nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0

IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級(jí)副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實(shí)現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產(chǎn)，而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項(xiàng)突破。它能以埃米級(jí)精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報(bào)道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā)，計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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消息稱 SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO

IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》（Hankyung）與 Blocks & Files 報(bào)道，SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 閃存與固態(tài)硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù)，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨(dú)立美國子公司?！?Solidigm D5-P5336，E1.L 規(guī)格，61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響，Sol
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)再度“亮劍”，在美國起訴美光侵犯其 11 項(xiàng)專利

IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國 3D NAND 閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，并支付專利使用費(fèi)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
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為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱？

NAND 閃存已經(jīng)達(dá)到了一定的密度極限，無法再進(jìn)一步擴(kuò)展。
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三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤，能否搶占先機(jī)？

內(nèi)存和存儲(chǔ)芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達(dá)60TB的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤（SSD），專為滿足企業(yè)用戶的需求而設(shè)計(jì)。得益于全新主控，三星表示未來甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤。對(duì)比2020年發(fā)布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術(shù)的QLC閃存、堆疊層數(shù)為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲(chǔ)密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態(tài)硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細(xì)分市場(chǎng)將面臨的競(jìng)爭(zhēng)相對(duì)較少，因
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鎧俠產(chǎn)能滿載傳7月量產(chǎn)最先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品

《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》4日訊，鎧俠產(chǎn)線稼動(dòng)率據(jù)悉已在6月回升至100%水準(zhǔn)、且將在7月內(nèi)量產(chǎn)最先進(jìn)存儲(chǔ)芯片(NAND Flash)產(chǎn)品，借此開拓因生成式AI普及而急增的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。據(jù)悉，鎧俠將開始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件，和現(xiàn)行產(chǎn)品相比，存儲(chǔ)容量提高約50%，寫入數(shù)據(jù)時(shí)所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
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NAND市場(chǎng)，激戰(zhàn)打響

隨著人工智能（AI）相關(guān)半導(dǎo)體對(duì)高帶寬存儲(chǔ)（HBM）需求的推動(dòng)，NAND 閃存市場(chǎng)也感受到了這一趨勢(shì)的影響。目前，NAND 閃存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)正在加劇，存儲(chǔ)巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場(chǎng)的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
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鎧俠結(jié)束減產(chǎn)？?jī)勺鵑AND工廠開工率提高至100%

據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，鑒于市場(chǎng)正在復(fù)蘇，日本存儲(chǔ)芯片廠商鎧俠已結(jié)束持續(xù)20個(gè)月的減產(chǎn)行動(dòng)，且貸方同意提供新的信貸額度。報(bào)道稱，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產(chǎn)線開工率提高至100%。而隨著業(yè)務(wù)好轉(zhuǎn)，債權(quán)銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進(jìn)行再融資。他們還將設(shè)立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應(yīng)對(duì)需求低迷的市場(chǎng)環(huán)境，鎧俠發(fā)布聲明稱，將調(diào)整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產(chǎn)，將晶圓生產(chǎn)量減少約30%，并表示會(huì)繼續(xù)根據(jù)
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Omdia：2027 年 QLC 市場(chǎng)規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍

IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉(zhuǎn)述市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場(chǎng)規(guī)模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對(duì)比，Omdia 認(rèn)為 2023 年 QLC 閃存市場(chǎng)份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說，未來三年 QLC 在 NAND 市場(chǎng)整體中的占比將在今年的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升 1.24 倍，達(dá) 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場(chǎng)滲透主要
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三星計(jì)劃到2030年推出1000層3D NAND新材料

據(jù)外媒報(bào)道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實(shí)現(xiàn)pb級(jí)ssd。如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預(yù)測(cè)，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroel
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三星1000層NAND目標(biāo)，靠它實(shí)現(xiàn)

三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是，KAIST的研究
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三星1000層NAND目標(biāo)，靠它實(shí)現(xiàn)？

三星電子計(jì)劃實(shí)現(xiàn)“PB級(jí)”存儲(chǔ)器目標(biāo)。三星高層曾預(yù)期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現(xiàn)目標(biāo)，且可能是關(guān)鍵。目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲(chǔ)器，而據(jù)業(yè)內(nèi)消息，三星計(jì)劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數(shù)將達(dá)到驚人的430層。三星的目標(biāo)是盡快實(shí)現(xiàn)超過1000 TB的存儲(chǔ)容量里程碑，為大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強(qiáng)大的存儲(chǔ)支持。最新消息是，KAIST的
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SK海力士開發(fā)新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”

· 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品，將于今年第3季度開始量產(chǎn)并搭載于端側(cè)AI手機(jī)· 與前一代產(chǎn)品相比，長(zhǎng)期使用所導(dǎo)致的性能下降方面實(shí)現(xiàn)大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲(chǔ)器市場(chǎng)”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI*的移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案產(chǎn)品，其產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)業(yè)界最高
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]