nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

預(yù)估第四季Mobile DRAM及NAND Flash合約價(jià)均上漲

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示，第四季Mobile DRAM合約價(jià)季漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至13~18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價(jià)漲幅約10~15%；由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低，因此成為本次的領(lǐng)漲項(xiàng)目。季漲幅擴(kuò)大包括幾個(gè)原因，供應(yīng)方面：三星擴(kuò)大減產(chǎn)、美光祭出逾20%的漲幅等，持續(xù)奠定同業(yè)漲價(jià)信心的基礎(chǔ)。需求方面：2023下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統(tǒng)旺季帶動(dòng)，華為Mate
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NAND閃存市場，開始洗牌

最近，鎧俠和西部數(shù)據(jù)的合并已經(jīng)傳來消息，或?qū)⒂诒驹逻_(dá)成合并協(xié)議。當(dāng)初，業(yè)內(nèi)聽到這兩大存儲(chǔ)企業(yè)的合并是非常驚訝的，畢竟鎧俠在 NAND 領(lǐng)域世界排名第二、西部數(shù)據(jù)排在第四，這兩大巨頭的合并可以震動(dòng)存儲(chǔ)市場。具體來看一下，目前兩家企業(yè)的合并方式。西部數(shù)據(jù)這邊將拆分 NAND Flash 閃存部門，與鎧俠合并。在合并后成立新的控股公司，在交換新公司所需數(shù)量的股份后，西部數(shù)據(jù)將保留 50.1% 的資產(chǎn)，其余 49.9% 將歸鎧俠所有。新的公司在美國注冊，但總部設(shè)置在日本，并且股票將在美國和東京證劵交易所上市，采用
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傳三星計(jì)劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存

近日，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子存儲(chǔ)業(yè)務(wù)主管李政培稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時(shí)降低高度來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)處于緩速復(fù)蘇階段，大廠們正在追求存儲(chǔ)先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當(dāng)前進(jìn)度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計(jì)劃2024年推出第九代3D NAND（有望達(dá)到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層）
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三星將擴(kuò)建中國西安的NAND芯片工廠

三星電子計(jì)劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴(kuò)張。據(jù)外媒，三星電子計(jì)劃將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝，并開始大規(guī)模擴(kuò)張。報(bào)道中稱，三星已開始采購最新的半導(dǎo)體設(shè)備，新設(shè)備預(yù)計(jì)將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)236層NAND的設(shè)備。此前消息稱，美國同意三星電子和SK海力士向其位于中國的工廠提供設(shè)備，無需其他許可。據(jù)了解，目前三星西安工廠已成為世界上最大的NAND制造基地，約占了三星NAND總產(chǎn)量的40%。
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三星西安工廠工藝升級獲批，將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

據(jù)悉，三星電子經(jīng)營高層日前做出決定，將升級位于中國西安的 NAND 閃存工廠，為完成工廠制程升級已下單采購最新半導(dǎo)體設(shè)備，或?qū)⒂诮衲昴甑组_始引進(jìn)新設(shè)備。西安工廠是目前三星電子位于海外的唯一內(nèi)存芯片生產(chǎn)基地，2014 年開始投產(chǎn)，經(jīng) 2020 年擴(kuò)建二期項(xiàng)目后，目前每月生產(chǎn) 20 萬張 12 英寸芯片，是全球最大的 NAND 閃存生產(chǎn)基地，占三星電子 NAND 芯片總產(chǎn)量的 40% 以上。三星電子計(jì)劃明年在西安工廠內(nèi)部署生產(chǎn) 236 層（第 8 代）NAND 芯片的設(shè)備，并依次完成工藝轉(zhuǎn)換。2022 年 1
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第四季NAND Flash合約價(jià)季漲幅預(yù)估8~13%

據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示，由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出，NAND Flash第四季合約價(jià)全面起漲，漲幅約8~13%。展望2024年，除非原廠仍能維持減產(chǎn)策略，且服務(wù)器領(lǐng)域?qū)nterprise SSD需求回溫，否則在缺乏需求作為支撐的前提下，NAND Flash要延續(xù)漲勢將有難度。Client SSD方面，由于原廠及模組廠均積極漲價(jià)，促使PC OEM欲在價(jià)格相對低點(diǎn)預(yù)備庫存，采購量會(huì)較實(shí)際需求量高。而供應(yīng)商為擴(kuò)大位元出貨量，已在第三季推出促銷，故Client SSD價(jià)格沒有
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三星、SK海力士拿到無限期豁免權(quán)

10月9日，韓國總統(tǒng)辦公室通報(bào)，美國目前已做出決定 —— 在無需單獨(dú)批準(zhǔn)的情況下，三星和SK海力士可以向中國工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，該決定一經(jīng)通報(bào)即生效。據(jù)悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國出口管制的適用性實(shí)際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，與我們在中國的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運(yùn)營有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國政府決定延長對出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
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存儲(chǔ)芯片，果真回暖了

受需求放緩、供應(yīng)增加、價(jià)格競爭加劇等因素影響，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴(kuò)大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
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1γ DRAM、321層NAND！存儲(chǔ)大廠先進(jìn)技術(shù)競賽仍在繼續(xù)

盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲(chǔ)大廠對于先進(jìn)技術(shù)的競賽仍在繼續(xù)。對DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗(yàn)。當(dāng)前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后，計(jì)劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺(tái)中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，未來日本廠也有望導(dǎo)入EUV
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消息稱三星電子計(jì)劃從下月起大幅提高 NAND 閃存價(jià)格

10 月 6 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報(bào)道，三星內(nèi)部認(rèn)為目前 NAND Flash 供應(yīng)價(jià)格過低，公司計(jì)劃今年四季度起，調(diào)漲 NAND Flash 產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅在 10% 以上，預(yù)計(jì)最快本月新合約便將采用新價(jià)格。▲ 圖源韓媒 Business Korea自今年年初以來，三星一直奉行減產(chǎn)戰(zhàn)略，IT之家此前曾報(bào)道，三星的晶圓產(chǎn)量大幅下降了 40%，最初的減產(chǎn)舉措主要集中在 DRAM 領(lǐng)域，之后下半年三星開始著手大幅削減 NAND Flash 業(yè)務(wù)產(chǎn)量，眼下正試圖推動(dòng)
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面對美國的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略

面對美國的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國半導(dǎo)體公司被建議改變中國市場戰(zhàn)略據(jù)韓國新聞媒體報(bào)道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國家安全護(hù)欄，韓國半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們在中國的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節(jié)點(diǎn)能力來針對國內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點(diǎn)是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國擴(kuò)大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件，并在未來10年內(nèi)避免在中國進(jìn)行實(shí)質(zhì)性產(chǎn)能擴(kuò)張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補(bǔ)貼接受者在
關(guān)鍵字： CHIPS法案韓國半導(dǎo)體 DRAM NAND

集邦咨詢：2023Q4 NAND 價(jià)格預(yù)估增長 3-8%，DRAM 要開啟增長周期

IT之家 9 月 27 日消息，存儲(chǔ)制造商在經(jīng)歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報(bào)道，伴隨著主要存儲(chǔ)制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場去庫存效果顯現(xiàn)，預(yù)估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會(huì)上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損，2023 年以來已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
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第二季NAND Flash營收環(huán)比增長7.4%，預(yù)期第三季將成長逾3%

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，第二季NAND Flash市場需求仍低迷，供過于求態(tài)勢延續(xù)，使NAND Flash第二季平均銷售單價(jià)（ASP）續(xù)跌10~15%，而位元出貨量在第一季低基期下環(huán)比增長達(dá)19.9%，合計(jì)第二季NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長7.4%，營收約93.38億美元。自第二季起，三星（Samsung）加入減產(chǎn)行列，且預(yù)期第三季將擴(kuò)大減產(chǎn)幅度，供給收斂的同時(shí)也在醞釀漲價(jià)，供過于求態(tài)勢有望因此獲得改善。不過，由于NAND Flash產(chǎn)業(yè)供應(yīng)商家數(shù)多，在庫存仍高的情
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NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升

近日，三星（Samsung）為應(yīng)對需求持續(xù)減弱，宣布9月起擴(kuò)大減產(chǎn)幅度至50%，減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主，據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，其他供應(yīng)商預(yù)計(jì)也將跟進(jìn)擴(kuò)大第四季減產(chǎn)幅度，目的加速庫存去化速度，預(yù)估第四季NAND Flash均價(jià)有望因此持平或小幅上漲，漲幅預(yù)估約0~5%。價(jià)格方面，如同年初TrendForce集邦咨詢預(yù)測，NAND Flash價(jià)格反彈會(huì)早于DRAM，由于NAND Flash供應(yīng)商虧損持續(xù)擴(kuò)大，銷售價(jià)格皆已接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商為了維持營運(yùn)而選擇擴(kuò)大減產(chǎn)，以期帶動(dòng)價(jià)
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行業(yè)庫存情況如何？國內(nèi)一存儲(chǔ)廠商回應(yīng)

近日，存儲(chǔ)器芯片供應(yīng)商普冉股份披露投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表。關(guān)于NOR Flash行業(yè)庫存情況，普冉股份表示，NOR Flash終端客戶的原廠庫存以及渠道庫存已經(jīng)幾近健康，設(shè)計(jì)原廠的庫存調(diào)整也逐步接近尾聲。接下來一段時(shí)間，各廠商依然會(huì)采取適當(dāng)?shù)慕祪r(jià)策略去化庫存。但隨著行業(yè)庫存逐步健康，行業(yè)格局逐步出清，預(yù)計(jì)下半年會(huì)持續(xù)向好，價(jià)格也會(huì)逐步回歸平穩(wěn)態(tài)勢，公司將密切關(guān)注后續(xù)市場走勢。普冉股份強(qiáng)調(diào)，公司將積極地進(jìn)行戰(zhàn)略盤整，持續(xù)調(diào)整以應(yīng)對市場的迅速變化。面對激烈的行業(yè)競爭格局，機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存，公司會(huì)充分發(fā)揮公司的
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) 普冉股份 NOR Flash

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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]