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耶魯大學(xué)與SRC公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代內(nèi)存芯片技術(shù)FeDRAM

　　SRC公司與耶魯大學(xué)的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著提高內(nèi)存芯片性能的新技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)使用鐵電體層來(lái)替換傳統(tǒng)內(nèi)存芯片中的電容結(jié)構(gòu)作為基本的存儲(chǔ) 單元，科學(xué)家們將這種內(nèi)存稱(chēng)為鐵電體內(nèi)存(FeDRAM),這種內(nèi)存芯片的存儲(chǔ)單元將采用與CMOS微晶體管類(lèi)似的結(jié)構(gòu)，不過(guò)其門(mén)極采用鐵電體材料而不是傳統(tǒng)的電介質(zhì)材料制作。　　這種技術(shù)能使存儲(chǔ)單元的體積更小，信息的保存時(shí)間比傳統(tǒng)方式多1000倍左右，刷新的時(shí)間間隔可以更大，因此耗電量也更小，還可以像閃存芯片中那樣在一個(gè)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)多位數(shù)據(jù)。此外，有關(guān)的制
關(guān)鍵字：內(nèi)存芯片 CMOS FeDRAM

CMOS圖像傳感器集成A/D轉(zhuǎn)換器技術(shù)的研究

片上集成A/D轉(zhuǎn)換器是CMOS圖像傳感器的關(guān)鍵部件，文章分析和比較了三類(lèi)不同集成方式：芯片級(jí)，列級(jí)和象素級(jí)的原理，性能和特點(diǎn)。最后，展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉(zhuǎn)換器的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器集成轉(zhuǎn)換器

國(guó)產(chǎn)芯片已達(dá)國(guó)際主流芯片品質(zhì)

　　今年國(guó)內(nèi)拉動(dòng)內(nèi)需，特別是3G的啟動(dòng)建設(shè)和FTTH進(jìn)入實(shí)質(zhì)性的發(fā)展階段，使光模塊市場(chǎng)一片紅火，預(yù)計(jì)今年我們可實(shí)現(xiàn)60%的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)。　　由于對(duì)IC行業(yè)來(lái)說(shuō)光通信市場(chǎng)不大，所以光收發(fā)IC芯片的供應(yīng)商并不是很多，在國(guó)內(nèi)我們是第一家量產(chǎn)高速收發(fā)芯片的IC公司。　　國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)的優(yōu)勢(shì)主要是在成本上，研發(fā)成本、管理成本、銷(xiāo)售成本都比國(guó)外企業(yè)要低。對(duì)IC來(lái)說(shuō)，基于同樣的工藝，制造成本幾乎是一樣的。要取得制造成本的優(yōu)勢(shì)必須發(fā)揮技術(shù)優(yōu)勢(shì)，采用相對(duì)低成本的工藝，做出同樣的產(chǎn)品性能。我們采用CMOS工藝的收發(fā)IC芯片
關(guān)鍵字： 3G CMOS IC設(shè)計(jì) FTTH

ST慶祝Nano2012框架協(xié)議正式啟動(dòng)

　　意法半導(dǎo)體和法國(guó)電子信息技術(shù)實(shí)驗(yàn)室CEA-LETI宣布，法國(guó)經(jīng)濟(jì)、工業(yè)和就業(yè)部長(zhǎng)，以及國(guó)家和地區(qū)政府的代表、CEA-LETI和意法半導(dǎo)體的管理層，齊聚法國(guó)格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司，共同慶祝Nano2012研發(fā)項(xiàng)目正式啟動(dòng)。IBM的代表也參加了啟動(dòng)儀式。IBM公司是意法半導(dǎo)體和CEA-LETI的重要合作伙伴，與雙方簽署了重要的技術(shù)開(kāi)發(fā)協(xié)議。　　Nano2012是由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的國(guó)家/私營(yíng)戰(zhàn)略研發(fā)項(xiàng)目，聚集研究院和工業(yè)合作伙伴，得到法國(guó)國(guó)家、地區(qū)和本地政府的財(cái)政支持，旨
關(guān)鍵字： ST CMOS 32nm 22nm Nano2012

豪威CMOS傳感器量產(chǎn) 擴(kuò)大對(duì)臺(tái)積電訂單

　　CMOS影像傳感器(CMOS Image Sensor)大廠(chǎng)豪威科技(OmniVision)與臺(tái)積電合作，采用最新背面照度(Backside Illumination，BSI)制程的傳感器新產(chǎn)品，陸續(xù)獲得一線(xiàn)智能型手機(jī)OEM廠(chǎng)設(shè)計(jì)案(design win)，預(yù)計(jì)本季度開(kāi)始大量出貨。　　豪威已開(kāi)始擴(kuò)大對(duì)臺(tái)積電下單，臺(tái)積電(2330)也已完成1.1微米間距BSI制程傳感器的功能測(cè)試，并計(jì)畫(huà)在12寸廠(chǎng)以65納米投片。
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 CMOS 傳感器 65納米

從快生活到優(yōu)生活“新摩爾定律”主導(dǎo)半導(dǎo)體業(yè)創(chuàng)新

　　幾十年來(lái)，摩爾定律所闡述的生產(chǎn)力效益定律一直是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。它催生了數(shù)字處理器、寬帶和大容量存儲(chǔ)器。這些技術(shù)大幅提升了PC、手機(jī)等產(chǎn)品的生產(chǎn)力。然而，經(jīng)濟(jì)學(xué)正給半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)革命性轉(zhuǎn)變。未來(lái)，“新摩爾定律”將發(fā)揮重要作用。　　產(chǎn)品研發(fā)從性能驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)為經(jīng)濟(jì)學(xué)驅(qū)動(dòng) 　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是個(gè)相對(duì)年輕的產(chǎn)業(yè)。自摩爾定律預(yù)測(cè)芯片上晶體管的數(shù)量每18個(gè)月翻一番以來(lái)，半導(dǎo)體器件制造商一直追求生產(chǎn)力的提升。這一定律確實(shí)沒(méi)錯(cuò)。如今消費(fèi)應(yīng)用的SoC可能集成了幾億個(gè)晶體管。然而，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正
關(guān)鍵字： NXP 摩爾定律 CMOS 晶體管

MEMS代工產(chǎn)業(yè)呈高度分散與高競(jìng)爭(zhēng)性

　　法國(guó)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Development針對(duì)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)發(fā)表最新報(bào)告指出，目前全球至少50家公司正在提供MEMS代工服務(wù)，使得該領(lǐng)域變得高度分散與高競(jìng)爭(zhēng)性，但又是整體MEMS產(chǎn)業(yè)不可缺少的一塊。　　Yole表示，大型的開(kāi)放MEMS代工廠(chǎng)現(xiàn)在都很賺錢(qián)，并開(kāi)始升級(jí)到8吋晶圓制程;不過(guò)由于MEMS在消費(fèi)性應(yīng)用領(lǐng)域的高成長(zhǎng)性，以及來(lái)自其它高潛力應(yīng)用市場(chǎng)的商機(jī)，也吸引了許多來(lái)自主流半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新進(jìn)者投入競(jìng)爭(zhēng)。　　Yole并指出，由于這些來(lái)自半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新進(jìn)者，具備能結(jié)合CMOS技術(shù)
關(guān)鍵字： MEMS 晶圓 CMOS

高清視頻CMOS電流舵數(shù)/模轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字：數(shù)／模轉(zhuǎn)換器電流舵型DAC CMOS

韓國(guó)三星發(fā)布采用45nm工藝技術(shù)的應(yīng)用處理器

　　韓國(guó)三星電子發(fā)布了采用45nm低功耗CMOS工藝技術(shù)的應(yīng)用處理器“S5P6440”。其特點(diǎn)是圖形性能高、功耗及成本低等。適用于PND等家電產(chǎn)品。　　該處理器配備有英國(guó)ARM工作頻率533MHz或667MHz的CPU內(nèi)核“ARM1176”。CPU內(nèi)核、芯片上的所有硬件加速器及周邊部件接口均由工作頻率166MHz、64bit總線(xiàn)“AXI”連接。　　還配備有支持現(xiàn)行及新一代多值NAND閃存的錯(cuò)誤訂正用硬件，以及支持移動(dòng)DDR或D
關(guān)鍵字：三星 45納米 CMOS S5P6440

集成電路發(fā)展哲理

　　半導(dǎo)體技術(shù)極其豐富多彩，身陷其景，會(huì)有“不識(shí)廬山真面目，只緣身在此山中”的感觸。為此，既要“近賞細(xì)微”，又要“臨空瀏覽”，以期從中領(lǐng)悟到一些哲理。　　本演講根據(jù)半導(dǎo)體技術(shù)“由簡(jiǎn)入繁”、又“化繁為簡(jiǎn)”的螺旋式發(fā)展史事，探討主流半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展哲理，供大家參考討論。　　發(fā)展歷程　　根據(jù)IC Knowledge 的歸納[1]，可以把集成電路(IC)的發(fā)展歷程劃分為四個(gè)階段：
關(guān)鍵字：集成電路 CMOS EPROM DSP DRAM MPU 200907

在危機(jī)中尋找突破點(diǎn)

　　在金融海嘯中，博通(Broadcom)公司2008年增長(zhǎng)了25%，成了半導(dǎo)體行業(yè)的明星企業(yè)。不過(guò)該公司在2009年一季度營(yíng)收有所下降，博通的解釋是增長(zhǎng)率會(huì)根據(jù)產(chǎn)品或者最終市場(chǎng)和季節(jié)性有所差別，并且很大程度上受到了金融危機(jī)的影響。不過(guò)，博通尤其是WLAN部門(mén)的發(fā)展經(jīng)驗(yàn)可圈可點(diǎn)。　　Michael Hurlston Broadcom公司副總裁　　兼無(wú)線(xiàn)連接集團(tuán)WLAN事業(yè)部總經(jīng)理　　運(yùn)營(yíng)成本控制　　博通擅長(zhǎng)運(yùn)營(yíng)成本控制，不同的事業(yè)部有不同的特點(diǎn)：一些
關(guān)鍵字： Broadcom WLAN 65納米 CMOS PA Wi-Fi 200907

基于CMOS閾值電壓的基準(zhǔn)電路設(shè)計(jì)

摘要：在數(shù)／?；旌霞呻娐吩O(shè)計(jì)中電壓基準(zhǔn)是重要的模塊之一。針對(duì)傳統(tǒng)電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點(diǎn)，提出一種新的設(shè)計(jì)方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和NMOS的閾值電壓產(chǎn)生兩個(gè)獨(dú)立于電
關(guān)鍵字： CMOS 閾值電壓基準(zhǔn) 電路設(shè)計(jì)

應(yīng)用于智能手機(jī)的的高性能、小封裝邏輯電平轉(zhuǎn)換方案

　　近一兩年來(lái)，在蘋(píng)果公司iPhone手機(jī)的帶動(dòng)下，智能手機(jī)市場(chǎng)迅速擴(kuò)大。智能手機(jī)等便攜產(chǎn)品的一個(gè)重要特點(diǎn)是功能越來(lái)越多，從而支持更廣泛的消費(fèi)需求。但智能手機(jī)等便攜產(chǎn)品內(nèi)部用于支持不同功能的集成電路(IC)或模塊的工作電壓往往不同，如基帶處理器和應(yīng)用處理器電壓一般在1.5 V至1.8 V之間，而現(xiàn)有許多外設(shè)工作電壓一般為2.6至3.3 V，如USIM卡、Wi-Fi模塊、調(diào)頻(FM)調(diào)諧器模塊工作電壓為2.8 V，而相機(jī)模塊為2.7 V。　　　　因此，智能手機(jī)等便攜產(chǎn)品中的不同IC與外設(shè)模塊之間
關(guān)鍵字：安森美智能手機(jī) 電平轉(zhuǎn)換器 CMOS

高清視頻CMOS電流舵數(shù)／模轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

摘要：高清晰電視(HDTV)和無(wú)線(xiàn)通信網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展，對(duì)轉(zhuǎn)換器速度和精度提出了更高的要求?；谛滦蛡鬏旈T(mén)(TG) 結(jié)構(gòu)組成的電流源單元矩陣和譯碼邏輯電路，提出一種適用于高清晰視頻使用的高速8位CMOS電流舵數(shù)／模轉(zhuǎn)換器(
關(guān)鍵字：轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì) 電流 CMOS 視頻高清轉(zhuǎn)換器

基于電流折疊技術(shù)的CMOS全差分VCO設(shè)計(jì)

摘要：針對(duì)目前通信系統(tǒng)應(yīng)用上對(duì)壓控振蕩器的片上集成、寬調(diào)諧、調(diào)幅、啟動(dòng)特性和功耗等提出的綜合性要求，分析和設(shè)計(jì)了一種壓控調(diào)頻調(diào)幅振蕩器，其延遲單元采用全差分結(jié)構(gòu)，以消除共模噪聲和增加延遲控制的靈活性
關(guān)鍵字： CMOS VCO 電流折疊技術(shù)