- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用業(yè)內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸，具有業(yè)內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。
- 關鍵字：
Vishay MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將參加11月24日在西安皇后酒店舉行的中國西部電源技術論壇。論壇與中國電源行業(yè)協(xié)會合辦，由Vishay技術專家做4場技術報告，探討在新能源、軍工、通信、工業(yè)電源和其他行業(yè)中電容器、電阻、電感器、MOSFET、功率模塊和二極管的應用。
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Vishay 電容器 電感器 MOSFET
- 前言
為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量，節(jié)電與提高電壓的轉換效率是當務之急。在這種背景下，羅姆通過用于LED照明的技術貢獻于節(jié)電，通過功率元器件提升轉換效率。
而提高轉換效率就需要減少損耗。發(fā)電站產生幾十萬伏的電壓，通過電線和變壓器將這些電壓降低為如我們所熟悉的手機充電器所提供的約5V的電壓進行使用。從發(fā)電站到充電器之間電壓被多次轉換，每次轉換都會發(fā)生損耗。這些損耗的原因之一是功率元器件的損耗。只要這些損耗變成零，就可以大幅消減CO2排放量。雖然不
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羅姆 功率元器件 MOSFET
- 摘要：本文介紹了一種“零電壓開關(ZVS)降壓”的新型降壓穩(wěn)壓器拓撲，說明了其給系統(tǒng)帶來的優(yōu)勢和其在Picor Cool-Power ZVS降壓穩(wěn)壓器系列產品中的集成。
- 關鍵字：
穩(wěn)壓器 柵極驅動 MOSFET 201211
- 在功率元器件的發(fā)展中，主要半導體材料當然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時將電壓也降低到1/k，力爭更低功耗”的指導原理下，隨著微細加工技術的發(fā)展，實現(xiàn)了開關更加高速、大規(guī)模集成化。在功率元器件領域中，微細加工技術的導入滯后數(shù)年，需要確保工作電壓的極限(耐壓)并改善模擬性能。
- 關鍵字：
羅姆 功率元器件 MOSFET
- 摘要：家電是節(jié)能推行過程中重要的一部分。 在本文中，推薦了家電電源的整體解決方案。 通過融合最先進的技術，能夠設計出頂尖的開關電源，這引起了系統(tǒng)設計者極大的興趣。 本文描述每款產品的功能特點和優(yōu)點，并列出評估板的測試結果。
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飛兆 新能源 MOSFET 201211
- 全球領先的整合單片機、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布，推出全新電源轉換控制器系列及其首個功率MOSFET器件系列。該全新脈寬調制(PWM)控制器與配套的低品質因數(shù)(FOM)MOSFET產品系列組合支持高效的DC/DC電源轉換設計，涵蓋了廣泛的消費電子和工業(yè)應用。
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Microchip PWM MOSFET 單片機
- 輸出功率100W以下的AC/DC電源通常都采用反激式拓撲結構。這種電源成本較低，使用一個控制器就能提供多路輸出...
- 關鍵字：
反激式 MOSFET 鉗位電路
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣布推出數(shù)款新汽車產品系列，專門為發(fā)展迅速的汽車市場而設計，配合汽車電子成分持續(xù)升高，用于燃油經濟性、安全、信息娛樂系統(tǒng)及車載通信等先進功能。
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安森美 MOSFET LED
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅動器--- VOM1271。新器件集成了關斷電路，因此不需要外部的關斷元件和副邊供電電源。新的MOSFET驅動器極大降低了配置成本和PCB空間，并提高了整體的系統(tǒng)可靠性和性能。
- 關鍵字：
Vishay MOSFET 驅動器
- b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā)隨著PhotoMOSMOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信...
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MOSFET 光電耦合器
- 汽車可靠性和AEC資格認證汽車可能是我們每個人擁有的最可靠的設備之一。這可能聽起來有失偏頗，并且如果您的...
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汽車電子 IR MOSFET
- 雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性 由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構成雙柵極SET/MOSFET ...
- 關鍵字：
雙柵極 SET MOSFET
- CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢，導致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄，柵漏電流越 ...
- 關鍵字：
MOSFET 柵漏電流 噪聲分析
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