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EEPW首頁 >> 主題列表 >> intel i9-9880h

2009芯片市場收入下滑一成 Intel份額上漲

  • 　　受經(jīng)濟回暖影響，市場調(diào)研公司Gartner近日再次提高了對2009年全球芯片市場預期至2260億美元，不過和去年相比，這一數(shù)字仍舊下降了11.4%。Gartner十月份曾認為跌幅會達到17%。 　　Gartner半導體研究主管Stephan Ohr表示，半導體領(lǐng)域中最早顯示出回暖跡象的是PC市場，手機、汽車行業(yè)緊跟其后。不過企業(yè)在投資支出上依舊很保守，恢復很慢。 　　Gartner還預計，芯片巨頭Intel的市場份額將稍稍提升至14.2%;受到內(nèi)存芯片價格的影響，三星和海力士本年度的收入將會增加2
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基于Intel PXA270的WinCE操作系統(tǒng)移植

  • 基于Intel PXA270的WinCE操作系統(tǒng)移植,隨著科學技術(shù)進步和3G時代的到來,高性能PDA產(chǎn)品作為一種電子消費品越來越受青睞。作為這些高性能的PDA產(chǎn)品核心的嵌入式實時操作系統(tǒng)是開發(fā)嵌入式應用的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。向來以界面友好，易操作性，易開發(fā)性為賣點的Windows
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新款LGA1366處理器Core i7 930明年2月28日上市

  • 　　據(jù)Intel公司一份產(chǎn)品路線圖顯示，除了我們先前報道的六核Core i7 980X，以及酷睿2四核Q9500兩款處理器之外，還將于明年2月28日推出一款新的四核Nehalem處理器Core i7 930,這款處理器仍為LGA1366設計，主頻2.8GHz，三級緩存容量為8MB，內(nèi)置三通道DDR3內(nèi)存控制器。 　　新款Core i7 930的售價將為284美元，TDP功耗為130W。
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用數(shù)據(jù)說話:Intel AMD 臺積電三大芯片廠商制程技術(shù)發(fā)展對比

  • 　　Intel很快便要推出其新款處理器，代號Westmere的32nm制程處理器。這款處理器在內(nèi)部架構(gòu)方面與現(xiàn)有的Nehalem近似。不過在制程方面 Intel則邁出了一大步，進化到了32nm制程。在Intel的32nm制程技術(shù)中，他們將使用其第二代HKMG(High-k金屬門)技術(shù)。而相比之 下，其它的廠商的第一代HKMG技術(shù)都還沒有付諸實用。那么，Intel在新一輪的32nm制程競賽中的領(lǐng)先程度有多大呢?以下我們便為讀者進行分析。 　　首先，我們把Intel和其最大的對手AMD，以及另一家代工企業(yè)臺
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Intel化合物半導體研究取得里程碑式突破

  • 　　Intel近日宣布在化合物半導體晶體管的研究中取得了里程碑式的重大突破，通過集成高K柵極獲得了更快的晶體管切換速度，消耗能量卻更少。Intel一直在研究將現(xiàn)在普遍適用的晶體管硅通道替換成某種化合物半導體材料，比如砷化鎵銦(InGaAs)。目前，此類晶體管使用的是沒有柵極介質(zhì)的肖特基柵極(Schottky gate)，柵極漏電現(xiàn)象非常嚴重。 　　Intel現(xiàn)在為這種所謂的量子阱場效應晶體管(QWFET)加入了一個高K柵極介質(zhì)，并且已經(jīng)在硅晶圓基片上制造了一個原型設備，證明新技術(shù)可以和現(xiàn)有硅制造工藝相結(jié)
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Apple對Intel圖形芯片說NO

  • 　　來自國外科技網(wǎng)站macrumors.com的消息稱，Intel將于明年1月初發(fā)布新一代主流移動平臺，其中代號Arrandale的CPU首次將圖形核心集成在處理器內(nèi)，相當于把原有的CPU和集成顯卡芯片組北橋合二為一。其中CPU核心為32nm工藝制造，而圖形核心則為45nm工藝制造。預計全球各大廠商將從年初開始陸續(xù)推出使用Arrandale處理器的筆記本新品，但根據(jù)BSN網(wǎng)站的報道，偏偏有一家廠商并不買Intel的帳。 　　不出所料，這家特立獨行的廠商就是蘋果。據(jù)“接近此事核心的內(nèi)部人士&r
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行動世代由誰做主？

  • ARM今年的年度技術(shù)研討會剛結(jié)束，可以見到相當擁躍的參加人潮。以一家資本額不算太大的IP公司，ARM的市場地位正不斷高漲，近來已有與CPU一哥Intel分庭抗禮的氣勢。除了該公司本身在技術(shù)上的特色外
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Intel明年一二季度新處理器產(chǎn)品路線圖泄漏

  • 　　根據(jù)最近一份泄漏的Intel產(chǎn)品發(fā)展路線圖顯示，Inte明年初l計劃推出數(shù)款Core i3/i5/i7處理器新品。其中兩款低功耗“S"版本的Core i5 750與Core i7 860處理器，頻率分別為2.4GHz和2.53GHz(可利用TurboBoost技術(shù)提頻至3.2/3.46GHz)。這兩款新款S系列處理器TDP 功耗僅82W，比原有的95W降低不少，兩款產(chǎn)品將配備8MB三級緩存，并將于明年第一季度上市。 　　另外，在Core i3產(chǎn)品檔次，Intel還將推出新款
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PC走向新商業(yè)模式

  • 安謀國際（ARM）日前在臺舉辦年度的科技論壇，參與的人數(shù)與規(guī)?？梢哉f是一年比一年還要盛況空前。由于ARM在智能型手機、Netbook與Smartbook的市場上漸漸與英特爾（Intel）短兵相接，兩造所代表的商業(yè)模式與技術(shù)平臺又大不相同，使得PC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展呈現(xiàn)了新局面
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Intel安騰處理器業(yè)務10年后終于盈利

  • 　　1999年，Intel給自己的64位頂級服務器處理器取了一個新名字：Itanium安騰，希望它能夠擊敗IBM、Sun等競爭對手的產(chǎn)品，占據(jù)企業(yè)級高端服務器市場，甚至未來有一天可能推出基于這一全新架構(gòu)的PC處理器。安騰架構(gòu)的CISC指令集最初由惠普提出，后來由Intel和惠普共同開發(fā)。然而自發(fā)布后的近十年時間里，除了Intel和惠普外很少有其他公司推 出安騰服務器產(chǎn)品。由于其指令集和x86并不兼容，所有軟件都需要重寫，應用一直非常有限。另外，各代安騰處理器也一直被延期和Bug所困擾。種種問題都 導致In
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英特爾本月內(nèi)完成上海封測廠遷成都作業(yè)

  • 　　英特爾(Intel)中國執(zhí)行董事戈峻在日前的四川跨國公司產(chǎn)業(yè)合作座談會暨簽約儀式上表示，將再次對英特爾成都廠進行增資，金額為 7,500萬美元。此外，備受關(guān)注的上海浦東封測廠西遷成都一案亦進入關(guān)鍵時刻，估計1個月內(nèi)即可完成整合作業(yè)，英特爾建構(gòu)的三角戰(zhàn)略架構(gòu)亦將成形。 　　英特爾自2003年進軍成都，已連續(xù)3次增資，對成都的總投資額由原先的3.75億美元提高至6億美元。 　　另外，此次英特爾將位于上海浦東外高橋保稅區(qū)的封測廠西遷與成都廠整合后，將成為該公司在亞洲地區(qū)最大的封測廠，推測未來幾年成都廠亦
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Intel P55芯片組將啟用B3步進工藝

  • 　　按Intel的計劃，LGA1156插槽處理器配套的旗艦芯片組P55將開始啟用最新的B3步進版本(目前市售的P55芯片組為B2步進版本)。新的B3步進P55芯片組將在以下幾個方面有所變化： 　　* 芯片組產(chǎn)品的S-spec代碼以及產(chǎn)品MM代碼方面將有所變更; 　　* 主板BIOS需要進行更新，并需要對處理器微代碼部分進行更新，以便支持未來推出的處理器 　　* 建議B3版的用戶將芯片組存儲功能驅(qū)動由原來的MSM8.9版本升級到RST9.5版本。 　　B3步進P55芯片組將與現(xiàn)有的B2步進產(chǎn)品保
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Intel芯片組2011年前不會加入USB3.0功能

  • 　　據(jù)從Nvidia處得到的確切消息，Intel公司已確定不會在2011年之前將USB3.0功能加入其芯片組中。這樣，那些需要在主板上加入USB3.0功能的廠商必須使用第三方芯片，USB3.0短期內(nèi)恐無法普及。 　　Nvidia的發(fā)言人Brian Burke為此表達了對Intel的失望之情，并趁機鼓吹稱Nvidia自家的芯片組一直在采用新技術(shù)方面做得比Intel好，同時他還不忘添油加醋鼓吹了一下自家的Ion平臺。 　　Nvidia與Intel之間在芯片組授權(quán)方面存在嚴重的分歧和爭端，不過也有人認為這種
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Intel宣布一項技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米

  • 　　英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 　　英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設計師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲屬性縮小到一個內(nèi)存類. 　　This image shows phase-change memory bu
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