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onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC 應(yīng)用于工業(yè)馬達(dá)控制器

1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動(dòng)器，專為高功率應(yīng)用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設(shè)計(jì)。其特性包括互補(bǔ)的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護(hù)能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時(shí)的軟關(guān)斷以及獨(dú)立的高低驅(qū)動(dòng)器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)及開發(fā)。 NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET

碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護(hù)、精準(zhǔn)的短路保護(hù)、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能，為新一代的功率器件保駕護(hù)航。EiceDRIVER?增強(qiáng)型1ED34X1主要特色：●? 單通道隔離型柵極驅(qū)動(dòng)芯片●? 輸出電流典型值+3/6/9A●? 功能絕緣電壓高達(dá)2300V●? 帶米勒鉗位、Desat短路保護(hù)、
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100W MOSFET功率放大器電路

我們設(shè)計(jì)了一個(gè)使用 MOSFET 的功率放大電路，可產(chǎn)生 100W 的輸出功率，驅(qū)動(dòng)約 8 歐姆的負(fù)載。所設(shè)計(jì)的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點(diǎn)。工作原理：該電路采用多級功率放大原理，包括前置放大器、驅(qū)動(dòng)器和使用 MOSFET 的功率放大。前置放大器采用差分放大器，驅(qū)動(dòng)級是帶有電流鏡負(fù)載的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 類工作方式。與 BJT 相比，MOSFET 具有驅(qū)動(dòng)電路簡單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點(diǎn)。前置放大器由兩級差分放大器電路組成，用于產(chǎn)生無噪聲放大信號
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高性能 SiC MOSFET 技術(shù)裝置設(shè)計(jì)理念

合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無需對處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。合適的設(shè)備概念應(yīng)允許一定的設(shè)計(jì)自由度，以便適應(yīng)各種任務(wù)概況的需求，而無需對處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標(biāo)仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認(rèn)為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。圖 1：必須與 SiC MOSF
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全球SiC爭霸賽，誰在豪擲千金？

“能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國家，將能夠改變游戲規(guī)則，擁有SiC將對美國具有深遠(yuǎn)的影響?！?Alan Mantooth 接受媒體采訪時(shí)坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領(lǐng)導(dǎo)的工程研究人員從美國國家科學(xué)基金（NSF）獲得了1787萬美元的資助，用于在阿肯色大學(xué)開始建設(shè)一個(gè)國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓(xùn)和教育，以達(dá)到鼓勵(lì)美國新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線，能夠讓美國大學(xué)，企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長期
關(guān)鍵字： SiC MOSFET 功率損耗碳中和

英飛凌高壓超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品新增工業(yè)級和車規(guī)級器件

【2023年7月27日，德國慕尼黑訊】在靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用中，電源設(shè)計(jì)側(cè)重于最大程度地降低導(dǎo)通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現(xiàn)緊湊輕便的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)以低成本實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量。為滿足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關(guān)電源（SMPS）、太陽能系統(tǒng)、電池保護(hù)、固態(tài)繼電器（SSR）、電機(jī)啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險(xiǎn)絲/電子斷路器
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如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)？這款I(lǐng)C方案推薦給您

在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨(dú)特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性
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ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì)，對消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
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耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為?！伴_”開關(guān)運(yùn)行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級到 800V 電池架構(gòu)

自電動(dòng)汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動(dòng)汽車制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動(dòng)汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時(shí)間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動(dòng)汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動(dòng)汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì)成為
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安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車載充電器升級到800V電池架構(gòu)

自電動(dòng)汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動(dòng)汽車制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動(dòng)汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時(shí)間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動(dòng)汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動(dòng)汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì)成為
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器使用指南

SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南。本文為第三部分，將重點(diǎn)介紹NCP517
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Nexperia擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列

奈梅亨，2023年6月21日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴(kuò)充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設(shè)計(jì)。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開關(guān)電源、快充、USB-PD和電機(jī)控制應(yīng)用。長期以來，品質(zhì)因數(shù)Qg*RDSon一直是半導(dǎo)體制造商提高M(jìn)OSFET開關(guān)效率的重點(diǎn)。然而，一味地降低該品質(zhì)因數(shù)導(dǎo)致產(chǎn)生了意外后果
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采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機(jī)設(shè)計(jì)要點(diǎn)

近年來，為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。逆變焊機(jī)通常是通過IGBT功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機(jī)的成本、重量和尺寸[1]。在焊機(jī)行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強(qiáng)便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進(jìn)持續(xù)發(fā)展的推動(dòng)力。譬如，多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)法規(guī)已經(jīng)或即將強(qiáng)制規(guī)
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干貨 | MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解

01?概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。功率場效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結(jié)型功率場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（Sta
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