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EEPW首頁 >> 主題列表 >> jfet-mosfet

飛兆推出可將導(dǎo)通電阻降低50％的100V MOSFET

  • 　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達(dá)50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設(shè)計的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件，使用了飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench® 工藝技術(shù)，能夠最大限度地減小導(dǎo)通阻抗，同時保持優(yōu)良的開關(guān)性能和穩(wěn)健性
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IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。 　　新系列基準(zhǔn)MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù)，可在4.5V Vgs下實現(xiàn)非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來更多防護頻帶，并可減少由
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Maxim推出雙通道、Quick-PWM?、降壓控制器

  • 　　Maxim推出具有同步整流的雙通道、Quick-PWM降壓控制器MAX17031，用于為電池供電系統(tǒng)產(chǎn)生5V/3.3V電源。器件內(nèi)置100mA線性穩(wěn)壓器，以產(chǎn)生上電或其它低功耗、“常備電路”所需的5V偏置電壓?？刂破鬟€包含一路低電流(5mA)，“始終開啟”的線性穩(wěn)壓器，當(dāng)筆記本電腦的其它所有調(diào)節(jié)器關(guān)閉時為實時時鐘(RTC)供電。MAX17031能夠為筆記本電腦、便攜式PC及其它便攜式設(shè)備提供完整的、節(jié)省空間的電源方案。 　　器件采用低邊MOSFET
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飛兆半導(dǎo)體推出具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V MicroFET? MOSFET

  • 　　飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設(shè)計的嚴(yán)苛要求，采用延長電池壽命的技術(shù)，實現(xiàn)更薄、更小的應(yīng)用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝，相比傳統(tǒng)的MOSFET，它具有出色的熱阻，能提供超卓的功率耗散，并可減少傳導(dǎo)損耗。該器件采
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選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

  • 前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設(shè)計已經(jīng)成為一個越來越迫切的問題。

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Diodes 推出全新OR'ing 控制器

  • 　　Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式電源系統(tǒng)的設(shè)計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管，從而在對正常運行時間要求苛刻的電信、服務(wù)器及大型機應(yīng)用中，實現(xiàn)更低溫度的運行、更少的維護和更可靠的操作。 　　Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)表示，傳統(tǒng)上用于電源故障保護的肖特基阻流二極管的熱耗散很高，這與其很強的0. 5V 正向壓降有直接關(guān)系。如果用典型正向電壓低于100mV的導(dǎo)通電阻較低的MOSFET替代二極管，功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
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飛兆半導(dǎo)體的柵極驅(qū)動器提高汽車的燃油效率

  • 　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計人員提供一系列能夠提升汽車應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動器FAN7080x系列，讓工程師開發(fā)出在所有操作條件下更準(zhǔn)確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng)，從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動器在高邊和橋驅(qū)動器應(yīng)用中驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT，如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機控制。與市場上同類器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對比240µA)，容許設(shè)計人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴大工作范圍。這些產(chǎn)品
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電源管理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國大有盼頭

  • 盡管一直高于全球的發(fā)展速度，中國電源管理半導(dǎo)體市場在經(jīng)歷了多年的快速增長之后，正不斷放緩步伐，特別是在去年被金融海嘯波及之后。但是，隨著國家政策刺激拉動整機設(shè)備制造保持增長，今后兩年中國的市場需求整體也將繼續(xù)較快增長，預(yù)計增長幅度將與金融海嘯最肆虐的2008年持平甚至略高。
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高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡化汽車、半導(dǎo)體、科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中的測量

  • 許多電子設(shè)計應(yīng)用要求的激勵源幅度超出了當(dāng)前市場上大多數(shù)任意波形/函數(shù)發(fā)生器的能力，包括電源半導(dǎo)體應(yīng)用，如汽車電子系統(tǒng)和開關(guān)電源中廣泛使用的MOSFETs和IGBTs，氣相色譜和質(zhì)譜檢測器使用的放大器，以及科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中使用的其它設(shè)備。本文描述了使用外部放大器生成高幅度信號的傳統(tǒng)方法，然后討論了典型應(yīng)用，說明了使用集成高幅度階段的新型任意波形/ 函數(shù)發(fā)生器的各種優(yōu)勢。
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選擇自鉗位MOSFET提高電動工具系統(tǒng)可靠性

  • 電動工具由于其設(shè)計輕巧、動力強勁、使用方便等優(yōu)點，在各種場合得到了廣泛的應(yīng)用。電動工具一般采用直流有刷電機配合電子無級調(diào)速電路實現(xiàn)，具有起動靈敏并可正反調(diào)速等功能，如手電鉆、電動起子等。無級調(diào)速電路一
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STY112N65M5：ST太陽能電池功率調(diào)節(jié)器用MOSFET

  •         產(chǎn)品特性： 耐壓650V STY112N65M5:最大導(dǎo)通電阻為0.022Ω（漏極電流為93A） STW77N65M5:最大導(dǎo)通電阻0.038Ω（漏極電流為66A） 采用了改進Super Junction結(jié)構(gòu)         應(yīng)用范圍： 太陽能電池功率調(diào)節(jié)器
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意法半導(dǎo)體宣布功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： MDmeshV  MOSFET  RDS  

關(guān)于DSP應(yīng)用電源系統(tǒng)的低功耗設(shè)計研究

  • 自從美國TI公司推出通用可編程DSP芯片以來，DSP技術(shù)得到了突飛猛進的發(fā)展。DSP電源設(shè)計是DSP應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計的一...
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安森美半導(dǎo)體推出業(yè)界首款集成型便攜電子產(chǎn)品雙向過壓保護及外部附件過流保護器件

  • ??????? NCP370保護便攜設(shè)備免受浪涌損傷，并控制反向電流來保護便攜設(shè)備附件，不需使用外部元件。 ? ??????? 2009年2月3日 - 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)推出業(yè)界首款集成型雙向器件，為手機、MP3/4、個人數(shù)字助理(PDA)和GPS系統(tǒng)提
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業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻MOSFET

  • 　　Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。 　　現(xiàn)有的同類 SO-8 封裝器件額定電壓下導(dǎo)通電阻僅低至 24 mΩ ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ （在 10 V
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