SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)

　　據(jù)韓國經(jīng)濟報導，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領域?qū)⒛繕擞喸?017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。

　　SK海力士DRAM技術本部長金進國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司以21納米技術量產(chǎn)的DRAM恰好能滿足市場需求變化。

　　金進國進一步表示，SK海力士啟動21納米DRAM量產(chǎn)的時間比競爭同業(yè)略晚，但由于啟用新制程會帶來許多不確定性，因此不得不謹慎看待。經(jīng)由反覆測試所累積的經(jīng)驗也可視為公司的無形資產(chǎn)，有助于從事更先進制程研發(fā)。目前預估2016年底可完成10納米級DRAM研發(fā)，計劃在2017年上半投產(chǎn)。

　　SK海力士NAND研發(fā)本部3D技術負責人金基碩(音譯)表示，NAND Flash市場的成長速度比DRAM市場還快，2016年第3季NAND Flash事業(yè)成功取得盈余，若持續(xù)提高3D NAND Flash的產(chǎn)品競爭力，未來應可穩(wěn)定維持獲利。

　　金基碩表示，截至第3季為止3D NAND Flash在整體NAND Flash的生產(chǎn)比重還不到10%，公司計劃在維持2D產(chǎn)品的獲利性下，同時提高3D產(chǎn)品的生產(chǎn)比重，目標2016年底前提升到15%左右。2017年上半應可完成72層3D NAND Flash研發(fā)，若順利在2017年下半投產(chǎn)，3D產(chǎn)品的生產(chǎn)比重可更進一步擴大。