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淺析:視頻監(jiān)控相關(guān)技術(shù)發(fā)展與市場動向
- 最早的視頻監(jiān)控系統(tǒng)是全模擬的視頻監(jiān)控系統(tǒng),也稱閉路電視監(jiān)控系統(tǒng)(CCTV)。圖像信息采用視頻電纜,以模擬方式傳...
- 關(guān)鍵字: 數(shù)字 網(wǎng)絡(luò) 視頻監(jiān)控 CMOS 圖像 傳感器 智能 芯片
DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)
- DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì),本文設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于DSP內(nèi)嵌鎖相環(huán)的低功耗、高線性CM0S壓控環(huán)形振蕩器。電路采用四級延遲單元能方便的獲得正交輸出時(shí)鐘,每級采用RS觸發(fā)結(jié)構(gòu)來產(chǎn)生差分輸出信號,在有效降低靜態(tài)功耗的同時(shí).具有較好的抗噪聲能力。在延遲單元的設(shè)計(jì)時(shí)。綜合考慮了電壓控制的頻率范圍以及調(diào)節(jié)線性度,選擇了合適的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)。 仿真結(jié)果表明.電路叮實(shí)現(xiàn)2MHz至90MHz的頻率調(diào)節(jié)范圍,在中心頻率附近具有很高的調(diào)節(jié)線性度,可完全滿足DSP芯片時(shí)鐘系統(tǒng)的要求。
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Altera和Apical交付首個(gè)HD WDR FPGA監(jiān)控應(yīng)用解決方案
- Altera公司和Apical有限公司今天宣布,為視頻監(jiān)控?cái)z像機(jī)提供世界上第一個(gè)高清晰寬動態(tài)范圍(WDR) CMOS圖像傳感器處理解決方案。在內(nèi)華達(dá)洲拉斯維加斯3月24號到26號舉行的國際安防大會(ISC)西部博覽會上,Altera展示了這一解決方案。Altera和Apical全面的解決方案保證了各種照明條件下優(yōu)異的視頻圖像質(zhì)量,而這是前幾代監(jiān)控?cái)z像機(jī)面臨的主要瓶頸問題。結(jié)合Altera的 Cyclone® III和Cyclone IV FPGA以及Apical的知識產(chǎn)權(quán)(IP),這一解決方案
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安森美推出5款互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體線性穩(wěn)壓器系列
- 應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充產(chǎn)品陣容,推出5款新的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)線性穩(wěn)壓器系列。優(yōu)化的NCP69x系列用于低功耗的便攜電池供電及“持續(xù)開機(jī)”(always-on)應(yīng)用,如線纜調(diào)制解調(diào)器、衛(wèi)星接收機(jī)、數(shù)字機(jī)頂盒及電表。 NCP690、NCP691和NCP692是極低壓降(VLDO) 1 A穩(wěn)壓器件,提供5.0 V到低至1.25 V的可調(diào)節(jié)輸出電壓,或固定輸出電壓版本。這些器件提供62 dB的電源抑制比(PSSR)、典型
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2009-2010年全球CMOS相機(jī)模組行業(yè)研究報(bào)告
- 日前,水清木華發(fā)布了2009-2010年全球CMOS相機(jī)模組行業(yè)研究報(bào)告。從報(bào)告中我們不難看出,CMOS相機(jī)模組行業(yè)仍是日本企業(yè)的天下。排名第一的FUJINON是富士膠卷旗下一員,在300萬像素以上手機(jī)鏡頭領(lǐng)域市場占有率超過50%。 手機(jī)相機(jī)模組的產(chǎn)業(yè)鏈異常復(fù)雜。手機(jī)相機(jī)模組產(chǎn)業(yè)鏈上三個(gè)核心點(diǎn),一是CMOS圖像傳感器,二是光學(xué)鏡頭,三是模組組裝廠家。隨著手機(jī)相機(jī)像素的上升,封裝廠家也顯得日益重要,而模組組裝廠家日益落寞。CMOS圖像傳感器廠家可以結(jié)合光學(xué)元件,并經(jīng)過特殊封裝后直接出貨給手機(jī)制造廠
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GlobalFoundries德國Dresden工廠將投產(chǎn)22nm CMOS制程
- GlobalFoundries位于德國Dresden的Fab 1正在啟動22nm CMOS工藝的開發(fā),并計(jì)劃將該工藝投入量產(chǎn)。目前還不知道該工藝和32nm及28nm工藝所采用的gate-first高k金屬柵CMOS工藝有何差別。 此前,F(xiàn)ab 1被認(rèn)為將作為45/40nm和32/28nm的主要生產(chǎn)工廠,而正在美國紐約州興建的Fab 8才作為22nm及以下工藝的生產(chǎn)地。 “22nm制程已在Fab 1開動,F(xiàn)ab 1將試產(chǎn)22nm,并投入部分量產(chǎn)?!盕ab 1總經(jīng)理Ud
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一種高性能CMOS電荷泵的設(shè)計(jì)
- 摘要: 設(shè)計(jì)了一種用于電荷泵鎖相環(huán)的CMOS電荷泵電路。電路中采用3對自偏置高擺幅共源共柵電流鏡進(jìn)行泵電流鏡像,增大了低電壓下電荷泵的輸出電阻,實(shí)現(xiàn)了上下兩個(gè)電荷泵的匹配。為消除單端電荷泵存在的電荷共享問題
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OmniVision推出圖像傳感器OV9715 CMOS
- 高端數(shù)字成像解決方案的領(lǐng)先開發(fā)商 OmniVision Technologies, Inc.(納斯達(dá)克代碼: OVTI),今日宣布其 OV9715 CMOS 圖像傳感器即將上市。該傳感器可用于 360 度視圖以及其他獨(dú)立攝像頭或多攝像頭汽車視覺系統(tǒng)中。 這款 100 萬像素的 OV9715 是一款完全達(dá)到 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的 CMOS 圖像傳感器,專為高級駕駛輔助系統(tǒng)而優(yōu)化, 現(xiàn)已向多家頂級汽車供應(yīng)商供貨。 “OV9715 是引導(dǎo)領(lǐng)先功能的先鋒,它實(shí)現(xiàn)了最高端的多攝像頭汽車應(yīng)用
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任重而道遠(yuǎn):中芯國際將力爭在今年實(shí)現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn)
- 據(jù)中芯國際集成電路制造有限公司資深研發(fā)副總季明華撰文披露,2010年,中芯國際將加強(qiáng)65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā);同時(shí)力爭實(shí) 現(xiàn)45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)。 在第四屆(2009年度)中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評選中,中芯國際有兩項(xiàng)技術(shù)獲獎,其一是 “65納米邏輯集成電路制造工藝技術(shù)”,其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術(shù)”。 據(jù)介紹,目前,中芯國際已經(jīng)完成了65納米CMOS技術(shù)的認(rèn)證,并于2009年第三季度
- 關(guān)鍵字: 嵌入式 65納米 40納米 CMOS
ADI推出高性能、低成本的 CMOS 運(yùn)算放大器
- Analog Devices, Inc.(http://www.analog.com/zh ),全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商,今天宣布針對中國市場發(fā)布全新的低成本、高速 CMOS 運(yùn)算放大器 ADA489系列。與其它供應(yīng)商提供的產(chǎn)品相比,ADA4891系列能夠幫助設(shè)計(jì)師以更低的成本和更低的功耗實(shí)現(xiàn)同樣的高速性能。與此同時(shí),ADI 在高速運(yùn)算放大器產(chǎn)品領(lǐng)域的行業(yè)絕對領(lǐng)導(dǎo)地位以及對于中國市場的長期承諾和投入,也確保了中國客戶能夠得到業(yè)界最好的質(zhì)量保證和技術(shù)支持。針對中國市場的需求,ADI 還將彌
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IMEC、瑞薩、M4S聯(lián)手推出單芯片無線收發(fā)器
- 在2010年2月10日召開的國際固態(tài)電子電路大會上,IMEC、株式會社瑞薩科技(以下簡稱瑞薩)、M4S聯(lián)手推出了利用40nm低功耗CMOS工藝制造而成、帶有RF、基帶和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路的完整收發(fā)器。這款完全可重配置的收發(fā)器符合各種無線標(biāo)準(zhǔn)和應(yīng)用要求,并且符合即將推出的移動寬帶3GPP-LTE標(biāo)準(zhǔn)。 可隨時(shí)隨地為用戶提供大量服務(wù)的無線通信終端發(fā)展趨勢,推動了利用深亞微米CMOS工藝制造而成的可重配置無線電的發(fā)展。就3GPP-LTE標(biāo)準(zhǔn)自身非常靈活的特性而言,可重配置無線電就成為其最經(jīng)濟(jì)的實(shí)現(xiàn)方式。并
- 關(guān)鍵字: 瑞薩 40nm CMOS 無線收發(fā)器
愛爾蘭科學(xué)家開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管
- 愛爾蘭丁鐸爾國家研究院的科學(xué)家最近宣稱他們成功制出了業(yè)內(nèi)首款非節(jié)型晶體管,并稱此項(xiàng)發(fā)明對10nm級別制程意義重大,可大大簡化晶體管的制造工藝復(fù)雜 程度。這種晶體管采用類似Finfet的結(jié)構(gòu),將晶體管的柵極制成婚戒型的結(jié)構(gòu),并在柵極中心制出硅質(zhì)溝道,溝道的尺寸僅有數(shù)十個(gè)原子的直徑加起來那么大。 該研發(fā)團(tuán)隊(duì)是由Jean-Pierre Colinge教授領(lǐng)導(dǎo)的,這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態(tài),而且還具備漏電電流小,門限電壓低以及耐溫性好的優(yōu)點(diǎn),而且還可以兼容于CMOS工藝。 硅溝道中的電
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