明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
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編者按：DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，而明年上半年將轉(zhuǎn)為供過于求。
內(nèi)存明年市況恐將不同調(diào)，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉(zhuǎn)為供過于求。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/201712/373483.htmDRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應(yīng)求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預(yù)期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調(diào)。
內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價(jià)格未見松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補(bǔ)供貨缺口。
另一內(nèi)存模塊廠威剛表示，短期內(nèi)全球 DRAM 大廠仍理性看待產(chǎn)能議題，并未有大幅破壞產(chǎn)業(yè)生態(tài)的計(jì)劃，持續(xù)正面看待 DRAM 市況。
NAND Flash 方面，威剛指出，隨著供貨商 3D NAND Flash 良率逐步改善，預(yù)期明年第 1 季整體供需將出現(xiàn)轉(zhuǎn)變。
美光預(yù)期，明年 DRAM 位供給將增加約 20%，市場環(huán)境仍將持續(xù)健康;NAND Flash 位供給則將增加近 50%，供給增加幅度將遠(yuǎn)高于 DRAM。
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