IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

如圖所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。P+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極（即集電極C）。

IGBT的開關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來(lái)為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對(duì)N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。



驗(yàn)證碼：

42# EEPW網(wǎng)友 說(shuō)：2018-09-26 16:40
真牛逼
41# EEPW網(wǎng)友 說(shuō)：2017-04-04 22:02
一般的igbt的開通和關(guān)斷時(shí)間是多長(zhǎng)呢
40# 廣州華工科技 說(shuō)：2016-10-21 16:38
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39# EEPW網(wǎng)友 說(shuō)：2016-07-13 14:15
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38# EEPW網(wǎng)友 說(shuō)：2016-07-13 14:12
贊
37# EEPW網(wǎng)友 說(shuō)：2016-07-13 14:12
是大幅度發(fā)
36# EEPW網(wǎng)友 說(shuō)：2016-07-13 14:08
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35# EEPW網(wǎng)友 說(shuō)：2016-07-13 14:08
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34# EEPW網(wǎng)友 說(shuō)：2016-07-13 14:08
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33# EEPW網(wǎng)友 說(shuō)：2015-12-23 14:50
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32# EEPW網(wǎng)友 說(shuō)：2014-09-03 17:43
請(qǐng)問(wèn)汽車級(jí)IGBT國(guó)際知名生產(chǎn)企業(yè)都有哪些？有知道的麻煩給說(shuō)一下，謝謝！
31# 云端 說(shuō)：2014-07-21 06:57
IGBT 管的好壞可以用萬(wàn)用表來(lái)測(cè)量嗎？
30# soothmusic 說(shuō)：2014-07-20 06:13
回答29# wyf86：
這個(gè)問(wèn)題很難回答，有的30年以上
29# wyf86 說(shuō)：2014-07-19 22:20
IGBT的壽命一般多長(zhǎng)？
28# EEPW521 說(shuō)：2014-06-20 07:06
回答27# eepwlover：
是的，設(shè)計(jì)的時(shí)候多注意。
27# eepwlover 說(shuō)：2014-06-19 22:23
變頻器工作時(shí)，IGBT的開關(guān)動(dòng)作會(huì)產(chǎn)生高頻干擾信號(hào)?
26# EEPW521 說(shuō)：2014-06-18 22:10
回答25# eepwlover：
新能源汽車
25# eepwlover 說(shuō)：2014-06-17 21:37
大功率IGBT的主要驅(qū)動(dòng)力是什么？
24# 活詞典 說(shuō)：2014-05-19 21:39
當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對(duì)N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。
23# EEPW網(wǎng)友 說(shuō)：2014-04-21 16:08
基于icepak的igbt溫度場(chǎng)仿真應(yīng)該采用哪種igbt？
22# wyf86 說(shuō)：2014-04-15 22:43
回答21# soothmusic：
通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來(lái)為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通
21# soothmusic 說(shuō)：2014-04-14 22:36
IGBT的開關(guān)作用是什么
20# EEPW網(wǎng)友 說(shuō)：2014-04-13 00:15
很希望有IGBT的工藝流程
19# EEPW網(wǎng)友 說(shuō)：2014-03-13 14:42
跪求適合傳熱分析的簡(jiǎn)單的IGBT的模型？
18# wyf86 說(shuō)：2014-03-12 20:10
IGBT在關(guān)閉期間仍承受著高電壓，且?guī)в袣堄嚯娏?，滋生不小的開關(guān)損耗。
17# EEPW網(wǎng)友 說(shuō)：2014-03-04 13:39
基于有緣柵極控制的IGBT，其實(shí)IGBT就是柵極控制吧？沒什么特別含義吧？
16# wyf86 說(shuō)：2014-02-17 21:48
回答15# soothmusic：
輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs 的關(guān)系曲線
15# EEPW網(wǎng)友 說(shuō)：2014-02-16 21:42
什么是IGBT的轉(zhuǎn)移特性？
14# 云端 說(shuō)：2014-01-16 21:42
回答13# wyf86：
電流過(guò)大是一個(gè)原因
13# wyf86 說(shuō)：2014-01-15 22:12
IGBT失效的原因是什么？
12# wyf86 說(shuō)：2013-11-07 21:16
回答11# soothmusic：
可使用MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行觸發(fā)
11# soothmusic 說(shuō)：2013-11-06 21:54
IGBT柵極/發(fā)射極阻抗大，應(yīng)該怎么觸發(fā)？
10# 活詞典 說(shuō)：2013-10-05 22:31
回答9# 云端：
也就是IGBT的開關(guān)特性，等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)。
9# 云端 說(shuō)：2013-10-04 21:13
IGBT漏源電壓與漏極電流的關(guān)系是怎樣的？
8# soothmusic 說(shuō)：2013-09-30 21:54
回答7# eepwlover：
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是柵源電壓Ugs與輸出漏極電流Id 的關(guān)系曲線。
7# eepwlover 說(shuō)：2013-09-29 22:34
IGBT的轉(zhuǎn)移特性是什么？
6# 活詞典 說(shuō)：2013-09-28 22:21
回答5# 云端：
Ugs 越高， Id 越大。
5# 云端 說(shuō)：2013-09-27 23:36
選型IGBT，可以參考伏安特性曲線，Ugs與Id的關(guān)系是什么樣的？
4# soothmusic 說(shuō)：2013-09-25 22:06
回答3# eepwlover：
它們都有高輸入阻抗特性。
3# eepwlover 說(shuō)：2013-09-24 21:59
IGBT的輸入阻抗特性，與MOSFET一樣嗎？
2# liyidong 說(shuō)：2013-09-23 13:01
IGBT的飽和壓降低，適合應(yīng)用在高壓大電流的場(chǎng)合，但是其工作頻率比MOSFET低。
1# 云端 說(shuō)：2013-09-22 21:35
大功率開關(guān)電源中，使用IGBT作為開關(guān)管，比MOSFET好在哪里？
EEPW521回答:2013-09-23
IGBT的飽和壓低，且驅(qū)動(dòng)功率小。MOSFET載流密度小些，導(dǎo)通壓降較大，開關(guān)速度要快，驅(qū)動(dòng)功率卻很小。