制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情?
明年下半年DRAM供給可能會供不應求,韓媒指出,存儲器廠商轉(zhuǎn)進20納米制程的產(chǎn)能損失,或許會讓DRAM陷入供給短缺,炒熱行情。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201609/297032.htmBusinessKorea 12日報道,半導體和投資銀行的業(yè)界消息指出,2017年DRAM需求預料將年增19.3%,不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組,從當前的105萬組、2017年降至103萬組,主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此,產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長率以往大約是30%,2017年成長率可能減至10%,加劇供給不足問題。
據(jù)了解,明年上半年是淡季,DRAM可能會略為供給過剩。不過隨著美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)轉(zhuǎn)進20納米,產(chǎn)出減少;下半年傳統(tǒng)旺季到來時,業(yè)者又未增加投資,DRAM將由供給過多變?yōu)楣┙o不足。
業(yè)界觀察家預期,明年整體DRAM產(chǎn)品價格將下滑9.8%,DRAM成本減幅更大、約為18%,意味廠商仍有利潤。
有報道,DRAM存儲器報價在今年第三季止跌回升,韓國三星、SK海力士等存儲器大廠營收有望受惠。
TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange最新報價顯示,DDR3 4Gb顆?,F(xiàn)貨均價八月漲2.99%,再前一個月更是彈升7.2%。DRAMeXchange指出,DRAM報價連兩個月上漲,為近兩年半來首見,讓分析師進一步看好存儲器后市展望。DDR4 4GB均價八月同步上漲3.7%。
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