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IR的電池保護(hù)MOSFET系列為移動應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。　　　　全新功率MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻，可大幅減少導(dǎo)通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅(qū)動從12 Vgs起，非常適合包含了兩個串聯(lián)電池的電池保護(hù)電路。IRL6297SD
關(guān)鍵字： IR MOSFET IRL6297SD

意法半導(dǎo)體(ST)的新650V超結(jié)MOSFET提升能效和安全系數(shù)

　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)的最新超結(jié) (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統(tǒng)以及太陽能微逆變器廠商對電源能效的要求，同時提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。　　MDmesh M2系列產(chǎn)品擁有最新最先進(jìn)的超結(jié)晶體管技術(shù)，取得了比上一代產(chǎn)品更低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，以及更低的柵電荷量 (QGD) 和輸入/輸出電容 (Ciss/Coss)。此外，這些產(chǎn)品更進(jìn)一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation)
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET PowerFLAT

意法半導(dǎo)體(ST)慶祝羅塞塔號彗星探測器成功登陸彗星

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)慶祝羅塞塔號彗星探測器(Rosetta)及其菲萊號登陸器(Philae)成功登陸彗星。羅塞塔號和菲萊號內(nèi)有10,000余顆意法半導(dǎo)體研制的高可靠性抗輻射芯片。　　在歷經(jīng)10多年，長達(dá)60億公里的漫長太空之旅后，羅塞塔號彗星探測器終于抵達(dá)并成功釋放菲萊號登陸器登上67P/楚留莫夫-格拉希門克(67P Churyumov-Gerasimenko)彗星，菲萊號登陸器將完成拍攝彗星表面的圖片，并分析彗星
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET

單相正弦波逆變電源

　　摘要：本系統(tǒng)實現(xiàn)輸入直流電壓15V，輸出交流電壓有效值10V，額定功率10W，交流電壓頻率在20至100Hz可步進(jìn)調(diào)整。以MSP430單片機為控制核心，產(chǎn)生SPWM波控制全橋電路，然后經(jīng)過LC濾波電路得到失真度小于0.5%的正弦波。采用PID算法反饋控制使輸出交流電壓負(fù)載調(diào)整率低于1%，采用開關(guān)電源作為輔助電源、合理選用MOSFET等使系統(tǒng)效率達(dá)到90%，采用輸入電流前饋法來估計輸出電流以實現(xiàn)過流保護(hù)以及自恢復(fù)功能。　　引言　　本次競賽為全封閉式，不準(zhǔn)利用網(wǎng)上資源，要求參賽隊在兩天時間內(nèi)完成題
關(guān)鍵字：正弦波 MSP430 單片機 SPWM MOSFET 201412

基于FAN7710V的新型高性能節(jié)能燈鎮(zhèn)流器電路設(shè)計

　　引言　　在照明技術(shù)中，電子節(jié)能燈已經(jīng)日益成為人們的首選，因為其應(yīng)用范圍廣，節(jié)能環(huán)保性能好，是政府和企業(yè)節(jié)能減排的重要舉措之一。在近幾年中，我國為了推廣電子節(jié)能燈的應(yīng)用，采取了財政補貼政策，就像家電下鄉(xiāng)一樣，惠及全國百姓和消費者。　　所謂電子節(jié)能燈，主要是指采用電子鎮(zhèn)流器的緊湊型熒光燈(CFL)。鎮(zhèn)流器和節(jié)能燈是一體化的，安裝和更換像白熾燈燈泡一樣方便。電子節(jié)能燈對鎮(zhèn)流器的基本要求是：電路盡可能簡單，元件數(shù)量少，成本低，性能穩(wěn)定，安全可靠，使用壽命長。本文以飛兆半導(dǎo)體推出的FAN7710V新型鎮(zhèn)
關(guān)鍵字： FAN7710V 電子鎮(zhèn)流器 MOSFET

大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計

　　大功率寬頻帶線性射頻放大器模塊廣泛應(yīng)用于電子對抗、雷達(dá)、探測等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著現(xiàn)代無線通訊技術(shù)的發(fā)展，寬頻帶大功率技術(shù)、寬頻帶跳頻、擴頻技術(shù)對固態(tài)線性功率放大器設(shè)計提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設(shè)備模塊化。　　通常情況下，在HF~VHF頻段設(shè)計的寬帶射頻功放，采用場效應(yīng)管(FET)設(shè)計要比使用常規(guī)功率晶體管設(shè)計方便簡單，正是基于場效應(yīng)管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏
關(guān)鍵字：功率放大器 MOSFET

同步整流技術(shù)DC-DC模塊電源

　　1、概述　　　　2、基本同步整流電路　　如圖1所示電路，其副邊為基本同步整流電路，關(guān)鍵波形見圖2。當(dāng)原邊主開關(guān)管Q1開通時，通過變壓器T1向副邊傳輸能量，副邊工作在整流狀態(tài)，此時SR1的Vgs電壓為變壓器副邊繞組電壓，極性為正，SR2的Vgs電壓為零，因而SR1導(dǎo)通，SR2關(guān)斷;當(dāng)原邊主開關(guān)管Q1關(guān)斷時，變壓器T1原邊繞組的勵磁電流和負(fù)載電流流經(jīng)C1，C1上的電壓開始上升，當(dāng)C1電壓升至Vin時，原邊繞組中的負(fù)載電流下降為0，在勵磁電流的作用下原邊勵磁電感Lm與電容
關(guān)鍵字： DC-DC 整流 MOSFET

你造嗎？四大MOSFET實用技巧

　　MOSFET是一個時代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進(jìn)展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點,已經(jīng)成為工程師們的首選。　　在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個關(guān)于MOSFET的技巧的幾個實用技巧的事情。　　為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道
關(guān)鍵字： MOSFET MOS

英飛凌推出基于ARM內(nèi)核的嵌入式功率系列 (Embedded Power IC)，以用于汽車應(yīng)用的智能電機控制

　　英飛凌科技股份有限公司今日宣布，基于ARM®內(nèi)核的嵌入式功率系列橋式驅(qū)動器提供無以倫比的集成水平，以應(yīng)對智能電機控制在廣泛的汽車應(yīng)用中日益增長的趨勢。英飛凌利用ARM® Cortex™-M3處理器以及非易失存儲器、模擬和混合信號外設(shè)、通信接口連同 MOSFET 柵極驅(qū)動器，將高性能微控制器集成到單芯片上，可謂業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。因此，英飛凌嵌入式功率系列為通常與16 位相關(guān)的應(yīng)用空間實現(xiàn)了 32 位的性能。目前提供的嵌入式功率系列第一批產(chǎn)品的樣品適用于采用三相(無刷直流)電機的TL
關(guān)鍵字：英飛凌 ARM MOSFET

IR針對工業(yè)應(yīng)用擴充StrongIRFET系列新推出具有超低導(dǎo)通電阻的表面貼裝75V MOSFET

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出75V器件以擴充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅(qū)動器、鋰離子電池組保護(hù)、熱插拔及開關(guān)電源 (SMPS) 二次側(cè)同步整流等應(yīng)用。　　全新75V StrongIRFET功率MOSFET系列配備可提升低頻率應(yīng)用性能的超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on))、極高的載流能力、軟體二極管，以及有助于提高抗噪性的3
關(guān)鍵字：國際整流器 MOSFET IRFS7730-7P

高效高可靠性LED驅(qū)動設(shè)計心得技巧分享

　　近日，LED驅(qū)動電路設(shè)計方面的資深達(dá)人DougBailey總結(jié)了設(shè)計工作中需要注意的問題和親身設(shè)計心得，為大家分享總結(jié)如下：　　一、不要使用雙極型功率器件　　DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一個，所以一些設(shè)計師為了降低LED驅(qū)動成本而使用雙極型功率器件，這樣會嚴(yán)重影響電路的可靠性，因為隨著LED驅(qū)動電路板溫度的提升，雙極型器件的有效工作范圍會迅速縮小，這樣會導(dǎo)致器件在溫度上升時故障從而影響LED燈具的可靠性，正確的做法是要選用MOSFET器件，MO
關(guān)鍵字： LED MOSFET PFC

華虹擁先進(jìn)Super Junction工藝平臺，提供更低耗、更高效、更小巧綠色芯制造平臺

　　(「華虹」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團(tuán)」) 擁有業(yè)界一流的的溝槽型600V-700V Super Junction (超級結(jié)結(jié)構(gòu)) MOSFET (SJNFET) 工藝平臺，可為日益增長的移動終端、4G網(wǎng)絡(luò)、云計算和LED照明等熱點應(yīng)用，提供更低功耗，更高效率，更小尺寸的綠色芯制造平臺。　　隨著移動互聯(lián)網(wǎng)、綠色能源技術(shù)的發(fā)展，以及全球節(jié)能減排的趨勢，產(chǎn)品應(yīng)用對電源系統(tǒng)提出更高的效率要求。作為開關(guān)電源，充電器/適配器，不間斷電源和LED驅(qū)動等電源系統(tǒng)整流的核心器件，功率半導(dǎo)體是降低功耗、提
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基于功率MOSFET的鋰電池保護(hù)電路設(shè)計

　　鉛酸電池具有安全、便宜、易維護(hù)的特點，因此目前仍然廣泛的應(yīng)用于電動自行車。但是鉛酸電池污染大、笨重、循環(huán)次數(shù)少，隨著世界各國對環(huán)保要求越來越高，鉛酸電池的使用會越來越受到限制。磷酸鐵鋰電池作為一種新型的環(huán)保電池，開始逐步的應(yīng)用到電動車中，并且將成為發(fā)展趨勢。通常，由于磷酸鐵鋰電池的特性，在應(yīng)用中需要對其充放電過程進(jìn)行保護(hù)，以免過充過放或過熱，以保證電池安全的工作。短路保護(hù)是放電過程中一種極端惡劣的工作條件，本文將介紹功率MOSFET在這種工作狀態(tài)的特點，以及如何選取功率MOSFET型號和設(shè)計合適的驅(qū)動
關(guān)鍵字： MOSFET 鋰電池 MOSFET

麥瑞半導(dǎo)體推出新型 85V 全橋 MOSFET 驅(qū)動器

　　麥瑞半導(dǎo)體公司(Micrel, Inc.) 推出一款 85V 全橋MOSFET驅(qū)動器MIC4606，該驅(qū)動器具有自適應(yīng)停滯時間和擊穿保護(hù)功能。這款元件是麥瑞半導(dǎo)體最初于2013年推出的極其成功的85V MOSFET驅(qū)動器系列的成員，專注于滿足多種應(yīng)用不斷增長的電力需求。85V MIC4606系列是麥瑞半導(dǎo)體為滿足電池供電的工具、不間斷電源、無線電控制的玩具和不斷增長的無人機市場的需求而實施的策略的一部分。　　麥瑞半導(dǎo)體高性能線性和電源解決方案部門營銷副總裁 Brian Hedayati 表示：&l
關(guān)鍵字：麥瑞驅(qū)動器 MOSFET MIC4606 201410

IR推出車用40V 5x6mm雙PQFN COOLiRFET? 為小功率電機提供基準(zhǔn)性能

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出兩款40V車用COOLiRFET™ 功率MOSFET 產(chǎn)品——AUIRFN8459和AUIRFN8458，為需要小體積、大電流的汽車應(yīng)用，比如泵電機控制、車身控制等提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻(Rds(on))。　　在采用IR最先進(jìn)的COOLiRFET™ 40
關(guān)鍵字：國際整流器 COOLiRFET MOSFET

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]