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SK海力士:10納米級DRAM估2017年上半投產

作者: 時間:2016-11-09 來源:Digitimes 收藏

  據韓國經濟報導,(SK Hynix)以21納米制程生產的為目前獲利性高的主力產品,2016年底生產比重將達全部的40%;10納米級規(guī)劃在2017年上半投產。NAND Flash領域將目標訂在2017年下半投產72層3D NAND Flash,持續(xù)擴大3D NAND的生產比重。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201611/339917.htm

  DRAM技術本部長金進國(音譯)表示,IT產業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增,2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉移到DDR4、LPDDR4,公司以21納米技術量產的DRAM恰好能滿足市場需求變化。

  金進國進一步表示,啟動21納米DRAM量產的時間比競爭同業(yè)略晚,但由于啟用新制程會帶來許多不確定性,因此不得不謹慎看待。經由反覆測試所累積的經驗也可視為公司的無形資產,有助于從事更先進制程研發(fā)。目前預估2016年底可完成10納米級DRAM研發(fā),計劃在2017年上半投產。

  SK海力士NAND研發(fā)本部3D技術負責人金基碩(音譯)表示,NAND Flash市場的成長速度比DRAM市場還快,2016年第3季NAND Flash事業(yè)成功取得盈余,若持續(xù)提高3D NAND Flash的產品競爭力,未來應可穩(wěn)定維持獲利。

  金基碩表示,截至第3季為止3D NAND Flash在整體NAND Flash的生產比重還不到10%,公司計劃在維持2D產品的獲利性下,同時提高3D產品的生產比重,目標2016年底前提升到15%左右。2017年上半應可完成72層3D NAND Flash研發(fā),若順利在2017年下半投產,3D產品的生產比重可更進一步擴大。



關鍵詞: SK海力士 DRAM

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