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Vishay大幅擴(kuò)充E系列650V N溝道功率MOSFET家族

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴(kuò)大為6A～105A。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  E系列  MOSFET  

功率MOSFET基礎(chǔ)知識

  • 什么是功率MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信...
  • 關(guān)鍵字： 功率  MOSFET  基礎(chǔ)知識  

用IGBT代替MOSFET的可行性分析

  • 一、引言電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展，功率器件則要求高速、...
  • 關(guān)鍵字： IGBT  MOSFET  

AOS發(fā)布150V MOSFET旗艦產(chǎn)品

  • 日前，集設(shè)計，研發(fā)一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬國半導(dǎo)體(AOS, 納斯達(dá)克代碼: AOSL)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產(chǎn)品，為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。
  • 關(guān)鍵字： AOS  AON6250  MOSFET  

飛兆四路MOSFET解決方案提高了效率

  • 高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī))中的過熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量問題。 同樣，熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器，也會降低相機(jī)的圖片質(zhì)量。 調(diào)節(jié)熱波動的典型散熱解決方案會增加元件數(shù)量，占用電路板空間，讓這些設(shè)計變得更復(fù)雜。
  • 關(guān)鍵字： 飛兆  FDMQ86530L  MOSFET  

淺談三極管和MOS管作開關(guān)用時的區(qū)別

  • 我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別。工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  三極管  

MOSFET在單通道降壓轉(zhuǎn)換器驅(qū)動投影儀RGB LED的應(yīng)用

  • 本應(yīng)用筆記提供了一個低功耗投影儀RGBLED驅(qū)動器的參考設(shè)計?；趩涡酒琈AX16821構(gòu)建大電流LED驅(qū)動器，能夠為...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  降壓轉(zhuǎn)換器  RGB  LED  

Vishay Siliconix 擴(kuò)展ThunderFET?的電壓范圍

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術(shù)的電壓擴(kuò)展至150V。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  DC/DC  MOSFET  SiR872ADP  

針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器

  • 針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器,引言對電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場是一個復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當(dāng)?shù)?200 W)，并且常常會把電
  • 關(guān)鍵字： IGBT  MOSFET  柵極驅(qū)動器  

繼2012年表現(xiàn)黯淡之后 中國功率MOSFET市場將恢復(fù)生機(jī)

  • 　　在綠色能源和節(jié)能計劃的帶動下，加之出口回升，預(yù)計今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經(jīng)濟(jì)體的形勢好轉(zhuǎn)。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。 　　據(jù)IHS公司的中國研究專題報告，今年中國功率MOSFET產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入預(yù)計為22.5億美元，比2012年的21.8億美元增長3%。去年該市場比2011年的23.7億美元下降8%。 　　明年增長將更加強(qiáng)勁，預(yù)計營業(yè)收入上升11%，隨后每年將保持穩(wěn)定增長，至少保持到2017年。到2017年，預(yù)
  • 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子  MOSFET  

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹

  • 常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  功率器件  

基于MOSFET設(shè)計優(yōu)化的功率驅(qū)動電路

  • 摘要：在分析了功率MOSFET其結(jié)構(gòu)特性的基礎(chǔ)上，討論驅(qū)動電路的設(shè)計，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能，提高設(shè)計的可靠性。
    關(guān)鍵詞：MOSFET；急聚點(diǎn)；損耗

    功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開關(guān)
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  急聚點(diǎn)  損耗  

關(guān)于MOSFET驅(qū)動電阻的選擇

  • L為PCB走線電感，根據(jù)他人經(jīng)驗其值為直走線1nH/mm，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH），其中Length單位取mm。Rg...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動電阻  

分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案

  • 在電源設(shè)計小貼士#42中，我們討論了MOSFET柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型SOT-23...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動器  

得益于晶圓減薄工藝與創(chuàng)新的封裝，功率MOSFET在不斷進(jìn)步

  • 要點(diǎn)1.導(dǎo)通電阻與柵極電荷規(guī)格的改善正在變得更難以實現(xiàn)和更昂貴。2.作為功率開關(guān)器件的選擇，硅遠(yuǎn)未到...
  • 關(guān)鍵字： 晶圓減薄  MOSFET  
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