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半導(dǎo)體領(lǐng)域"前淡后旺"
- 全球半導(dǎo)體領(lǐng)域在的宏觀經(jīng)濟(jì)條件不佳下渡過了艱辛的2012年,近期在美國經(jīng)濟(jì)成長逐漸獲得改善之際,領(lǐng)域在末季看似有了復(fù)蘇跡象。 雖然12月份全球半導(dǎo)體銷售量成功創(chuàng)下久違的連續(xù)兩個(gè)月增長,但依然不足以抵銷市場(chǎng)分析員對(duì)國內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域的消極看法。 考慮到在全球經(jīng)濟(jì)不明朗,對(duì)電子產(chǎn)品需求量帶來打擊下,市場(chǎng)分析員依然謹(jǐn)慎看待我國今年的半導(dǎo)體領(lǐng)域,特別是受大選情緒影響的上半年,而最低薪金制度也相信將進(jìn)一步箝制國內(nèi)業(yè)者的業(yè)績表現(xiàn)。無論如何,在預(yù)計(jì)下半年經(jīng)濟(jì)大環(huán)境獲得改善的情況下,國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)者或?qū)㈦S著趨勢(shì)上演反
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鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存
- 閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設(shè)備,但是如果要做到更小尺寸怒,那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片,采用20納米制程,TLC閃存技術(shù),裸片面積只有146平方毫米,比目前的MLC芯片尺寸小25%。 TLC閃存每單元存儲(chǔ)3bit數(shù)據(jù),它更高的密度的代價(jià)是相對(duì)較低的寫入速度和較差的耐久力,目前只有三星840系列固態(tài)硬盤使用這種技術(shù)。 不過鎂光也并沒有將其用在SSD上的打算,128Gb的NAND目前只會(huì)用于可移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng),例如SD和USB閃存驅(qū)動(dòng)
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分析:iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報(bào)告,雖然蘋果公司對(duì)閃存(NAND)需求旺盛,但由于超級(jí)本銷售仍然低迷,使得全球閃速存儲(chǔ)器市場(chǎng)收益下降了7個(gè)百分。去年,閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過,經(jīng)過去年的低迷期,今年收益將有所增長,達(dá)到224億美元,并在接下來的幾年內(nèi)持續(xù)增長。 具體可參見下表。 ? “閃 存具備高密度內(nèi)存,大容量傳輸?shù)男阅?。?012年,蘋果iPhone是NAND的
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半導(dǎo)體需求回溫 東芝元旦假期將加班趕工
- 日本媒體報(bào)導(dǎo),全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商?hào)|芝(Toshiba)于21日宣布,因半導(dǎo)體需求回溫,故旗下日本半導(dǎo)體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示,于去年元旦假期停工8天的姬路半導(dǎo)體工廠今年將不停工持續(xù)進(jìn)行生產(chǎn);大分工廠今年元旦假期期間的停工天數(shù)則將自去年的6天減半至3天。 東芝姬路半導(dǎo)體工廠主要生產(chǎn)馬達(dá)/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產(chǎn)影像感測(cè)器及系統(tǒng)整合晶片(SystemLSI)。 東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
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12月上旬主流NAND Flash合約價(jià)小跌1-2%
- ? 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查,雖然系統(tǒng)產(chǎn)品年底銷售旺季備貨高峰期已過,然在NAND Flash原廠持續(xù)對(duì)于零售市場(chǎng)減量供貨的情況下,12月上旬NAND Flash合約價(jià)較11月下旬僅小跌1-2%,預(yù)估緩跌走勢(shì)將持續(xù)至明年1月份。 集邦表示,SK海力士在12月11日遇到產(chǎn)線短暫跳電,但相關(guān)NAND Flash的營運(yùn)沒有受到影響,現(xiàn)貨價(jià)格雖因此有微幅上漲,但整體需求偏弱格局不變。市場(chǎng)面觀察,智慧型手機(jī)與平板電腦廠商圣誕假期鋪貨高峰大多落在11月底與12月初
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探索TLC閃存壽命:區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)
- 三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個(gè)新時(shí)代,TLC NAND閃存首次用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù),以及三星840的性能、可靠性,我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹,今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。 遺憾的是,沒有任何廠商公開談?wù)撨^TLC閃存的可靠程度,只能猜測(cè)編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次),而且三星不像Intel那樣會(huì)告訴你具體的閃存寫入量,再加上寫入放大的緣故,根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。 不過還是有個(gè)變通方法
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大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 1 引 言 隨著嵌人式系統(tǒng)在數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、移動(dòng)電話、mp3音樂播放器等移動(dòng)設(shè)備中越來越廣泛的應(yīng)用 ...
- 關(guān)鍵字: NAND FLASH ARM 嵌入式系統(tǒng)
在nand flash上實(shí)現(xiàn)JFFS2根文件文件系統(tǒng)
- 在nand flash上實(shí)現(xiàn)JFFS2根文件文件系統(tǒng),JFFS2是Flash上應(yīng)用最廣的一個(gè)日志結(jié)構(gòu)文件系統(tǒng)。它提供的垃圾回收機(jī)制,不需要馬上對(duì)擦寫越界的塊進(jìn)行擦寫,而只需要將其設(shè)置一個(gè)標(biāo)志,標(biāo)明為臟塊,當(dāng)可用的塊數(shù)不足時(shí),垃圾回收機(jī)制才開始回收這些節(jié)點(diǎn)。同時(shí),由
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