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安森美半導(dǎo)體與中國(guó)領(lǐng)先空調(diào)制造商達(dá)成設(shè)計(jì)協(xié)作

　　高能效電源解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）日前宣布，佛山市中格威電子有限公司（廣東志高集團(tuán)）選用其NCP1027為廣東志高空調(diào)有限公司節(jié)能空調(diào)新產(chǎn)品電控系統(tǒng)供電，實(shí)現(xiàn)更高的工作效率和更低的待機(jī)能耗。　　安森美半導(dǎo)體的NCP1027為志高空調(diào)在10瓦（W）輸出功率電平提供新的解決方案。安森美半導(dǎo)體專有的跳周期工作技術(shù)使空調(diào)在低峰值電流下工作；公司的高壓技術(shù)體現(xiàn)在帶有啟動(dòng)電流源的內(nèi)置700 V MOSFET，而這MOSFET和啟動(dòng)電流源都直接連接至大電容。為了防止低輸出電
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MagnaChip 為液晶顯示器推出互補(bǔ)型 N-P 通道 MOSFET 系列

　　MagnaChip 推出用于液晶 (LCD) 電視和液晶顯示器背照燈元件的新型節(jié)能 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）系列。　　這款 N-P 多芯片 MOSFET 系列擁有專為液晶電視和液晶顯示器逆變器設(shè)計(jì)的 N 通道功率和 P 通道功率互補(bǔ) MOSFET 系列。該系列產(chǎn)品為半橋或全橋逆變器設(shè)計(jì)提供了一個(gè)最優(yōu)化的解決方案，有 DPAK（分立元件封裝）和 SOIC-8（小型集成電路封裝），在單一設(shè)備中綜合了 N 通道和 P 通道，從而節(jié)省了電路板空間和成本。此外，該 N-P 多芯片 MOS
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基于場(chǎng)效應(yīng)管的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路設(shè)計(jì)

　　1 引言　　長(zhǎng)期以來，直流電機(jī)以其良好的線性特性、優(yōu)異的控制性能等特點(diǎn)成為大多數(shù)變速運(yùn)動(dòng)控制和閉環(huán)位置伺服控制系統(tǒng)的最佳選擇。特別隨著計(jì)算機(jī)在控制領(lǐng)域，高開關(guān)頻率、全控型第二代電力半導(dǎo)體器件(GTR、GTO、MOSFET、IGBT等)的發(fā)展，以及脈寬調(diào)制(PWM)直流調(diào)速技術(shù)的應(yīng)用，直流電機(jī)得到廣泛應(yīng)用。為適應(yīng)小型直流電機(jī)的使用需求，各半導(dǎo)體廠商推出了直流電機(jī)控制專用集成電路，構(gòu)成基于微處理器控制的直流電機(jī)伺服系統(tǒng)。但是，專用集成電路構(gòu)成的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的輸出功率有限，不適合大功率直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)需求
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Vishay推出 P通道功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用 PowerPAK SC-75 封裝的 p 通道功率 MOSFET 系列，該系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個(gè)器件，這些是采用此封裝類型的業(yè)界首批具有上述額定電壓的器件。　　日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用 PowerPAK SC-75 封裝的 -12V (SiB419DK) 及 -30V (SiB415DK) 單 p 通道功率 MOSFET。先前宣布推出的 SiB417DK 為首款 -8V 的此類器件，目前此類器件又
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PAM推出內(nèi)置MOSFET高壓30瓦LED驅(qū)動(dòng)器PAM2842

　　PAM(Power Analog Microelectronics)推出內(nèi)置MOSFET高壓30瓦的LED驅(qū)動(dòng)器,采用臺(tái)積電的雙極型CMOS-DMOS(BCD)工藝制成。具有從5.5V 到40V很寬的輸入電壓范圍，它是一個(gè)非常靈活的LED驅(qū)動(dòng)器,可以工作于升壓、降壓、升降壓（SEPIC）三種工作方式。它可以利用內(nèi)置的MOSFET來驅(qū)動(dòng)10個(gè)3瓦的LED，或者30個(gè)1瓦的LED。由于它在很寬的電壓范圍內(nèi)的恒流特性和95%以上的效率，使它不論是在輸入電壓跌落或很高的環(huán)境溫度時(shí)，都能正常工作。因?yàn)槔昧伺_(tái)積
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凌力爾特推出寬輸入電壓范圍同步降壓型DC/DC 控制器

　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出寬輸入范圍同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器控制器 LTC3851，該器件驅(qū)動(dòng)所有 N 溝道功率 MOSFET 級(jí)并具有一致或比例跟蹤功能。4V 至 38V 的輸入范圍促成種類繁多的應(yīng)用，包括大多數(shù)中間總線電壓和電池化學(xué)組成。強(qiáng)大的片上 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器允許使用大功率外部 MOSFET，以在 0.8V 至 5.5V 的輸出電壓范圍內(nèi)產(chǎn)生高達(dá) 20A 的輸出電流，從而使 LTC3851 非常適合于負(fù)載點(diǎn)需求。應(yīng)用包括汽車、工業(yè)、
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Maxim推出2.2MHz、雙路輸出DC-DC轉(zhuǎn)換器

　　Maxim Integrated Products推出能夠提供2A和1A輸出電流的雙路輸出、高開關(guān)頻率DC-DC轉(zhuǎn)換器MAX5098A/MAX5099.轉(zhuǎn)換器直接采用汽車電池供電，集成了能承受高達(dá)80V瞬態(tài)電壓的拋負(fù)載保護(hù)電路，器件的工作電壓可低至4.5V，以適應(yīng)冷啟動(dòng)情況。另外，器件具有可編程的200kHz至2.2MHz寬開關(guān)頻率范圍，從而可以工作于AM頻段以外的頻率?？煽康谋Ｗo(hù)特性和較寬開關(guān)頻率范圍使MAX5098A/MAX5099成為高端設(shè)備、儀表盤顯示器和汽車廣播等汽車應(yīng)用的理想選擇。　　
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中國(guó)電動(dòng)自行車消費(fèi)需求減弱沖擊半導(dǎo)體市場(chǎng)

　　據(jù)iSuppli公司，預(yù)計(jì)2008年中國(guó)市場(chǎng)電動(dòng)自行車出貨量將低于2007年，與2005年大增80%以及過去10年94%的復(fù)合年增長(zhǎng)率形成鮮明對(duì)比。2008年中國(guó)電動(dòng)自行車產(chǎn)量將達(dá)到2110萬輛，營(yíng)業(yè)收入為29億美元。比2007年2130萬的出貨量下降不到1%。這意味著今年中國(guó)的多數(shù)電動(dòng)自行車廠商可能遭遇虧損。圖 2004-2012年中國(guó)電動(dòng)自行車產(chǎn)量與預(yù)測(cè) 來源：iSuppli，2008年6月　　中國(guó)電動(dòng)自行車廠商目前面臨更加不確定的消費(fèi)者以及更加嚴(yán)格的政府法規(guī)。經(jīng)過10年
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體電動(dòng)自行車 MOSFET 電池 200808

凌力爾特公司推出0V至18V理想二極管控制器 LTC4352

　　MOSFET 理想二極管控制器在低壓應(yīng)用中，為堅(jiān)固的電源“或”提供快速接通和關(guān)斷　　凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)日前推出 0V 至 18V 理想二極管控制器 LTC4352，該器件使多個(gè)電源能夠進(jìn)行低損耗“或”連接而對(duì)電源電壓有最小干擾。LTC4352 調(diào)節(jié)外部 N 溝道 MOSFET 上的正向壓降，以確保在二極管“或”應(yīng)用中電源之間平滑傳送電流。在低壓系統(tǒng)中，控制器之間的慢切換導(dǎo)
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提升輕負(fù)載和高頻率下DC/DC的轉(zhuǎn)換效率

為幫助提高DC/DC在更輕負(fù)載和更高頻率下的轉(zhuǎn)換效率，可以將肖特基二極管集成到MOSFET芯片中，構(gòu)成單個(gè)封裝，以降 ...
關(guān)鍵字： MOSFET 體二極管反向恢復(fù) DC 正向壓降死區(qū)時(shí)間電荷理論肖特基二極管轉(zhuǎn)換效率效率水平

中國(guó)功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)正經(jīng)歷風(fēng)雨轉(zhuǎn)折

　　受到市場(chǎng)需求減緩以及庫存調(diào)整等問題的影響，2007年，中國(guó)功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)率較2006年出現(xiàn)較大幅度的下降，市場(chǎng)銷售額為762.3億元，比2006年增長(zhǎng)了13.3%。　　在中國(guó)功率器件市場(chǎng)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占到整體市場(chǎng)的80%
關(guān)鍵字：功率器件消費(fèi)電子電源管理IC MOSFET

卓芯微電子推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品

　　卓芯微電子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品RCRH010FA 和RCRH003FB。P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用高密度DMOS生產(chǎn)工藝，具有極低的導(dǎo)通電阻，并且在低至1.8V的柵極電壓下仍可正常開啟。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工藝，同時(shí)具有極佳的反向漏電特性。　　該兩款產(chǎn)品主要應(yīng)用在充電電路，DC/DC 轉(zhuǎn)換器和LED控制電路。整個(gè)器件在正向?qū)〞r(shí)具有很低的正向壓降，不僅滿足使用USB接口進(jìn)行充電的要求，同時(shí)具有極低的功率耗散，提升整個(gè)系統(tǒng)的能效。　　這兩款產(chǎn)
關(guān)鍵字： MOSFET 卓芯微電子充電電路電源管理

汽車電子功率MOSFET技術(shù)

過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰褪?..
關(guān)鍵字： MOSFET 汽車電子系統(tǒng) 系統(tǒng)功率

Maxim推出高壓、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

　　Maxim推出高壓、高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器MAX15018/MAX15019，用于驅(qū)動(dòng)高邊和低邊n溝道MOSFET。器件具有高端(HS)引腳，允許高達(dá)125V的輸入電壓，該指標(biāo)優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的105V電壓。MAX15018/MAX15019與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的HIP2100IB和HIP2101IB引腳兼容，理想用于必須承受100V或更高瞬態(tài)電壓的電信電源產(chǎn)品中，保證足夠的安全裕量。　　MAX15018/MAX15019提供3A源出/吸入峰值電流，傳輸延遲僅為35ns (典型值)，驅(qū)動(dòng)器之間能夠保證2ns (
關(guān)鍵字： Maxim MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 TTL

ST推出250A功率MOSFET 提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)能效

　　意法半導(dǎo)體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產(chǎn)品擁有市場(chǎng)上最低的導(dǎo)通電阻，可以把功率轉(zhuǎn)換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。　　新產(chǎn)品STV250N55F3是市場(chǎng)上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線帶楔焊鍵合技術(shù)的功率MOSFET，無裸晶片封裝的電阻率極低。新產(chǎn)品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型導(dǎo)通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優(yōu)點(diǎn)包括：開關(guān)損耗低，抗雪崩性能強(qiáng)。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助于
關(guān)鍵字： MOSFET ST 意法半導(dǎo)體晶體管