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南亞科：DRAM上半年還會(huì)漲

  • 　　南亞科總經(jīng)理李培瑛16日表示，今年上半年DRAM價(jià)格持續(xù)看漲，但漲幅會(huì)收斂些，下半年則仍待觀察三星、 SK海力士二大韓廠實(shí)際增產(chǎn)內(nèi)容才能做明確分析。 目前來(lái)看，韓國(guó)二大廠都表明將依市場(chǎng)需求增產(chǎn)，分析DRAM產(chǎn)業(yè)到明年都可維持健康穩(wěn)定。 　　李培瑛表示，服務(wù)器和標(biāo)準(zhǔn)型DRAM今年市場(chǎng)需求持續(xù)強(qiáng)勁，南亞科內(nèi)部預(yù)估，今年DRAM位需求增幅約20%至25%，搭配云端數(shù)據(jù)中心對(duì)服務(wù)器DRAM需求同步暢旺，以及高端手機(jī)搭載DRAM容量攀升到4GB~6GB， 以及冬季奧運(yùn)來(lái)臨，刺激電視與機(jī)頂盒等需求，帶動(dòng)利基型D
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上演第二梯隊(duì)大逆襲 武漢存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)隱現(xiàn)“國(guó)家隊(duì)效應(yīng)”

  • 　　武漢東湖高新區(qū)未來(lái)三路與高新大道交匯處，一個(gè)被稱為“黃金大道”的T字形結(jié)構(gòu)的芯屏組合的產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)已悄然形成。而這其中的“1號(hào)工程”正是在中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已掀起“巨浪”的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技責(zé)任有限公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)。 　　2018年1月17日，陰冷兩天的武漢再度放晴，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)的一期工廠已經(jīng)竣工，已然組建的研發(fā)團(tuán)隊(duì)正在東湖高新區(qū)(以下簡(jiǎn)稱“高新區(qū)”)的另一處辦公地址加緊推進(jìn)研發(fā)工作
  • 關(guān)鍵字： 集成電路  DRAM  

RAM、SRAM、SSRAM、DRAM、FLASH、EEPROM......都是什么鬼？

  • 　　RAM(Random Access Memory) 隨機(jī)存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。 　　按照存儲(chǔ)信息的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Static RAM,SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic RAM,DRAM)。 　　SRAM(Static RAM)不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。 　　SSRAM(Synchronous SRAM)即同步靜態(tài)隨機(jī)存
  • 關(guān)鍵字： SRAM  DRAM  

IC Insights:DRAM今年價(jià)格將開(kāi)始下滑

  • 　　研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights發(fā)布最新報(bào)告指出，DRAM廠于2017年第4季的銷售金額將創(chuàng)下歷史新高峰，預(yù)估達(dá)到211億美元，較2016年第4季的128億美元大增65%。IC Insights表示，據(jù)歷史經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，DRAM產(chǎn)業(yè)在不久的將來(lái)，可能經(jīng)歷長(zhǎng)期間的景氣向下格局，因隨著DRAM產(chǎn)能增加，今年價(jià)格將開(kāi)始下滑，跌勢(shì)更恐達(dá)2年之久。 　　回顧2017年，受惠于數(shù)據(jù)中心需求，帶動(dòng)服務(wù)器DRAM明顯升溫，同時(shí)智能手機(jī)與其他移動(dòng)裝置產(chǎn)品采用低功耗高密度DRAM也同步成長(zhǎng)，2017年DRAM價(jià)格報(bào)價(jià)一路上揚(yáng)
  • 關(guān)鍵字： DRAM  

揭露DRAM和電容炒貨內(nèi)幕，三星兜底策略縱容漲價(jià)

  • 缺貨漲價(jià)固然有產(chǎn)能不足的因素，但原廠聯(lián)合渠道商炒貨，是其中更為重要的潛在影響因素。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  三星  

兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)

  • 　　搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(jí)(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測(cè)系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達(dá)更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 　　DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%，為1994年以來(lái)最大增幅;未來(lái)DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

兩大新技術(shù)加持 三星二代10納米DRAM量產(chǎn)搶商機(jī)

  • 　　搶攻DRAM市場(chǎng)商機(jī)，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產(chǎn)其第二代10奈米等級(jí)(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數(shù)據(jù)感測(cè)系統(tǒng)(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達(dá)更高效能、更低功耗，以及更小的體積。 　　DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，IC Insights預(yù)估，2017年DRAM市場(chǎng)將激增74%，為1994年以來(lái)最大增幅;未來(lái)DRAM預(yù)計(jì)將成為至今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)最大的單一產(chǎn)品類別，產(chǎn)值高
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR4   

明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

  • DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過(guò)于求。
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

  • 　　內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場(chǎng)仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場(chǎng)則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過(guò)于求。 　　DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。 　　內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見(jiàn)指出，DRAM 市場(chǎng)供貨持續(xù)吃緊，價(jià)格未見(jiàn)松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補(bǔ)供貨缺口。 　　另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

5nm工藝可能無(wú)法實(shí)現(xiàn)？存儲(chǔ)器除了3D NAND還有其他選擇？看這4個(gè)技術(shù)老兵怎么說(shuō)

  • 　　5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲(chǔ)器的未來(lái);太多可能解決方案帶來(lái)的高成本。 　　近日，外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續(xù)下探、新材料和新工藝的引入帶來(lái)哪些變化和影響，專家團(tuán)成員有LamResearch的首席技術(shù)官RickGottscho、GlobalFoundries先進(jìn)模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術(shù)合伙人DavidShortt、ASML計(jì)算光刻產(chǎn)品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
  • 關(guān)鍵字： 5nm  DRAM  

再進(jìn)一步，三星發(fā)布最強(qiáng)10nmDRAM芯片

  • 　　根據(jù)三星最新財(cái)報(bào)顯示，三星Q3凈利潤(rùn)更是高達(dá)98.7億美元，增長(zhǎng)145%，季度凈利直逼蘋果，成為世界最賺錢的兩家公司之一。而耀眼財(cái)報(bào)的背后，其半導(dǎo)體業(yè)務(wù)起著舉足輕重的作用。 　　昨日半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)曝出一條最大新聞——“ 三星電子全球首發(fā)第二代10納米級(jí)DRAM產(chǎn)品。” 　　三星在聲明中稱，這是全球第一個(gè)第二代10納米級(jí)8Gb DDR4 DRAM芯片，擁有強(qiáng)化的節(jié)能效率和資料處理效能，將鎖定云端運(yùn)算中心、移動(dòng)設(shè)備和高速繪圖卡等高階大數(shù)據(jù)處理的電子設(shè)備。
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

三星DRAM“霸主”地位難撼動(dòng)！已開(kāi)發(fā)出全球最小DRAM內(nèi)存芯片

  • 　　繼 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工藝生產(chǎn)出了 8Gb DDR4 芯片之后，三星電子今日又宣布已開(kāi)始通過(guò)第二代 10nm 制程工藝生產(chǎn) 8Gb DDR4 芯片。另?yè)?jù)路透社報(bào)道，三星開(kāi)發(fā)的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。 　　據(jù)悉，和第一代 10nm 工藝相比，三星第二代 10nm 工藝的產(chǎn)能提高了 30%，有助于公司滿足全球客戶不斷飆升的 DRAM 芯片需求。此外，第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%，同時(shí)功耗又降低了 1
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%,明年首季確定再漲

  • 　　DRAM 內(nèi)存市場(chǎng)近期嚴(yán)重供不應(yīng)求，造成全球內(nèi)存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價(jià)格再上調(diào) 3% 至 5%。 而另一家內(nèi)存大廠 SK 海力士也將調(diào)漲約 5%。 除此之外，有部分供應(yīng)鏈透露，2018 年第 2 季的價(jià)格恐也將不樂(lè)觀，價(jià)格將續(xù)漲 5% 以上。 因此，在需求太強(qiáng)勁的情況下，此波 DRAM 價(jià)格從 2016年下半年以來(lái)，每季都呈現(xiàn)上漲的態(tài)勢(shì)。 如果加上 2018 年第 1 季持續(xù)漲價(jià)，報(bào)價(jià)已經(jīng)連續(xù) 7 季走揚(yáng)，堪稱 DRAM 史上時(shí)間最長(zhǎng)的多頭行情。 　　事實(shí)上，當(dāng)前的第 4 季是傳統(tǒng)
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR4   

第四季DRAM銷售額預(yù)估年增65%，再寫(xiě)史上新高

  • 　　今年內(nèi)存供給吃緊，推升價(jià)格持續(xù)走揚(yáng)，研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)期第四季DRAM銷售金額將創(chuàng)歷史新高。 　　據(jù)IC Insights估計(jì)，第四季DRAM銷售金額將來(lái)到211億美元，較去年同期跳增65%，且是有史以來(lái)最佳記錄。 　　全年來(lái)看，DRAM市場(chǎng)預(yù)估成長(zhǎng)74%，較1993-2017年平均水平高61個(gè)百分點(diǎn)，也是繼1994年成長(zhǎng)78%以來(lái)最強(qiáng)成長(zhǎng)動(dòng)能。 　　許多因素造就今年內(nèi)存走大多頭，當(dāng)中包含近幾年主要內(nèi)存廠刻意節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作，同期間剛好又遇上數(shù)據(jù)中心、行動(dòng)與游戲設(shè)備對(duì)高效能內(nèi)存的需求大
  • 關(guān)鍵字： DRAM  

中國(guó)反壟斷機(jī)構(gòu)關(guān)注DRAM連漲七個(gè)季度,何處是盡頭?

  • 圍繞著此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情，無(wú)論是“供需論”還是“壟斷說(shuō)”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無(wú)奈，領(lǐng)軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺(jué)。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  
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