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igbt fs7
igbt fs7 文章 進(jìn)入igbt fs7技術(shù)社區(qū)
分享:IGBT的檢測(cè)方法
- IGBT有三個(gè)電極,分別稱(chēng)為柵極G(也叫控制極或門(mén)極)、集電極C(亦稱(chēng)漏極)及發(fā)射極E(也稱(chēng)源極)一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測(cè)電阻法判別結(jié)
- 關(guān)鍵字: IGBT 場(chǎng)效應(yīng)管 檢測(cè)方法
6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動(dòng)入門(mén)
- 由于不間斷電源的興起,IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng),因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格,需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助
- 關(guān)鍵字: MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng)
大功率電源中IGBT電壓與驅(qū)動(dòng)能力是什么關(guān)系?
- IGBT作為電壓控制型開(kāi)關(guān)器件,IGBT的開(kāi)關(guān)由柵極的電壓控制。大家都知道柵極電壓升高,IGBT導(dǎo)通,柵極電壓低,IGBT關(guān)斷。但是使用的時(shí)候還是很容易忽略
- 關(guān)鍵字: 電源 IGBT 驅(qū)動(dòng)能力
三個(gè)將造成IGBT損壞的低級(jí)操作錯(cuò)誤
- 熟悉IGBT的朋友都知道,IGBT的內(nèi)部主要是MOS結(jié)構(gòu)。這就意味著IGBT對(duì)于靜電非常敏感,在使用過(guò)程中稍有不當(dāng)就可能造成IGBT的損壞。那么在使用IGBT時(shí),需
- 關(guān)鍵字: IGBT 電源 電路設(shè)計(jì)
解讀電動(dòng)汽車(chē)逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)及可用性測(cè)試
- 電動(dòng)汽車(chē)逆變器用于控制汽車(chē)主電機(jī)為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力,IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心功率器件,其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動(dòng)電路
- 關(guān)鍵字: 逆變器 IGBT 驅(qū)動(dòng)電源 可用性測(cè)試
一顆IGBT如何撬動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)逆變器?
- 電動(dòng)汽車(chē)逆變器用于控制汽車(chē)主電機(jī)為汽車(chē)運(yùn)行提供動(dòng)力,IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車(chē)逆變器的核心功率器件,其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。驅(qū)動(dòng)電路
- 關(guān)鍵字: IGBT 逆變器 電動(dòng)汽車(chē)
IGBT的特點(diǎn)、應(yīng)用及未來(lái)的研究方向
- 近年來(lái),IGBT被廣泛關(guān)注,隨著技術(shù)的發(fā)展,其應(yīng)用前景被廣泛看好,作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)IGBT,在很多領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。 什么是IGBT? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓
- 關(guān)鍵字: IGBT
IGBT掃盲文,IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用知識(shí)學(xué)習(xí)
- IGBT基礎(chǔ)與運(yùn)用 IGBT, 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快 的特點(diǎn)(控制和響應(yīng)),又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)(功率級(jí)較為耐用),頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)。 理想等效電路與實(shí)際等效電路如圖所示: IGBT 的靜態(tài)特性一般用不到,暫時(shí)不用考慮,重點(diǎn)考慮動(dòng)態(tài)特性(開(kāi)關(guān)特性)?! ?dòng)態(tài)特性的簡(jiǎn)易過(guò)程可從下面的表格和圖形中獲取
- 關(guān)鍵字: IGBT,MOSFET
igbt fs7介紹
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