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Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應(yīng)用

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導體解決方案供應(yīng)商Fairchild 正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產(chǎn)品系列幫助生產(chǎn)商提高產(chǎn)品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業(yè)內(nèi)標準值的MOSFET高三倍。 　　這一新的ET MOSFET產(chǎn)品系列符合IPC-9592電源轉(zhuǎn)換標準，換言之，其最大結(jié)溫可高達150° C，超過標準150° C MOSFET能達到的125° C，使更大的設(shè)計裕量成
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Fairchild 的 800V SuperFET II MOSFET 系列提供最低的導通電阻和多種可選封裝

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能功率半導體解決方案供應(yīng)商Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設(shè)計師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性，同時通過減少元件的使用從而減少這些設(shè)計的電路板空間。 　　800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和熱特性，使其成為各種應(yīng)用的理想之選
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一種軟啟動與防反接保護電路

  • 　　摘要：在很多消費電子設(shè)備中用到了軟啟動電路與防反接電路，其保護作用非常顯著。多數(shù)的設(shè)計中，這兩種電路獨立存在，或者僅有一種保護電路，導致部分保護功能缺失或者電路設(shè)計復(fù)雜。本設(shè)計提出一種設(shè)計方法，同時實現(xiàn)軟啟動與防反接保護功能，且電路簡單。 　　軟啟動與防反接保護電路對電子設(shè)備有很好的保護作用，由于消費電子客戶存在多次開關(guān)機的應(yīng)用場景和輸入接反的可能性。但是由于成本與電路設(shè)計的復(fù)雜性，很多設(shè)計中只提供了一種保護電路。本文基于提供全面保護與降低成本、降低設(shè)計復(fù)雜性的角度，提出一種電路，整合了軟啟動與防反
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一種高性能可智能控制型LED路燈驅(qū)動電源的設(shè)計

  • 　　摘要：本文針對傳統(tǒng)驅(qū)動電源電能損耗大、效率和智能化程度低的缺點，設(shè)計了一款適用于大功率LED路燈的高性能可智能控制型驅(qū)動電源。本文選擇了多級驅(qū)動方案，即功率因數(shù)校正(PFC)電路、LLC諧振控制電路和多路恒流輸出的三級式結(jié)構(gòu)。本文采用合理的設(shè)計，優(yōu)化了功率校正因數(shù)，增大了輸入電壓范圍，提高了整機效率，使輸出電流在全負載范圍內(nèi)更加穩(wěn)定，同時增加了PWM調(diào)光控制功能，可根據(jù)外界環(huán)境的變化智能控制LED路燈的亮度，從而達到進一步節(jié)能減排的效果。 　　引言 　　由于具有高光效、長壽命、燈具效率高、環(huán)保和易
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意法半導體(ST)擴大碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，為更多應(yīng)用帶來寬帶隙技術(shù)優(yōu)勢

  • 　　意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節(jié)能應(yīng)用帶來技術(shù)優(yōu)勢，包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風力發(fā)電、高能效驅(qū)動器、電源以及智能電網(wǎng)設(shè)備。 　　意法半導體是業(yè)界少數(shù)具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導體研發(fā)的領(lǐng)導廠商之一，并始終致力于技術(shù)的研發(fā)與升級。這次推出的1200V SCT20N120進一步擴大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列，具有小于290m?的通態(tài)電阻 (RDS(ON
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LED驅(qū)動設(shè)計的5大關(guān)鍵

  • 　　要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術(shù)性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場營銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅(qū)動設(shè)計的心得。 　　一、不要使用雙極型功率器件 　　DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一個，所以一些設(shè)計師為了降低LED驅(qū)動成本而使用雙極型功率器件，這樣會嚴重影響電路的可靠性，因為隨著LED驅(qū)動電路板溫度的提升，雙極型器件的有效工作范圍會迅速縮小，這樣會導致器件在溫度
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Diodes芯片級雙向MOSFET節(jié)省空間 有效提高鋰電池容量

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護。DMN2023UCB4的低導通電阻可降低功耗，纖薄的芯片級封裝則使設(shè)計人員能夠利用省下來的空間來提高電池容量。新產(chǎn)品的目標終端市場包括智能手機、平板電腦、照相機、便攜式媒體播放器，以及對其尺寸丶重量和電池壽命都至關(guān)重要的同類型消費性產(chǎn)品。 　　DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ，旨在以最低的導通電阻來減低功耗。此外，其雙N通
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哪一個更簡單，選擇熱插拔控制器，還是功率MOSFET？

  • 　　我曾經(jīng)遇到過節(jié)假日有客人上門，必須跑到商店，在關(guān)門前挑選幾件物品的情況。我當時就意識到“跑”這個單詞會有多少種意思呢。我聽說單單作為動詞，他就有645個意思，并且還在不斷增加!表面上看起來很簡單的事情實際上會很復(fù)雜。想一想，功率MOSFET只有三個引腳(柵極、源極、漏極)。長假過后，當回到辦公室開始設(shè)計全新的電源管理熱插拔應(yīng)用時，我想到看起來簡單的功率MOSFET會有多么復(fù)雜，還有就是在為熱插拔應(yīng)用和功率轉(zhuǎn)換分別選擇一款MOSFET時會有什么不同。 　　熱插拔電路使用一個功率
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德州儀器推出NexFET? N溝道功率MOSFET 可實現(xiàn)業(yè)界最低電阻

  • 　　日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。此外，TI面向低電壓電池供電型應(yīng)用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實現(xiàn)了比同類競爭器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設(shè)計，敬請訪問：www.ti.co
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Diodes全新MOSFET柵極驅(qū)動器提升轉(zhuǎn)換效率

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對1A額定值的40V緊湊型柵極驅(qū)動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式電源以及電機驅(qū)動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封裝) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封裝) 可縮減MOSFET的開關(guān)時間，有助于盡量降低開關(guān)損耗、改善功率密度，以及提升整體轉(zhuǎn)換效率。 　　新驅(qū)動器作為低功率控制IC的高增益緩沖級，能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅(qū)動電流
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Exar推出通用PMIC輸入電壓高達40V,適合任何FPGA，SoC或DSP

  • 　　領(lǐng)先的高性能集成電路和系統(tǒng)解決方案提供商Exar公司，即日宣布發(fā)布一款6V至40V的工作電壓范圍，四路輸出可編程通用PMIC-XR77129。其專利性的控制架構(gòu)，采用17-bit寬PID電壓型輸入前饋方式，非常適合40V輸入電壓范圍。該控制器提供單輸入電壓，四路輸出電壓軌，降壓式控制器內(nèi)部集成MOSFET門極驅(qū)動和雙LDO輸出該產(chǎn)品還可以通過I2C總線實時監(jiān)測電源狀態(tài)，動態(tài)控制輸出電壓參數(shù)。五個可配置GPIO可以用于狀態(tài)指示和時序控制，以加速電源系統(tǒng)設(shè)計。 　　XRP77129使用Exar設(shè)計工具P
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LED襯底第三代半導體SiC技術(shù)的崛起

  • 　　第一代半導體材料Si點燃了信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產(chǎn)業(yè)群，促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生，95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。 　　   　　目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉(zhuǎn)換最大耗散是半導體功率器件。曾經(jīng)的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發(fā)展的材料極限，難以滿足當今社會發(fā)展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型
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封裝寄生電感是否會影響MOSFET性能？

  • 　　I.引言 　　高效率已成為開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計的必需要求。為了達成這一要求，越來越多許多功率半導體研究人員開發(fā)了快速開關(guān)器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實現(xiàn)低導通電阻，以降低開關(guān)損耗和導通損耗。這些快速開關(guān)器件容易觸發(fā)開關(guān)瞬態(tài)過沖。這對SMPS設(shè)計中電路板布局帶來了困難，并且容易引起了柵極信號振蕩。為了克服開關(guān)瞬態(tài)過沖，設(shè)計人員通常采取的做法是借助緩沖電路提高柵極電阻阻值，以減慢器件開關(guān)速度，抑制過沖，但這會造成相對較高的開關(guān)損耗。對于采用標準通孔封裝的快速開關(guān)器件，總是存在效率與易用性的
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Diodes OR'ing控制器提升不間斷電源可靠性

  • 　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V額定值的動態(tài)OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升電信系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心及服務(wù)器不間斷電源的可靠性。新產(chǎn)品旨在全面改善超低導通電阻功率MOSFET，從而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻斷二極管，有效降低工作溫度并加強不間斷電源系統(tǒng)的完整性。 　　新控制器通過以這種方式驅(qū)動MOSFET，同時提升標準12V和24V共軌系統(tǒng)的整體系統(tǒng)效率。與其它同類型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的關(guān)斷電壓閾值。器件的電壓少于-
  • 關(guān)鍵字： Diodes  MOSFET  ZXGD3108N8  
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