三星DRAM“霸主”地位難撼動(dòng)！已開發(fā)出全球最小DRAM內(nèi)存芯片

　　繼 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工藝生產(chǎn)出了 8Gb DDR4 芯片之后，三星電子今日又宣布已開始通過第二代 10nm 制程工藝生產(chǎn) 8Gb DDR4 芯片。另據(jù)路透社報(bào)道，三星開發(fā)的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。

　　據(jù)悉，和第一代 10nm 工藝相比，三星第二代 10nm 工藝的產(chǎn)能提高了 30%，有助于公司滿足全球客戶不斷飆升的 DRAM 芯片需求。此外，第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%，同時(shí)功耗又降低了 15%。

　　三星表示，和 2012 年使用 20nm 工藝生產(chǎn)的 4Gb DDR3 芯片相比，新的 8Gb DDR4 芯片在容量、速度以及功效上都提升了一倍。三星希望通過擴(kuò)大 10nm DRAM 芯片的生產(chǎn)，深挖服務(wù)器、移動(dòng)和圖形芯片市場，進(jìn)一步提升整體競爭力。

　　同時(shí)，三星還表示，將在 2018 年把現(xiàn)有多數(shù) DRAM 芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到 10nm 芯片上。

　　長期以來，DRAM 行業(yè)一直由三強(qiáng)把持。韓國的三星電子、SK海力士以及美國的美光科技擁有該領(lǐng)域的絕對(duì)話語權(quán)，三者的座次也相對(duì)固定。2017年三季度數(shù)據(jù)顯示，這三家企業(yè)的營收市占率分別為45.8%、28.7%和21.0%，共豪取九成份額。

　　尤其是三星，自 1992 年超越日本 NEC 成為全球最大 DRAM 存儲(chǔ)制造商之后，便一直霸占榜首的位置 25 年。而三星 2017 年的業(yè)務(wù)也異乎尋常地亮眼，可以說，半導(dǎo)體業(yè)務(wù)是運(yùn)營利潤的主要貢獻(xiàn)者。

　　三星最新的財(cái)報(bào)顯示，三星今年第三季度利潤翻倍，達(dá)到 842 億元，同比增長達(dá)到了驚人的 178.9%，創(chuàng)下最高記錄。其中，受益于全球芯片價(jià)格上漲，半導(dǎo)體部門三季度運(yùn)營利潤達(dá) 9.96 萬億韓元(約合 590.89 億元人民幣)，占整體運(yùn)營利潤的近69%。

　　集微網(wǎng)此前曾報(bào)道，自去年二季度起，DRAM(主要包括 PC 內(nèi)存、移動(dòng)式內(nèi)存、服務(wù)器內(nèi)存)產(chǎn)業(yè)營收都在一路飆升，每個(gè)季度都在刷新銷售額紀(jì)錄。此外，據(jù)臺(tái)灣 DRAM 相關(guān)廠商透露，三星、海力士陸續(xù)通知明年首季調(diào)漲 DRAM 售價(jià)3%-5%。

　　根據(jù) Gartner 的分析，從產(chǎn)能增加情況和市場需求的預(yù)測，明年上半年DRAM產(chǎn)品仍然會(huì)緊俏，下半年會(huì)達(dá)到供需平衡甚至倒轉(zhuǎn)，但在局部市場一季度就可能看到回落。

　　從目前情況看，三星、海力士開始采取行動(dòng)來予以應(yīng)對(duì)。如三星宣布計(jì)劃在平澤設(shè)廠擴(kuò)建 DRAM 產(chǎn)能，SK海力士也宣布將在無錫設(shè)廠擴(kuò)建 DRAM 產(chǎn)能，主流大廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃很有可能緩解持續(xù)上漲的走勢。

　　盡管三星目前釋放出擴(kuò)建 DRAM 產(chǎn)能的消息，但并沒有透露擴(kuò)建規(guī)模的相關(guān)計(jì)劃。從三星的戰(zhàn)略來看有未來有兩種可能，第一種，擴(kuò)建的產(chǎn)能規(guī)模足夠填補(bǔ)當(dāng)下需求缺口，那么將緩和本輪價(jià)格上漲趨勢;第二，計(jì)劃擴(kuò)建更大產(chǎn)能，那么到明年下半年 PC 內(nèi)存價(jià)格將呈下降走勢。

　　今年 10 月底，三星電子公司宣布了其領(lǐng)導(dǎo)層改組事宜，并表示將維持目前的三人聯(lián)席CEO管理架構(gòu)。其中，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門總裁金奇南接替三星電子首席執(zhí)行官兼副董事長權(quán)五鉉的職位。三星表示，公司并不尋求立即擴(kuò)大芯片出貨量，但會(huì)投資維持長期市場地位。