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價(jià)格漲勢(shì)不停,第三季DRAM總營(yíng)收大幅季成長(zhǎng)15.8%
- TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示,受惠于全球智能手機(jī)出貨成長(zhǎng),及內(nèi)存搭載量不斷攀升,第二季開始DRAM原廠逐步降低標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存的產(chǎn)出,轉(zhuǎn)為行動(dòng)式內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存。在供應(yīng)逐漸吃緊下,第三季開始標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格呈上漲走勢(shì),同時(shí)帶動(dòng)其他類別內(nèi)存的價(jià)格上揚(yáng)。使得第三季全球DRAM總體營(yíng)收較上季大幅成長(zhǎng)約15.8%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機(jī)備貨潮,雖然Note 7后來于第四
- 關(guān)鍵字: DRAM 南亞科
DRAM戰(zhàn)國(guó)時(shí)代 長(zhǎng)江存儲(chǔ)、聯(lián)電、合肥長(zhǎng)芯三大勢(shì)力將對(duì)決
- 近期大陸三股勢(shì)力正如火如荼點(diǎn)燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn),長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳已評(píng)估到南京設(shè)立12寸廠,聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計(jì)劃2018年量產(chǎn),并在南科廠同步研發(fā)25、30nm制程,至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作的合肥長(zhǎng)芯,由前中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)王寧國(guó)操刀,大陸這三股DRAM勢(shì)力將決戰(zhàn)2018年,搶當(dāng)大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。 盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現(xiàn),長(zhǎng)江存儲(chǔ)將與已并購(gòu)飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作,切入32層和64層3D NAND技術(shù),由
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SK海力士:10納米級(jí)DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品,2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級(jí)DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash,持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長(zhǎng)金進(jìn)國(guó)(音譯)表示,IT產(chǎn)業(yè)對(duì)大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增,2016年以來市場(chǎng)需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4,公司
- 關(guān)鍵字: SK海力士 DRAM
SK海力士:10納米級(jí)DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品,2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級(jí)DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash,持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長(zhǎng)金進(jìn)國(guó)(音譯)表示,IT產(chǎn)業(yè)對(duì)大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增,2016年以來市場(chǎng)需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4,公司
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賽普拉斯率先推出采用低引腳數(shù)MCP封裝的串行存儲(chǔ)器解決方案,實(shí)現(xiàn)汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的瞬時(shí)啟動(dòng)
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布其一款用于支持瞬時(shí)啟動(dòng)應(yīng)用的全新小尺寸存儲(chǔ)器解決方案已驗(yàn)證成功。賽普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封裝(MCP)解決方案在8mm x 6mm的空間內(nèi)集成了賽普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存儲(chǔ)器。該方案在一個(gè)低引腳數(shù)封裝內(nèi)結(jié)合了用于實(shí)現(xiàn)快速啟動(dòng)和隨開隨用高速NOR閃存,和用于擴(kuò)展便箋式存儲(chǔ)器的自刷新DRAM ,特別適合空間受限和成本優(yōu)化的嵌入式 設(shè)計(jì)。 該解決方案可用于廣泛的應(yīng)用類別,包括
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三星2Q'17起或?qū)⑷娌?0納米制程生產(chǎn)移動(dòng)DRAM
- 三星電子(Samsung Electronics)被預(yù)估自2017年第2季開始,將全面采用20納米或以下的制程技術(shù)生產(chǎn)所有移動(dòng)DRAM產(chǎn)品,意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術(shù)生產(chǎn)移動(dòng)DRAM芯片,由此顯示出三星在制程技術(shù)上的加速演進(jìn)。 韓聯(lián)社等外媒報(bào)導(dǎo),根據(jù)市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange指出,據(jù)信在2016年第4季三星生產(chǎn)的移動(dòng)DRAM芯片中,約94%已開始采用20納米或以下納米制程技術(shù)生產(chǎn)。 到目前三星移動(dòng)DRAM芯片采20納米制程生產(chǎn)比重為82%、18納米為
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TrendForce:十月DRAM價(jià)格月漲逾20%,4GB模組均價(jià)來到17.5美元
- TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示,DRAM原廠與一線的PC-OEM(代工)大廠敲定第四季度的合約價(jià)格,4GB模組均價(jià)來到17.5美元,較上月的14.5美元上漲逾20%;現(xiàn)貨市場(chǎng)也依然維持強(qiáng)勁的上升格局,DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來到2.46/2.48美元,較上月同期比較已上漲17%與24%,顯見市場(chǎng)對(duì)于后市上漲仍將持續(xù)保持樂觀的態(tài)度。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,觀察市場(chǎng)面,由于原廠產(chǎn)能陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)行動(dòng)式內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存后,
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韓國(guó)成立半導(dǎo)體希望基金鎖定存儲(chǔ)器研發(fā)
- 南韓沖刺半導(dǎo)體業(yè)組成國(guó)家隊(duì),由當(dāng)?shù)厍皟纱髲S三星電子和SK海力士領(lǐng)軍,籌組總規(guī)模2,000億韓元的“半導(dǎo)體希望基金”,投資具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體相關(guān)企業(yè)。 三星、SK海力士是全球前兩大存儲(chǔ)器芯片商,單是DRAM領(lǐng)域,兩大廠市占率總和超過七成,具有絕對(duì)制價(jià)與技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),兩大廠領(lǐng)軍籌組南韓“半導(dǎo)體希望基金”,預(yù)料以存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)務(wù)為優(yōu)先,臺(tái)灣南亞科、華邦電等存儲(chǔ)器芯片廠,以及正在興起的大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè),短線將面臨更大壓力。 業(yè)界人士分析,此次南韓的&ld
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傳三星 DRAM 明年邁 15 納米
- 三星電子智能手機(jī)吃悶棍,力拼內(nèi)存事業(yè)救業(yè)績(jī)!據(jù)傳三星為了穩(wěn)固龍頭地位,將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM,對(duì)手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后,技術(shù)差距約為一年半。 BusinessKorea 31 日?qǐng)?bào)導(dǎo),半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)透露,三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn) 18 納米制程 DRAM,準(zhǔn)備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM。同時(shí),該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重,目標(biāo)明年下半提高至 30~40%。相關(guān)人士說,明年三星 10 納
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AT&T收購(gòu)時(shí)代華納后下一個(gè)業(yè)界目標(biāo):T-mobile
- 分析師預(yù)計(jì),在美國(guó)電信巨頭AT&T達(dá)成協(xié)議收購(gòu)時(shí)代華納后,美國(guó)另一大電信運(yùn)營(yíng)商T-mobile最有可能成為業(yè)界收購(gòu)目標(biāo)。 當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周一,T-Mobile交出靚麗的三季度財(cái)報(bào):當(dāng)季0.27美元的每股收益和92億美元的營(yíng)業(yè)收入均超出分析師預(yù)期,而且當(dāng)季凈增加200萬客戶,連續(xù)第14個(gè)季度凈增100萬以上客戶。T-Mobile自稱是美國(guó)增長(zhǎng)最快的無線通信運(yùn)營(yíng)商。 分析師認(rèn)為,T-mobile已經(jīng)在搶占AT&T和Verizon的市場(chǎng)份額,這種勢(shì)頭預(yù)計(jì)會(huì)持續(xù)。T-mobile三季度
- 關(guān)鍵字: AT&T T-mobile
手機(jī)DRAM有漏洞,黑客可竊取手機(jī)最高權(quán)限
- 阿姆斯特丹自由大學(xué)(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全實(shí)驗(yàn)室VUSec Lab本周揭露了一個(gè)可能影響所有智能手機(jī)的安全漏洞,此一漏洞并非存在于移動(dòng)平臺(tái)或程式上,而是藏匿在手機(jī)所使用的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)中,將允許駭客取得手機(jī)的最高權(quán)限。雖然研究人員是以Android手機(jī)進(jìn)行測(cè)試,但理論上該漏洞也會(huì)影響iPhone或基于其他平臺(tái)的手機(jī)。 研究人員利用的是已知的Rowhammer硬體漏洞,并打造Drammer軟體來執(zhí)行攻擊,發(fā)現(xiàn)包括LG、Motorola、
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存儲(chǔ)器價(jià)格回溫 2016年IC市場(chǎng)可望成長(zhǎng)1%
- 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告將對(duì)2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收的成長(zhǎng)率預(yù)測(cè),由原先的-2%提升為1%;此外該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),2016年全球IC出貨量成長(zhǎng)率將在4~6%之間。IC Insights調(diào)升半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)率的很大一部分原因,來自于DRAM市場(chǎng)的強(qiáng)勁表現(xiàn)。 IC Insights指出,自2002年以來,全球IC市場(chǎng)在第三季平均季成長(zhǎng)率為8%,但去年第三季市場(chǎng)成長(zhǎng)率僅成長(zhǎng)約1%左右;2016年第三季的IC市場(chǎng)成長(zhǎng)率則出現(xiàn)了略為高于過去十五年平均值的9%。此外該機(jī)構(gòu)預(yù)期,2016年第四
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM
SMIC擴(kuò)產(chǎn)利好,DRAM推高2016半導(dǎo)體增長(zhǎng)預(yù)測(cè)
- 據(jù)ICInsight的最新預(yù)測(cè),2016年全球半導(dǎo)體業(yè)的增長(zhǎng)率將是1%,之前的預(yù)測(cè)為下降2%。它的最新預(yù)測(cè)為2016年增長(zhǎng)1%,及2017年增長(zhǎng)4%,而2016年IC unit(出貨量)由之前預(yù)測(cè)增加4%,上升至6%。 IC Insight修正預(yù)測(cè)的原因是DRAM的價(jià)格將止跌回升。如DDR3 4Gb的價(jià)格由2014.10月的32.75美元,下降到2016.6月的12.5美元,幅度達(dá)62%。如今由于智能手機(jī)及PC對(duì)于DRAM的容量需求上升,導(dǎo)致市場(chǎng)缺貨,價(jià)格止跌回升。三星等又重新開始擴(kuò)大投資,增加
- 關(guān)鍵字: SMIC DRAM
手機(jī)DRAM將增至8GB!三星供貨、料用于明年S8
- 行動(dòng)裝置的記憶體不斷擴(kuò)大!三星電子宣布,智慧機(jī)將進(jìn)入8GB DRAM年代,該公司已經(jīng)開始生產(chǎn),外界預(yù)料將用于明年初問世的Galaxy S8。 韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo),三星電子20日發(fā)布業(yè)界首見的8GB行動(dòng)DRAM。新晶片采用10 奈米制程,由四個(gè)16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執(zhí)行副總Joo Sun Choi表示,8GB行動(dòng)DRAM的到來,可讓次世代旗艦機(jī)的功能更上一層樓。 目前智慧機(jī)行動(dòng)DRAM最大為6GB,記憶體加大可滿足雙鏡頭、4K螢?zāi)?、虛擬實(shí)境(VR)等的需求。三星并宣稱,新品效能與當(dāng)前
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
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