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日系半導(dǎo)體公司一季度恢復(fù)盈利

  •   根據(jù)Digitimes的研究報(bào)告顯示,日本前三大半導(dǎo)體公司,東芝,瑞薩電子和索尼,盡管2012財(cái)年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續(xù)降低,但利潤(rùn)已經(jīng)提高。   其中,東芝今年第一季度NAND閃存營(yíng)業(yè)收入達(dá)到了1730億日元(17.1億美元),達(dá)到2010年第一季度以來(lái)的最高水平。NAND閃存營(yíng)業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價(jià)格穩(wěn)定。東芝已經(jīng)看到半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入和營(yíng)業(yè)利潤(rùn)連續(xù)三個(gè)季度增長(zhǎng)。   瑞薩電子今年第一季度營(yíng)業(yè)收入,環(huán)比下降1.9%,達(dá)到1739億日元。然而,在連續(xù)七個(gè)季度的經(jīng)營(yíng)虧
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DRAM看漲 類股營(yíng)運(yùn)走俏

  •   由于韓國(guó)三星半導(dǎo)體將七成存儲(chǔ)器供自家手機(jī)、平板及電視使用下,加上大陸白牌平板計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)備貨潮重新啟動(dòng),存儲(chǔ)器近期報(bào)價(jià)緩步上揚(yáng),DDR32Gb均價(jià)每顆站上1.74美元,站上二年多來(lái)新高,相關(guān)DRAM族群營(yíng)運(yùn)看俏。    ?   此外,NANDFlash應(yīng)用大廠群聯(lián)預(yù)期,今年7、8月,NANDFlash芯片將陷入缺貨窘境,擁有強(qiáng)力貨源為后盾的廠商將受惠。   市場(chǎng)得知,三星將把七成行動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)能保留給自家產(chǎn)品后,市場(chǎng)備貨潮5月中旬再度啟動(dòng),讓標(biāo)準(zhǔn)型DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)再度揚(yáng)升,站上
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NAND閃存深入解析

  • 對(duì)于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言,NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案,這在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn) ...
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DRAM漲價(jià)或提氣

  • DRAM曾是半導(dǎo)體業(yè)的王牌產(chǎn)品,在上世紀(jì)90年代的半導(dǎo)體市場(chǎng)上曾約占到3~4成的樣子,同時(shí),它的加工技術(shù)、設(shè)備技術(shù)和生產(chǎn)線技術(shù)也常常主導(dǎo)著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)開(kāi)發(fā)。Intel公司40年前研發(fā)出的DRAM,后成為PC的核心器件之一而獲得傲人的成長(zhǎng)。
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英特爾任命卡扎尼奇為新CEO 接替歐德寧

  •   英特爾公司今天宣布,該公司董事會(huì)已經(jīng)一致選舉布萊恩·卡扎尼奇(Brian Krzanich)為下一任首席執(zhí)行官,以此替代歐德寧(Paul Otellini)。據(jù)稱,卡扎尼奇將于5月16日的英特爾公司年度股東大會(huì)召開(kāi)之際開(kāi)始履職。    ?   卡扎尼奇自2012年1月以來(lái)一直擔(dān)任英特爾首席運(yùn)營(yíng)官,此次也將成為英特爾公司史上的第六任首席執(zhí)行官。與此同時(shí),歐德寧也將在5月16日卸任英特爾首席執(zhí)行官。   卡扎尼奇現(xiàn)年52歲,自在1982年加盟英特爾以來(lái),就一直擔(dān)任該公司
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64GB NAND閃存芯片需求保持強(qiáng)勁

  •   根據(jù)行業(yè)觀察家表示,受智能手機(jī)和平板電腦強(qiáng)勁需求推動(dòng),64GB NAND閃存市場(chǎng)一直在增長(zhǎng),高密度芯片價(jià)格高居不下,反映當(dāng)前供不應(yīng)求市場(chǎng)狀況。   智能手機(jī)和平板電腦市場(chǎng)對(duì)NAND芯片需求旺盛,也對(duì)現(xiàn)貨市場(chǎng)上的芯片供應(yīng)帶來(lái)了負(fù)面的影響,即NAND閃存芯片廠商優(yōu)先供應(yīng)系統(tǒng)制造商表示,許多下游模塊廠和渠道分銷商已經(jīng)無(wú)力獲得穩(wěn)定的供貨。   供應(yīng)緊張狀況,鼓勵(lì)芯片企業(yè)優(yōu)先考慮高利潤(rùn)的訂單,比如為智能手機(jī)提供容量高達(dá)64GB的NAND閃存芯片,并且獲利高于功能手機(jī)和其他消費(fèi)電子產(chǎn)品。   有消息表示,目
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產(chǎn)業(yè)大腕云集深圳,共話閃存與移動(dòng)技術(shù)的世紀(jì)交鋒

  • 2013年,隨著智能機(jī)平板市場(chǎng)繼續(xù)走熱,以NAND Flash為核心的各類存儲(chǔ)器件缺貨嚴(yán)重,存儲(chǔ)器件的供應(yīng)在2013年將一直呈現(xiàn)缺貨勢(shì)態(tài)嗎?2013年智能機(jī)平板電腦超極本平臺(tái)廠商發(fā)力重點(diǎn)在哪里?如何實(shí)現(xiàn)差異創(chuàng)新?透過(guò)第二屆NAND Flash應(yīng)用高峰論壇,本土存儲(chǔ)器件領(lǐng)軍企業(yè)BIWIN匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游力量,共同應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)挑戰(zhàn),推進(jìn)智能機(jī)平板創(chuàng)新。
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第四季度NAND營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)最高記錄

  • 意外!NAND閃存去年第四季度營(yíng)業(yè)收入達(dá)到最高紀(jì)錄,扭轉(zhuǎn)連續(xù)下滑局面
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IHS:2012年Q4全球NAND營(yíng)收大幅成長(zhǎng)17%

  •   根據(jù)市場(chǎng)研究公司IHS iSuppli 的調(diào)查報(bào)告,全球 NAND 快閃記憶體市場(chǎng)在2012年第四季展現(xiàn)創(chuàng)新記錄的營(yíng)收成長(zhǎng)──大幅上揚(yáng)17%,達(dá)到了56.34億美元的營(yíng)收,結(jié)束先前連續(xù)五年第四季營(yíng)收平均下滑6%的記錄。   2012年全年 NAND 快閃記憶體銷售額達(dá)到了202.11億美元。其中,三星與東芝仍是 NAND快記憶體的最大供應(yīng)商,兩家公司總共就占掉 NAND 市場(chǎng)三分之二的市占率。此外,美光、海力士與英特爾也是其他幾家主要的 NAND 快閃記憶體供應(yīng)商。   三星在2012年第四季的
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NAND閃存去年第四季度意外增長(zhǎng)

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào),2012年第四季度NAND閃存產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)出最高紀(jì)錄,結(jié)束了之前連續(xù)五個(gè)第四季度的下滑局面。   2012年第四季度NAND產(chǎn)業(yè)的營(yíng)業(yè)收入為56億美元,比第三季度的48億美元?jiǎng)旁?7%。從兩個(gè)方面來(lái)看,這種環(huán)比增長(zhǎng)具有重要意義:一是結(jié)束了最近第四季度營(yíng)業(yè)收入均呈現(xiàn)下滑的趨勢(shì),二是創(chuàng)出了產(chǎn)業(yè)歷史上的最高營(yíng)業(yè)收入記錄。   三星電子占總體營(yíng)業(yè)收入的三分之一以上,名列前茅。NAND閃存產(chǎn)業(yè)由少數(shù)幾家廠商嚴(yán)密控制。2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入為202億美元,
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2013半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將實(shí)現(xiàn)溫和增長(zhǎng)

  •   2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入為3030.0億美元,相比2011年的3102.1億美元有所降低。預(yù)計(jì)2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)6.4%,達(dá)到3223.0億美元。在經(jīng)歷了極其艱難的2012年之后,預(yù)計(jì)今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將溫和增長(zhǎng),智能終端、電視與計(jì)算等關(guān)鍵消費(fèi)電子產(chǎn)品成為推動(dòng)芯片營(yíng)業(yè)收入與需求增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α?   智能終端   2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入的下降,緣于消費(fèi)者在電子產(chǎn)品上面的支出不振,尤其是電腦采購(gòu)將近占到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入與硅片需求的60%,但是2012年電腦產(chǎn)品的采購(gòu)量低迷。令
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半導(dǎo)體領(lǐng)域"前淡后旺"

  •   全球半導(dǎo)體領(lǐng)域在的宏觀經(jīng)濟(jì)條件不佳下渡過(guò)了艱辛的2012年,近期在美國(guó)經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)逐漸獲得改善之際,領(lǐng)域在末季看似有了復(fù)蘇跡象。 雖然12月份全球半導(dǎo)體銷售量成功創(chuàng)下久違的連續(xù)兩個(gè)月增長(zhǎng),但依然不足以抵銷市場(chǎng)分析員對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域的消極看法。   考慮到在全球經(jīng)濟(jì)不明朗,對(duì)電子產(chǎn)品需求量帶來(lái)打擊下,市場(chǎng)分析員依然謹(jǐn)慎看待我國(guó)今年的半導(dǎo)體領(lǐng)域,特別是受大選情緒影響的上半年,而最低薪金制度也相信將進(jìn)一步箝制國(guó)內(nèi)業(yè)者的業(yè)績(jī)表現(xiàn)。無(wú)論如何,在預(yù)計(jì)下半年經(jīng)濟(jì)大環(huán)境獲得改善的情況下,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)者或?qū)㈦S著趨勢(shì)上演反
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鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存

  •   閃存密度越來(lái)越高帶來(lái)的是更大容量的設(shè)備,但是如果要做到更小尺寸怒,那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片,采用20納米制程,TLC閃存技術(shù),裸片面積只有146平方毫米,比目前的MLC芯片尺寸小25%。   TLC閃存每單元存儲(chǔ)3bit數(shù)據(jù),它更高的密度的代價(jià)是相對(duì)較低的寫(xiě)入速度和較差的耐久力,目前只有三星840系列固態(tài)硬盤(pán)使用這種技術(shù)。   不過(guò)鎂光也并沒(méi)有將其用在SSD上的打算,128Gb的NAND目前只會(huì)用于可移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng),例如SD和USB閃存驅(qū)動(dòng)
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分析:iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

  •   根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報(bào)告,雖然蘋(píng)果公司對(duì)閃存(NAND)需求旺盛,但由于超級(jí)本銷售仍然低迷,使得全球閃速存儲(chǔ)器市場(chǎng)收益下降了7個(gè)百分。去年,閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過(guò),經(jīng)過(guò)去年的低迷期,今年收益將有所增長(zhǎng),達(dá)到224億美元,并在接下來(lái)的幾年內(nèi)持續(xù)增長(zhǎng)。   具體可參見(jiàn)下表。    ?   “閃 存具備高密度內(nèi)存,大容量傳輸?shù)男阅堋T?012年,蘋(píng)果iPhone是NAND的
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2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入萎縮

  • 據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場(chǎng)追蹤報(bào)告,2012年蘋(píng)果iPhone是推動(dòng)NAND閃存消費(fèi)的最大因素。由于超級(jí)本未能實(shí)現(xiàn)騰飛,2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入萎縮。
  • 關(guān)鍵字: 蘋(píng)果  閃存  NAND  
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nand 介紹

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