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從4004到core i7——處理器的進化史-CPU構成零件-1

  • 在下面的兩個帖子當中，我將簡短地介紹構成CPU的零件，一種晶體管。我將展示如何完成最簡單的設計，這相當于IC設計中的Hello world，并且略微提到Hello world的幾種變體。
  • 關鍵字： CPU  IC設計  單晶硅  MOS  硅  

研究人員以硼/氮共摻雜實現(xiàn)石墨烯能隙

  • 　　韓國蔚山科技大學(UNIST)的研究人員們宣稱開發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法，從而可實現(xiàn)基于石墨烯的場效電晶體(FET)制造與設計。 　　由Jong-BeomBaek主導的研究團隊們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡單溶劑熱反應，大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。 　　石墨烯自2004年經(jīng)由實驗發(fā)現(xiàn)后，已經(jīng)開發(fā)出各種方法來制造基于石墨烯的FET，包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶，以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
  • 關鍵字： 石墨烯  FET  

汽車啟動/停止系統(tǒng)電源方案

  • 為了限制油耗，一些汽車制造商在其新一代車型中應用了“啟動/停止”(Start/Stop)功能。當汽車停下來時，這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關閉發(fā)動機;而當駕駛人的腳從剎車踏板移向油門踏板時，就自動重新啟動發(fā)動機。這就幫助降低市區(qū)駕車及停停走走式的交通繁忙期時的油耗。
  • 關鍵字： MOSFET  二極管  PCB  穩(wěn)壓器  P-FET  

如何針對反向轉(zhuǎn)換器的FET關斷電壓而進行緩沖

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： 反向轉(zhuǎn)換器  FET  關斷電壓  緩沖  漏極電感  

經(jīng)典FET輸入甲類前級

  • 經(jīng)典FET輸入甲類前級本電路是參照《無線電與電視》雜志2000第一期的《電池供電高級純A類分立件前級放大 ...
  • 關鍵字： FET  甲類前級  

車載筆記本電源的設計制作

  • 此電源有兩種，輸入電壓不同分為12V和24V兩種，輸出電壓均為19V。一、12V轉(zhuǎn)19V電路電路如上圖，此電路屬升壓型...
  • 關鍵字： 車載筆記本  MOS  IC器件  

eGaN FET與硅功率器件比拼之六：隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器

  • 隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡設備供電，這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標準尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
  • 關鍵字： eGaN  FET  硅功率器  轉(zhuǎn)換器  

正確的同步降壓FET時序設計

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關期間，存在兩個過渡階...
  • 關鍵字： 同步降壓  FET  時序設計  

SJ-MOS與VDMOS動態(tài)性能比較

  • 引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導體物理學界提出的一種新型MOS結構，稱為...
  • 關鍵字： SJ-MOS  VDMOS  

電源設計小貼士46：正確地同步降壓FET時序

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關期間，存在兩個過渡階段：低...
  • 關鍵字： FET    MOSFET    電源設計小貼士    德州儀器  

電源設計：正確地同步降壓 FET 時序

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關期間，存在兩個過渡階段：低...
  • 關鍵字： 電源設計  同步降壓  FET  時序  

X-FAB發(fā)表XT018獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

  • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量，也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
  • 關鍵字： X-FAB  XT018  MOS  

德州儀器推出最靈活PFET高側負載開關

  • 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側負載開關。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業(yè)界最寬泛電源電壓支持，是分立式 FET 開關的最靈活替代產(chǎn)品。
  • 關鍵字： TI  TPS27081A  FET  

將光電FET光耦用作一個線性壓控電位器

  • 光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性，可以采用一
  • 關鍵字： FET  光電  電位器  光耦    

基于優(yōu)化變換器的FET開關來改善能量效率

  • 　在計算和消費電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設計人員開始認識到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進。　　AC/DC平均系統(tǒng)
  • 關鍵字： 改善  能量  效率  開關  FET  優(yōu)化  變換器  基于  
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