igbt 7 文章進(jìn)入igbt 7技術(shù)社區(qū)

IGBT模塊的并聯(lián) 從最壞情況模擬到完全統(tǒng)計(jì)方法

摘要：利用并聯(lián)IGBT模塊的蒙特卡羅模擬方法，可以基于器件中的隨機(jī)模塊參數(shù)和系統(tǒng)不平衡度計(jì)算出電流不平衡、開關(guān)損耗及結(jié)溫。關(guān)鍵詞：IGBT模塊并聯(lián)；模擬分析方法；蒙特卡羅方法　　IGBT模塊在并聯(lián)時(shí)的降額必然性問題同器件的工藝問題一樣是一個(gè)老問題了。在試圖回答該問題時(shí)，工程師們通常會(huì)很快地發(fā)現(xiàn)自己處在一個(gè)兩難的位置上。過去，人們針對該問題提出了一些考慮統(tǒng)計(jì)因素的方法，但是到目前為止，仍然沒有人可以回答這樣的關(guān)鍵問題，即如果降額低于最差情況分析方法所建議的降額時(shí)，超出器件限值的概率有多大?，F(xiàn)在，英飛
關(guān)鍵字： IGBT 模塊并聯(lián) 模擬分析方法蒙特卡羅方法 200809

IR 推出適合汽車應(yīng)用的堅(jiān)固可靠600V IC

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出適合汽車應(yīng)用的高、中、低壓堅(jiān)固600V單通道高壓端驅(qū)動(dòng)IC AUIRS212xS系列，其應(yīng)用包括通用汽車驅(qū)動(dòng)器、高壓執(zhí)行器和低油耗直噴系統(tǒng)。　　AUIRS2123S 和 AUIRS2124S高速功率MOSFET 和IGBT驅(qū)動(dòng)器符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)，可以提供10V至20V的柵極驅(qū)動(dòng)電源電壓。輸出驅(qū)動(dòng)器具有適用于最小驅(qū)動(dòng)器跨導(dǎo)的高脈沖電流緩沖過程，而浮動(dòng)通道可用來驅(qū)動(dòng)在600V電壓下工作的高壓端配置的N溝道功率MO
關(guān)鍵字： IR 汽車驅(qū)動(dòng)器 IGBT

德州儀器推動(dòng)IEEE 1149.7 新標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)與認(rèn)證

　　隨著芯片功能不斷增加，系統(tǒng)設(shè)計(jì)從簡單的電路板向復(fù)雜的多芯片片上系統(tǒng) (SoC) 架構(gòu)發(fā)展，手持終端與消費(fèi)類電子產(chǎn)品開發(fā)人員正面臨著日益嚴(yán)格的引腳與封裝要求。作為 IEEE 工作組的重要成員，德州儀器 (TI) 日前宣布將致力于推動(dòng) IEEE 1149.7 標(biāo)準(zhǔn)獲得批準(zhǔn)。IEEE 1149.7 是一種全新的雙引腳測試與調(diào)試接口標(biāo)準(zhǔn)，可將 IEEE 1149.1 技術(shù)的引腳數(shù)量減半，使設(shè)計(jì)人員能夠輕松測試并調(diào)試具有復(fù)雜數(shù)字電路、多個(gè) CPU 以及應(yīng)用軟件的產(chǎn)品，如移動(dòng)與手持通信設(shè)備等。除領(lǐng)銜推進(jìn)最新 IE
關(guān)鍵字： TI 德州儀器 IEEE 1149.7 嵌入式 SoC

節(jié)能型交流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)在電動(dòng)車中的應(yīng)用

關(guān)鍵字： IGBT DC-DC 電動(dòng)車

微軟將在十月公布部分Windows 7技術(shù)細(xì)節(jié)

　　微軟近日發(fā)布了Windows 7的博客，但是該博客并沒有提供比較有價(jià)值的技術(shù)信息。不過值得高興的是Windows工程部負(fù)責(zé)人Steven Sinofsky在該博客中透露了微軟將共享更多技術(shù)細(xì)節(jié)的日期。　　“在10月27將舉行的專業(yè)開發(fā)人員大會(huì)和緊接著的Windows硬件工程大會(huì)上，我們都會(huì)提供關(guān)于Windows 7更深層次的技術(shù)信息。”Sinofsky和Windows核心操作系統(tǒng)部門經(jīng)理Jon Devaan在星期四發(fā)表的帖子上寫道。“這個(gè)博客會(huì)通過發(fā)帖的形式提供
關(guān)鍵字：微軟 Windows 7 Vista 操作系統(tǒng)

電力電子技術(shù)突顯節(jié)能功效新型器件嶄露頭角

　　發(fā)展電力電子產(chǎn)業(yè)的首要意義在于節(jié)約電能，因此，高效率是我們對電力電子器件的基本要求。新型電力電子器件IGBT(絕緣柵雙極型功率管)已在工業(yè)控制、消費(fèi)電子、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域充當(dāng)了節(jié)能的“急先鋒”，而在新能源領(lǐng)域，電力電子器件也是不可或缺的元素。　　電力電子器件在其發(fā)展的初期(上世紀(jì)60年代-80年代)主要應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。而近20年來，隨著4C產(chǎn)業(yè)(通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車)的蓬勃發(fā)展，電力電子器件的應(yīng)用范圍有了大幅度的擴(kuò)展，其技術(shù)已成為航空、航天、火車、汽車、通信
關(guān)鍵字：電力電子 IGBT 新能源節(jié)能

Windows7仍將使用Vista內(nèi)核 2010年上市

現(xiàn)在離下一版Windows上市時(shí)間已經(jīng)不足兩年，微軟開始透露更多有關(guān)它的新消息，或者至少透露哪些將在新版中保留。　　在Windows Vista團(tuán)隊(duì)博客空間，微軟Windows客戶端通訊團(tuán)隊(duì)總裁Chris Flores在一份帖子中表示，Vista的后繼者，代號(hào)“Windows 7”的新系統(tǒng)和其前任的差別不會(huì)太大。　　Flores說，“我們在Windows Vista中引入的長期架構(gòu)投資已經(jīng)在Windows Vista SP1和Windows Server 200
關(guān)鍵字： Windows 7 微軟內(nèi)核 Vista

Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動(dòng)器系列

　　Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅(qū)動(dòng)器系列，用于開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達(dá)9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅(qū)動(dòng)器IC更快，有助于加快開關(guān)時(shí)間，提高電路效率。　　該系列包含4款高速非反向柵極驅(qū)動(dòng)器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關(guān)射極跟隨器配置，實(shí)現(xiàn)了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時(shí)間，有效改善了對MOSFET開關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
關(guān)鍵字： Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT

普爾盛自主產(chǎn)品參展--PSHI 3系列IGBT驅(qū)動(dòng)器

PSHI 3系列IGBT驅(qū)動(dòng)器是基于具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的ASIC而設(shè)計(jì)的智能型1700V雙路IGBT驅(qū)動(dòng)器，包括邏輯信號(hào)處理的ASIC PSD001，門極驅(qū)動(dòng)的ASIC PSD002。集成了電平選擇、邏輯信號(hào)處理、故障鎖存及處理、短路保護(hù)、欠壓保護(hù)、互鎖、電氣隔離、DC/DC隔離電源等，工作溫度范圍為－45℃~＋85℃，其中: PSHI 302適用于200A以下的IGBT驅(qū)動(dòng)； PSHI 332適用于150A-800A的IGBT驅(qū)動(dòng)； PSHI 362適用于400A-1200A的IGBT。驅(qū)動(dòng)
關(guān)鍵字：普爾盛 IGBT 驅(qū)動(dòng)器

用于功率變換器的IGBT驅(qū)動(dòng)核心電路

　　除了功率模塊以外，每個(gè)電力電子系統(tǒng)都還有另外一個(gè)關(guān)鍵部件就是IGBT驅(qū)動(dòng)電路，它們是功率晶體管和控制器之間非常重要的接口電路。因此，選擇適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)電路就和逆變器整體方案的可靠性緊密相關(guān)。與此同時(shí)，驅(qū)動(dòng)電路還應(yīng)該具備最廣泛的系統(tǒng)適應(yīng)性和用戶接口友好性。　　例如，在一個(gè)電力電子逆變器中，微控制器提供系統(tǒng)正確運(yùn)行所需要的數(shù)字信號(hào)。IGBT驅(qū)動(dòng)電路的功能就是將來自于微控制器的信號(hào)轉(zhuǎn)換成具有足夠功率的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，來保證IGBT安全地關(guān)斷與開通。另一方面，IGBT驅(qū)動(dòng)電路為微控制器和功率晶體管之間的電壓提供電氣
關(guān)鍵字： IGBT SKYPER

三電平逆變器IGBT驅(qū)動(dòng)電路電磁兼容研究

分析了三電平逆變器系統(tǒng)中IGBT驅(qū)動(dòng)電路的主要干擾源及耦合途徑，在此基礎(chǔ)上對lGBT驅(qū)動(dòng)電路EMC設(shè)計(jì)的一些問題進(jìn)行了研究，重點(diǎn)討論了光纖傳輸信號(hào)、輔助電源設(shè)計(jì)、瞬態(tài)噪聲抑制以及PCB的抗干擾設(shè)計(jì)等問題，并給出了設(shè)計(jì)方案。
關(guān)鍵字：電磁兼容研究電路驅(qū)動(dòng) 逆變器 IGBT 電平

三菱電機(jī)第五代IGBT模塊將亮相于電子展

三菱電機(jī)將攜同多種系列的第五代IGBT模塊，在3月18至20日于上海新國際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為不同領(lǐng)域的客戶提供與其相應(yīng)的應(yīng)用解決方案。 ? 三菱電機(jī)采用最新開發(fā)的載流子存儲(chǔ)式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，實(shí)現(xiàn)了第五代IGBT模塊的產(chǎn)品化，其具有低損耗、低飽和壓降、高功率循環(huán)和壽命長等優(yōu)點(diǎn)。分別針對不同應(yīng)用開發(fā)了A、 NF、 NFM、NFH和NX系
關(guān)鍵字：三菱 IGBT 電子展 200802

開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)

上世紀(jì)60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段。
關(guān)鍵字：開關(guān)電源，IGBT 碳化硅 AC/DC

用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究

　　l 前言　　絕緣柵場效應(yīng)晶體管(IGBT)作為一種復(fù)合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動(dòng)和高開關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn)，在電機(jī)控制、開關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。本文對應(yīng)用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)進(jìn)行討論，并提出一種具有完善保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)電路。　　有源電力濾波器設(shè)計(jì)中應(yīng)用4個(gè)IGBT作為開關(guān)，并用4個(gè)EXB84l組成驅(qū)動(dòng)電路，其原理如圖l所示。在實(shí)驗(yàn)中，根據(jù)補(bǔ)償電流與指令電流的關(guān)系，用數(shù)字信號(hào)處理器(DSP
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 場效應(yīng)晶體管電源

IGBT的保護(hù)

　　將IGBT用于變換器時(shí)，應(yīng)采取保護(hù)措施以防損壞器件，常用的保護(hù)措施有：　　（1）通過檢出的過電流信號(hào)切斷門極控制信號(hào)，實(shí)現(xiàn)過電流保護(hù)；　?。?）利用緩沖電路抑制過電壓并限制du/dt；　　（3）利用溫度傳感器檢測IGBT的殼溫，當(dāng)超過允許溫度時(shí)主電路跳閘，實(shí)現(xiàn)過熱保護(hù)。　　下面著重討論因短路而產(chǎn)生的過電流及其保護(hù)措施。　　前已述及，IGBT由于寄生晶閘管的影響，當(dāng)流過IGBT的電流過大時(shí)，會(huì)產(chǎn)生不可控的擎住效應(yīng)。實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)使IGBT的漏極電流不超過額定電流，以避免出現(xiàn)擎住現(xiàn)
關(guān)鍵字： IGBT 半導(dǎo)體材料