nand flash 文章 進入nand flash技術(shù)社區(qū)
第四季NAND Flash合約價季漲幅預(yù)估8~13%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示,由于供應(yīng)商嚴格控制產(chǎn)出,NAND Flash第四季合約價全面起漲,漲幅約8~13%。展望2024年,除非原廠仍能維持減產(chǎn)策略,且服務(wù)器領(lǐng)域?qū)nterprise SSD需求回溫,否則在缺乏需求作為支撐的前提下,NAND Flash要延續(xù)漲勢將有難度。Client SSD方面,由于原廠及模組廠均積極漲價,促使PC OEM欲在價格相對低點預(yù)備庫存,采購量會較實際需求量高。而供應(yīng)商為擴大位元出貨量,已在第三季推出促銷,故Client SSD價格沒有
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三星、SK海力士拿到無限期豁免權(quán)
- 10月9日,韓國總統(tǒng)辦公室通報,美國目前已做出決定 —— 在無需單獨批準的情況下,三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備,該決定一經(jīng)通報即生效。據(jù)悉,無限期豁免將通過更新Validated End-User(VEU)清單來取得。若被納入該清單,便無需額外獲得許可,代表美國出口管制的適用性實際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示,“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào),與我們在中國的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運營有關(guān)的不確定性已大大消除?!盨K海力士則表示,“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信,這一決定將
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存儲芯片,果真回暖了
- 受需求放緩、供應(yīng)增加、價格競爭加劇等因素影響,存儲芯片的價格在 2022 年最后兩個季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示,DRAM 的平均價格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后,在第四季度的跌幅擴大到了 34.4%。今年 Q1,DRAM 均價跌幅收斂至 13%~18%,Q2 DRAM 價格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似,NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價格跌幅均超過 20%,今年 Q1 NAN
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1γ DRAM、321層NAND!存儲大廠先進技術(shù)競賽仍在繼續(xù)
- 盡管由于經(jīng)濟逆風(fēng)、高通貨膨脹影響,存儲產(chǎn)業(yè)身處下行周期,但存儲大廠對于先進技術(shù)的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言,先進制程意味著高能效與高容量,以及更好的終端使用體驗。當前,DRAM先進制程工藝——10nm級別目前來到了第五代,美光稱之為1β DRAM,三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后,計劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM,這將是美光第1代采用極紫外光(EUV)的制程技術(shù),目前在美光只在臺中有EUV的制造工廠,因此1γ制程勢必會先在臺中廠量產(chǎn),未來日本廠也有望導(dǎo)入EUV
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消息稱三星電子計劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價格
- 10 月 6 日消息,據(jù)韓媒 Business Korea 報道,三星內(nèi)部認為目前 NAND Flash 供應(yīng)價格過低,公司計劃今年四季度起,調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價格,漲幅在 10% 以上,預(yù)計最快本月新合約便將采用新價格?!?圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來,三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略,IT之家此前曾報道,三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%,最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域,之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量,眼下正試圖推動
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面對美國的護欄最終規(guī)則,韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略
- 面對美國的護欄最終規(guī)則,韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報道,隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》(CHIPS法案)資金分配和限制的國家安全護欄,韓國半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務(wù),并利用其在那里的成熟節(jié)點能力來針對國內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響,人們有不同的意見。但有一點是肯定的:希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件,并在未來10年內(nèi)避免在中國進行實質(zhì)性產(chǎn)能擴張。商務(wù)部的新聞稿顯示,補貼接受者在
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集邦咨詢:2023Q4 NAND 價格預(yù)估增長 3-8%,DRAM 要開啟增長周期
- IT之家 9 月 27 日消息,存儲制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后,終于看到了 DRAM 市場復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報道,伴隨著主要存儲制造商的持續(xù)減產(chǎn),已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn),預(yù)估 NAND Flash 價格回暖之后,DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損,2023 年以來已經(jīng)進行了多次減產(chǎn),目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn),消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現(xiàn)反彈,9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn),主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中,在 9 月產(chǎn)量下降了
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第二季NAND Flash營收環(huán)比增長7.4%,預(yù)期第三季將成長逾3%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,第二季NAND Flash市場需求仍低迷,供過于求態(tài)勢延續(xù),使NAND Flash第二季平均銷售單價(ASP)續(xù)跌10~15%,而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長達19.9%,合計第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長7.4%,營收約93.38億美元。自第二季起,三星(Samsung)加入減產(chǎn)行列,且預(yù)期第三季將擴大減產(chǎn)幅度,供給收斂的同時也在醞釀漲價,供過于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過,由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應(yīng)商家數(shù)多,在庫存仍高的情
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NAND Flash第四季價格有望止跌回升
- 近日,三星(Samsung)為應(yīng)對需求持續(xù)減弱,宣布9月起擴大減產(chǎn)幅度至50%,減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主,據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,其他供應(yīng)商預(yù)計也將跟進擴大第四季減產(chǎn)幅度,目的加速庫存去化速度,預(yù)估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲,漲幅預(yù)估約0~5%。價格方面,如同年初TrendForce集邦咨詢預(yù)測,NAND Flash價格反彈會早于DRAM,由于NAND Flash供應(yīng)商虧損持續(xù)擴大,銷售價格皆已接近生產(chǎn)成本,供應(yīng)商為了維持營運而選擇擴大減產(chǎn),以期帶動價
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行業(yè)庫存情況如何?國內(nèi)一存儲廠商回應(yīng)
- 近日,存儲器芯片供應(yīng)商普冉股份披露投資者關(guān)系活動記錄表。關(guān)于NOR Flash行業(yè)庫存情況,普冉股份表示,NOR Flash終端客戶的原廠庫存以及渠道庫存已經(jīng)幾近健康,設(shè)計原廠的庫存調(diào)整也逐步接近尾聲。接下來一段時間,各廠商依然會采取適當?shù)慕祪r策略去化庫存。但隨著行業(yè)庫存逐步健康,行業(yè)格局逐步出清,預(yù)計下半年會持續(xù)向好,價格也會逐步回歸平穩(wěn)態(tài)勢,公司將密切關(guān)注后續(xù)市場走勢。普冉股份強調(diào),公司將積極地進行戰(zhàn)略盤整,持續(xù)調(diào)整以應(yīng)對市場的迅速變化。面對激烈的行業(yè)競爭格局,機遇與挑戰(zhàn)并存,公司會充分發(fā)揮公司的
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使用NAND門的基本邏輯門
- 邏輯門主要有三種類型,即 AND 門、OR 門和 NOT 門。每種邏輯門都有自己不同的邏輯功能。因此,在這些基本邏輯門的幫助下,我們可以得到任何邏輯函數(shù)或任何布爾或其他邏輯表達式?;具壿嬮T的真值表:了解每個邏輯門的功能對熟悉轉(zhuǎn)換非常重要。1.NOT 邏輯門:這種邏輯門是數(shù)字邏輯電路中最簡單的一種。該邏輯門只有兩個端子,一個用于輸入,另一個用于輸出。門的輸入是二進制數(shù),即只能是 1 或 0。邏輯門輸出端的輸出總是與輸入端相反,也就是說,如果輸入端為 1,則輸出端為 0,反之亦然。可能出現(xiàn)的級數(shù)由 2a 計
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NAND 原廠過夠了「苦日子」,有晶圓合約成功漲價 10%
- 廠家期待觸底后的反彈早日到來。
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采用NAND和NOR門的SR觸發(fā)器
- 在本教程中,我們將討論數(shù)字電子學(xué)中的基本電路之一--SR 觸發(fā)器。我們將看到使用 NOR 和 NAND 門的 SR 觸發(fā)器的基本電路、其工作原理、真值表、時鐘 SR 觸發(fā)器以及一個簡單的實時應(yīng)用。電路簡介我們迄今為止看到的電路,即多路復(fù)用器、解復(fù)用器、編碼器、解碼器、奇偶校驗發(fā)生器和校驗器等,都被稱為組合邏輯電路。在這類電路中,輸出只取決于輸入的當前狀態(tài),而不取決于輸入或輸出的過去狀態(tài)。除了少量的傳播延遲外,當輸入發(fā)生變化時,組合邏輯電路的輸出立即發(fā)生變化。還有一類電路,其輸出不僅取決于當前的輸入,還取決
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三星明年將升級NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈
- 據(jù)媒體報道,三星作為全球最大的NAND閃存供應(yīng)商,為了提高新一代NAND閃存的競爭力,將在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈,各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進行設(shè)備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產(chǎn)線將從第6代V-NAND改為生產(chǎn)更先進的第8代V-NAND,同時正在將日本東京電子(TEL)的最新設(shè)備引入其位于平澤P3的NAND生產(chǎn)線,此次采購的TEL設(shè)備是用于整個半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。三星的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫存在今年上半年都有一定程度的增加,在上半年結(jié)束時,三星旗下設(shè)備解決方案部門的庫存已增至
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3D NAND還是卷到了300層
- 近日,三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存,據(jù)爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu),并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存,并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份,據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道,西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價和容量還
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nand flash介紹
Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行,如果目標區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細 ]
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