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2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的移動市場存儲報告,由于經(jīng)濟形勢糟糕和泰國洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量下降,2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%。   2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營業(yè)收入略有增長,從11.6億美元上升到11.7億美元,如圖2所示。   第四季度NOR營業(yè)收入下降的主要原因,是10月泰國發(fā)生洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國的硬盤工廠,造成硬盤短缺,導(dǎo)致PC銷量下降。NOR營業(yè)收入減少的其它原因包括:在全球經(jīng)濟黯
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蘋果轉(zhuǎn)單海力士 三星NAND營收比重略減

  •   市場研究機構(gòu)DIGITIMESResearch專桉經(jīng)理徐康沛分析指出,全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響,2011年第四季NANDFlash營收較前季約減少5%,DRAM營收則微增,使NANDFlash佔該公司記憶體營收比重降至38%,佔全球NANDFlash營收比重亦續(xù)降至34.6%。   反觀海力士,其NANDFlash佔公司營收比重則維持在30%,佔全球NANDFlash營
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利用NAND Flash實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠程更新

  • 利用NAND Flash實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠程更新,引言
    嵌入式系統(tǒng)在各個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,嵌入式系統(tǒng)的維護與升級也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高,開發(fā)者必須能夠針對系統(tǒng)進行升級和維護,以延長系統(tǒng)的使用周期,
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固態(tài)硬盤每GB容量價格將跌破1美元

  •   1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻,而根據(jù)DRAMeXchange的最新報告,今年下半年就能以低于1GB 1美元的價格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn),閃存芯片的成本也會進一步降低,每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計,在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤,而后者的主流容量也將升至 128GB。   隨著Intel Ivy Bridge處
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NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計

  • NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成,每個塊又劃分為固定大小的頁,塊是擦
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基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn)

  • 基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn), Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體,因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點,已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件,成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
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全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元

  •   據(jù)媒體報道,根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù),2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達到48.9億美元,環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場的龍頭,市場份額達到了34.6%。   集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示,NAND閃存出貨環(huán)比增長了大約5%,而平均銷售價格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出,雖然存儲卡和閃存的零售增幅依然緩慢,但是智能手機和平板電腦制造商對閃存的需求依然非常強勁。   集邦科技指出,三星電子
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Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

  •   外電報導(dǎo),全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財報:受內(nèi)存價格下滑、PC需求趨緩的影響,凈損達2,399億韓元(2.131億美元),遜于去年同期的純益300億韓元,已連續(xù)第2季繳出虧損成績單;營收年減7.2%至2.55兆韓元;營損達1,675億韓元,遜于去年同期的營益2,940億韓元。根據(jù)彭博社調(diào)查,分析師平均預(yù)期Hynix Q4凈損將達1,617億韓元。根據(jù)Thomson Reuters調(diào)查,分析師原先預(yù)期Hynix Q4
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蘋果去年買進了全球NAND閃存的1/4

  •   根據(jù)市場研究機構(gòu)Bernstein Research 公司分析師Toni Sacconaghi 報告指出,蘋果公司在上一季買了全球NAND 快閃記憶體出貨量的23% ,憑借著這么大的采購量,蘋果拿到的成本價格可說是出乎意料之外的低。   Sacconaghi 報告指出,蘋果產(chǎn)品在2011 年第四季消耗了容量總數(shù)高達14.5 億GB 的NAND 快閃記憶體;其中iPhone 占了其中50% , iPad 為30% 。這么大的量,自然讓蘋果購買NAND 快閃記憶體有很大的折扣,大約是每GB 價格為0.6
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力晶將繼續(xù)擴大NAND Flash產(chǎn)能

  •   力晶在2012年起將會大幅降低標(biāo)準(zhǔn)型DRAM投片量,以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術(shù)發(fā)展,并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn),而空出的產(chǎn)能將會以NAND FLASH填補,后續(xù)技術(shù)發(fā)展的重點也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠未來,力晶仍會保留DRAM技術(shù),待3D-IC以及TSV的技術(shù)成熟時,將會以記憶體為中心做芯片組的整合,力圖成為大中華地區(qū)各技術(shù)領(lǐng)域最完整之晶圓廠。   隨著力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴大至Flash產(chǎn)品上,加上原先代工如LCD Driver及非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品,希望明年標(biāo)準(zhǔn)
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回補庫存下滑 NAND Flash合約價格持續(xù)走低

  •   根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機構(gòu)DRAMeXchange調(diào)查,因為隨身碟與記憶卡市場銷售依舊此未見起色,而高容量產(chǎn)品也因為智能型手機與平板計算機銷售不如預(yù)期而下滑,終端產(chǎn)品銷售不佳導(dǎo)致供貨商回補庫存力道疲弱,連帶影響合約價格面臨下滑的壓力,10月下旬NAND Flash合約價將再下跌約4-8%。   展望NAND Flash后市,集邦科技認為,雖然泰國水患造成的HDD缺貨效應(yīng)使得SSD產(chǎn)品詢問度頓時增加,但SSD仍存在著與HHD價差大及SSD機種認證程序尚需2-3個月等問題,因此,預(yù)
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9月上旬NAND Flash合約價出現(xiàn)穩(wěn)定格局

  •   根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查,隨著部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶自9月起,已開始準(zhǔn)備4Q11新機型上市所需的庫存回補所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價大致維持平盤,雖然記憶卡及UFD通路市場的需求仍然相對平淡,但也已呈現(xiàn)止跌回穩(wěn)的狀況。
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ultrabook帶來新契機 NAND Flash需求9月或回溫

  •   根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查,市場預(yù)期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應(yīng)新產(chǎn)品上市庫存回補需求,9月份可望逐漸開始回溫。因此,8月下旬 NAND Flash 合約價格出大多呈現(xiàn)持平,但記憶卡及U盤(UFD)通路市場的需求仍然相對疲軟,所以128Gb TLC合約均價格仍然下跌5%。此外,部份供貨商已將部份32Gb MLC的產(chǎn)量轉(zhuǎn)為生產(chǎn)64Gb MLC,故32Gb MLC在市場供給減少下合約均價小漲約3%。
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第二季度NAND閃存銷售額下降4.3%

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告,由于一家大型廠商的銷售額下降,第二季度NAND閃存市場意外下滑。   根據(jù)最終數(shù)據(jù),第二季度全球NAND銷售額為47億美元,比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預(yù)期,主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商,僅次于韓國三星電子。
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR. 簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]

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