耗繼續(xù)飆升。這些市場需求不僅將5G帶到許多關鍵應用上，還對能源效率和性能提出了限制。5G網(wǎng)絡性能目標對基礎半導體器件提出了一系列新的要求，增加了對高度可靠的射頻前端解決方案的需求，提高了能源效率、更大的帶寬、更高的工作頻率和更小的占地面積。在大規(guī)模MIMO（mMIMO）系統(tǒng)的推動下，基站無線電中的半導體器件數(shù)量急劇增加，移動網(wǎng)絡運營商在降低資本支出和運營支出方面面臨的壓力更加嚴峻。因此，限制設備成本和功耗對于高效5G網(wǎng)絡的安裝和
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  

從手機快充到電動汽車，氮化鎵功率半導體潛力無限

  • 　　近期，蘋果“爆料大神”郭明錤透露，蘋果可能年某個時候推出下一款氮化鎵充電器，最高支持30W快充，同時采用新的外觀設計?！　∨c三星、小米、OPPO等廠商積極發(fā)力氮化鎵快充產(chǎn)品相比，蘋果在充電功率方面一直較為“保守”。去年10月，伴隨新款MacBook Pro的發(fā)布，蘋果推出了140W USB-C電源適配器（下圖），這是蘋果首款采用氮化鎵材料的充電器，售價729元。圖片來源：蘋果　　如今，蘋果有望持續(xù)加碼氮化鎵充電器，氮化鎵功率半導體市場有望迎來高歌猛進式發(fā)展。手機等快充需求上升，氮化鎵功率市場規(guī)模將達1
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  

氮化鎵 (GaN) 封裝的諸多挑戰(zhàn)

  • EETOP編譯整理自techinsights　　在處理氮化鎵（GaN）時，與硅(Si)相比，還有兩個額外的考慮因素可以優(yōu)化器件性能?！　∮捎贕aN/AlGaN異質(zhì)結(jié)界面上的二維電子氣體(2DEG)通道，GaN具有快速開關的潛力?！　〉壍膶嵝韵鄬^差。(在300K時約1.3W/cm.K，而硅(Si)為1.49W/cm.K和碳化硅（SiC）為3.7W/cm.K)　　雖然體積熱導率并不明顯低于硅，但請記住更高的電流密度-它被限制在異質(zhì)結(jié)周圍的一個小區(qū)域。漸進式的改進　　雖然不理想，但傳統(tǒng)的硅封裝可以而且已
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  

氮化鎵集成方案如何提高功率密度

  • 　　氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車(EV)車載充電器和電動汽車(EV)充電站等設計得以實施。在許多具體應用中，由于GaN能夠驅(qū)動更高的功率密度和具有更高的效率，因此它取代了傳統(tǒng)的MOSFET晶體管。但由于GaN的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使得使用GaN元件進行設計時，要面臨與硅元件截然不同的一系列挑戰(zhàn)?！　aN場效應晶體管包括耗盡型（d-mode）、增強型（e-mode）、共源共柵型(cascode）等三種類型，并且每種都具有各自的
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  

意法半導體發(fā)布50W GaN功率變換器，面向高能效消費及工業(yè)級電源設計

  • 意法半導體 VIPerGaN50能夠簡化最高50 W的單開關反激式功率變換器設計，并集成一個 650V 氮化鎵 (GaN) 功率晶體管，使電源的能效和小型化達到更高水平。VIPerGaN50 采用單開關拓撲，集成很多功能，包括內(nèi)置電流采樣和保護電路，采用低成本的 5mm x 6mm 緊湊封裝。芯片內(nèi)部集成的GaN 晶體管可應用于高開關頻率，從而減小反激變換器的體積和重量。使用這款產(chǎn)品設計先進的高能效開關電源 (SMPS)，可顯著減少外圍元器件的數(shù)量。VIPerGaN50 可幫助設計人員利用 GaN 寬禁帶
  • 關鍵字： 意法半導體  GaN  功率變換器  

不只是充電器！99％的人不知道的事實：氮化鎵技術(shù)竟與5G 相關

  • 　　過去的2020年是5G手機大爆發(fā)的一年。5G手機無疑為大家?guī)砹烁斓纳暇W(wǎng)體驗，更快的下載速度、低延時，高達10Gps/s的理論峰值速率，比4G手機數(shù)據(jù)傳輸提升10倍以上，延時更是低至1ms，比4G手機縮短10倍?！　‘斎?，5G對數(shù)據(jù)傳輸速度提升，更強的CPU處理性能也對手機的續(xù)航能力提出了更高要求。為此，不少手機廠商為5G手機配備更大容量的電池，采用更高的充電功率，并在充電器上引進最新的氮化鎵技術(shù)，實現(xiàn)在提高充電器功率的同時，將體積控制得更小巧?！　《@里其實有一個有趣的事實：　　這項為5G手機帶來
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  
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