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EEPW首頁 >> 主題列表 >> intel i9-9880h

2010年英特爾信息技術(shù)峰會4月首發(fā)中國北京

  • 　　由英特爾主辦的全球IT業(yè)界高水平的技術(shù)論壇活動——2010年英特爾信息技術(shù)峰會(Intel Developer Forum, IDF)，將于4月13至14日在北京中國國家會議中心舉行。在當前形勢下，全球IT產(chǎn)業(yè)正面臨回升復蘇，機遇和挑戰(zhàn)并存。本次峰會將邀請來自世界各地的IT決策者和開發(fā)人員、英特爾技術(shù)合作伙伴、新聞媒體以及分析師到會，與英特爾資深的管理者、技術(shù)專家等頂尖智囊齊聚一堂，共同前瞻危機之后的技術(shù)熱點和創(chuàng)新趨勢，探討產(chǎn)業(yè)新的增長機遇，以求創(chuàng)新智變、把握發(fā)展先機。 　　
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2010年半導體產(chǎn)業(yè)資本支出預增51%

  • 　　市場研究公司 ICInsights預計,今年半導體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬,包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位廠商的投資總額預計增長67%,而產(chǎn)業(yè)整體支出增長額預計為51%。 　　“如果不算Intel,排名前十中的其他9家公司支出額將增長91%。”ICInsights總裁BillMcClean指出。然而,盡管許多公司計劃在今年將產(chǎn)能翻倍,但仍然無法阻止IC價格的上漲和供應短缺的局面發(fā)生,尤其是下半年。 　　Sams
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Intel將推出Atom N470上網(wǎng)本處理器 主頻將有提升

  • 　　Intel計劃下周一發(fā)布一款高頻版本的Pinetrail Atom處理器N470，這款處理器將面向上網(wǎng)本應用，處理器的頻率被提升至1.83GHz，而現(xiàn)有已發(fā)布的N450主頻則僅1.66GHz。當然 N470與N450除了主頻之外其余技術(shù)參數(shù)以及內(nèi)部架構(gòu)是完全相同的。 　　相比主流處理器產(chǎn)品而言，Intel的Atom處理器采用了不同的內(nèi)部架構(gòu)，以保證處理器功耗較低，不過也因此而導致處理器的性能相對較低，價格方面，一般Atom處理器的售價也不會超過350美元。Intel新一代Pinetrail平臺中
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英特爾籌劃20億美元創(chuàng)投資金

  • 據(jù)華爾街日報(WSJ)報導，芯片大廠英特爾(Intel)正和創(chuàng)投公司合作，希望成立擁有20億美元資金的基金投資美國公司。 英特爾執(zhí)行長Paul Otellini于在美國華盛頓特區(qū)演講時公布此項投資計畫，該演講的部分重點為「在美國創(chuàng)造投資文化的必要性」；英特爾發(fā)言人則不愿評論。 知情人士表示，投資許多科技公司的英特爾正和創(chuàng)投公司商議，分配部分資金于美國企業(yè)；知情人士稱此計畫不需另外籌資，此外，目前尚不清楚創(chuàng)投公司的反應。  
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Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點

  • 　　在本月21日舉辦的LithoVision2010大會上，Intel公司公布了其未來幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計劃，按這份驚人的計劃顯示，Intel計劃將 193nm波長沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點，這表明他們再次后延了其極紫外光刻(EUV)技術(shù)的啟用日期。 　　Intel實驗室中的EUV曝光設備 　　根據(jù)會上Intel展示的光刻技術(shù)發(fā)展路線圖顯示，目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術(shù)，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術(shù)，沉浸式光刻工具方面，Int
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英特爾實驗室開發(fā)出納米材料的儲能器

  • 　　編者點評(莫大康 SEMI China顧問)：光伏發(fā)電中，除了提高效率、降低成本之外，非常關(guān)鍵的是多余電能的存儲。按傳統(tǒng)的蓄電池方法，占地面積太大,容量太小，很難實用化。所以國際上都在致力于電能存儲的研究。英特爾提出微型電網(wǎng)的概念，是個方向。即在局部地區(qū)內(nèi)把多余的電能存儲下來，以備太陽能不足時使用，而省略了傳輸?shù)拇罅繐p耗。關(guān)鍵是電能存儲的經(jīng)濟性能否實現(xiàn)。 　　Intel的研究員正在開發(fā)一種納米材料，可能用來制造比今天鋰電池存儲更多電能密度的超級電容器。如果能夠獲得成功，新材料可被大量生產(chǎn)供給發(fā)電廠，
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傳Intel將發(fā)布三款Gulftown核心六核桌面處理器

  • 　　此前我們已經(jīng)知道Intel將于今年一季度推出新款六核Gulftown核心Core i7處理器，不過最近Xbitlabs網(wǎng)站得到消息稱Intel今年共將推出三款基于這種核心的處理器產(chǎn)品，其中主頻3.33GHz的Core i7-980X極致版將于今年一季度上市，售價999美元;而主頻3.2GHz的Core i7-970則將于今年第三季度上市，價格將比前者稍低;另外據(jù)悉今年一季度Intel還會推出另外一款極致版Gulftown產(chǎn)品(主頻可能會高于 3.33GHz)。三款產(chǎn)品均將基于LGA1366+X58平臺
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傳Intel Sandy Bridge處理器將原生整合雙GPU

  • 　　近日據(jù)Fudzilla的消息稱，Intel的Sandy Bridge處理器將會在同一塊die中整合2個GPU核心。與目前Intel Clarkdale處理器中整合GPU的方式有所不同，Sandy Bridge將會把CPU和GPU整合在同一塊die之中，并且據(jù)稱還將會一下子整合2顆GPU核心。另外，Intel還將為獨立顯卡提供PCIe X16通道，組建SLI/Crossfire多卡互聯(lián)時則為雙8X模式。 　　到目前為止AMD和NVIDIA兩家都尚未發(fā)布過任何在單芯片中原生整合雙GPU的產(chǎn)品，而Inte
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Intel大連晶圓廠今年10月投產(chǎn)

  • 　　Intel公司宣布，位于我國大連市的“Fab 68”晶圓廠將于今年10月份正式投入生產(chǎn)。 　　Fab 68工廠將使用65nm工藝制造芯片組產(chǎn)品，這也是Intel能在中國使用的最先進的半導體工藝，但是Intel暫時沒有在中國制造處理器的計劃。 　　該工廠總經(jīng)理柯必杰表示：“芯片組分為兩類，一類用在處理器中，一類是用于支持鼠標等電腦設備的中間件。今明兩年，65nm工藝的芯片組仍然是中間件的主流產(chǎn)品，需求量很大。” 　　Intel大連芯片廠于2008年年
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Intel6系列芯片組產(chǎn)品將于明年一季度上市

  • 　　Intel下一代芯片組產(chǎn)品，用于配合下一代Sandy Bridge架構(gòu)處理器的6系列芯片組將于明年1季度推出，據(jù)悉這款芯片組內(nèi)將加入對SATA 6GB/s的支持。由于Sandy Bridge處理器內(nèi)部已經(jīng)集成了內(nèi)存控制器，GPU和部分聲卡功能，因此預計將來需要整合在6系列芯片組中的功能較少，不過目前仍不清楚Intel會否 采用單芯片組的設計. 　　這款芯片組的代號為Cougar Point,除了SATA 6GB/s之外,預計芯片組有可能會加入對USB3.0功能的支持.
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Intel的瘋狂 CPU上飛線？

  • 　　2月5日 當?shù)貢r間周三，Intel舉行了一場媒體會介紹他們將在下周ISSCC 2010大會上將展示的半導體新技術(shù)。除了我們剛剛介紹的32nm Westmere核心細節(jié)外，Intel還簡介了一些尚處實驗室階段的未來技術(shù)。 　　首先是一項處理器直連技術(shù)，可以用一條導線直接連接兩顆處理器封裝，以低功耗提供超高傳輸帶寬。該導線的外觀類似于SLI/CrossFire或筆記本中常見的帶狀線纜，內(nèi)置47條數(shù)據(jù)通道，可提供470Gb/s帶寬(每秒傳輸58.8GB數(shù)據(jù))，而功耗僅有0.7W。 　　Intel表示
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技術(shù)領先領先別無所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽

  • 　　在最近舉辦的一次會議上，Intel公司屬下NAND閃存集團的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務的一個驚人規(guī)劃，他們計劃在閃存技術(shù)和SSD產(chǎn)品市場上取得領先地位，但他們并不準備在散片NAND閃存市場 上扮演領軍人的角色?？雌饋硭麄儾⒉辉敢庠陲L水輪流轉(zhuǎn)的NAND閃存散片市場和三星，現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭高下，但于此同時,他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務排名第一的寶座上拉下來的意圖。 　　Intel不準備在NAND閃存散片市場稱雄的決定令人稍感驚奇，過去他們一旦進入某個市場，那
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Intel發(fā)布首顆桌面級六核處理器 采用32nm工藝

  • 　　Intel將在今后半年的時間里發(fā)布至少六款新處理器，其中大多是最新Core ix家族的新成員： 　　Core i7-980X EE將成為第一顆桌面級六核心處理器，而且是32nm新工藝，兼容現(xiàn)有X58主板。AMD的首批六核心Phenom II X6 1000T系列則 會在五月份推出，45nm工藝，兼容AM3主板。 型號 代號 工藝 核心數(shù)
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傳Intel Sandy Bridge架構(gòu)處理器明年一季度推出

  • 　　盡管過去Intel一直在遵守 ”tick - tock“法則定期輪番推出采用基于新制程和新架構(gòu)的處理器產(chǎn)品，但這一次他們恐怕不會按照這道鐵律的規(guī)定于今年第四季度推出基于下一代Sandy Bridge架構(gòu)的新處理器產(chǎn)品，據(jù)Fudzzilla網(wǎng)站從主板業(yè)者那里得到的消息顯示，Intel這款新處理器的發(fā)布日期恐怕會稍微后延到明年第一季度。 　　Sandy Bridge 將是現(xiàn)有Nehalem架構(gòu)的下一代處理器架構(gòu)，預計在Sandy Bridge中Intel會進一步提升處理器的性能并
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Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存

  • 　　由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以領先其他競爭對手長達一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進，每12-15個月便升級一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達到了34nm，在業(yè)內(nèi)領先六個月左右，也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產(chǎn)的閃存芯片有49%供給In
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