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聯(lián)電看準CPU和閃存市場機會 有意多方出擊
- 為了實現(xiàn)產(chǎn)品多樣化,臺灣晶圓廠聯(lián)華電子(UMC,簡稱聯(lián)電)有意利用自己的65納米和45納米技術(shù)進軍CPU和NAND閃存產(chǎn)品的生產(chǎn)領(lǐng)域。聯(lián)電稱他們正在洽談一宗CPU生產(chǎn)協(xié)議,但對于出擊大容量閃存市場的問題則顯得出言謹慎。 聯(lián)電首席執(zhí)行官胡國強稱聯(lián)電“難以忽視”發(fā)展迅速的閃存市場,因此計劃在NAND、NOR和SRAM領(lǐng)域追逐訂單,但不會涉足DRAM(內(nèi)存)市場。胡國強不愿透露具體細節(jié),但暗示聯(lián)電不會在目前激烈混戰(zhàn)的閃存產(chǎn)品市場涉足過深。 “NAND和NOR的價格起伏太大了,所以我們對此不得不深思熟慮,”胡國強
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IBM讓芯片堆疊連接 導(dǎo)線作古CPU讀內(nèi)存快千倍
- 據(jù)國外媒體報道,周四,美國半導(dǎo)體巨頭IBM公司宣布,他們研發(fā)出了一種垂直方向上以堆疊方式連接不同芯片的技術(shù),這種技術(shù)可以大大減少處理器和內(nèi)存之間的距離,從而加速數(shù)據(jù)的傳輸,并節(jié)省手機或者電腦的功耗。 利用IBM公司的研發(fā)成果,今天的不同芯片之間的導(dǎo)線將失去作用。眾所周知的是,在電腦或者手機中,微處理器和內(nèi)存芯片之間依然靠導(dǎo)線來傳輸數(shù)據(jù),相對于芯片內(nèi)部的晶體管相比,這種“遙遠”的導(dǎo)線距離延緩了數(shù)據(jù)的傳輸,使得內(nèi)存訪問成為系統(tǒng)性能的一個瓶頸。 在IBM公司的方案中,兩個芯片將被上下堆疊在一起,兩者之間的距離只
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CPU+GPU,敏感時期的平臺化戰(zhàn)略
- AMD本是個相對低調(diào)的公司,但最近似乎圍繞AMD的消息特別的集中,在與Intel紛繁復(fù)雜的戰(zhàn)局面前,AMD不得不改變自己的策略。 從目前的結(jié)果來看,AMD與Intel的競爭沒有勝利者,如果硬要說獲利者的話,那就是廣大消費者。在過去的12個月中,cpu以一種難以想象的速度貶值,性能方面卻不斷提升,更重要的是,一向吝嗇于技術(shù)革新的Intel竟然在12個月之內(nèi)連推3個新架構(gòu),這不得不說是競爭帶來的新壓力。 我們無法預(yù)知AMD在價格戰(zhàn)面前還能持續(xù)多久,因為收購ATI已經(jīng)為AMD的財務(wù)帶來了不小的壓
- 關(guān)鍵字: AMD CPU GPU Intel
新型大電流CPU供電的設(shè)計挑戰(zhàn)
- 在過去五年里,Intel和AMD的CPU性能有了顯著提高。CPU性能的提高要求為其供電的電壓調(diào)節(jié)器更加精確和復(fù)雜。 電源設(shè)計人員所面臨的最大挑戰(zhàn)是如何滿足更大的功率、更小的電壓容限以及更快的瞬態(tài)響應(yīng),并降低電源的總成本。本文簡要探討了脈寬調(diào)制(PWM)的發(fā)展歷程、多相工作模式和電流均衡,并提供了一些有助于設(shè)計人員應(yīng)對大功率CPU供電各種挑戰(zhàn)的最新技術(shù)。 性能要求不斷提高,成本控制更加嚴格 下表展示了CPU性能在過去5年間的發(fā)展。注意:在功率大幅增加的同時,電壓尤其是電壓容限顯著降低。
- 關(guān)鍵字: CPU PWM 電源技術(shù) 模擬技術(shù)
multibus—cpu介紹
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