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供大于求明年NAND閃存市場難以復蘇

　　比特網(wǎng)(ChinaByte) 12月27日消息(羽人編譯) 據(jù)國外媒體報道，內存模塊制造商消息人士稱，NAND閃存市場仍將處于供大于求的局面，這不僅對現(xiàn)貨市場造成了影響，而且還影響了12月份中下旬的產品合同價格。　　12月份中下旬的8Gb MLC芯片的合同價格下降了13-25%，平均為3.48美元，而16Gb MLC芯片的價格下跌了21-25%，至6.52美元，而SLC芯片由于限制了的產量，價格沒有出現(xiàn)大幅滑落。　　NAND閃存合同價格的下降，主要是由于蘋果每年戰(zhàn)略性削減其12月份的NAND
關鍵字： NAND 閃存市場存儲器

NAND Flash進軍NB/PC應用領域借以擴大市占率

　　拓墣產業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場發(fā)表研究報告指出，2008年起，除了由原手持式消費電子產品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲存裝置外，NAND Flash將通過NB與PC的采用，以混合式硬盤或固態(tài)硬盤(SSD)的產品型態(tài)，逐步擴大市場占有率，市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。　　拓墣表示，NAND Flash在過去幾年快速擴充產品應用領域，從2004年產品應用比例最高的數(shù)碼相機，到2006年MP3 Pla
關鍵字： NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器

iSuppli調低08年半導體預期

　　市場研究機構iSuppli以全球經濟不景氣為由，調低了2008年全球半導體市場銷售收入預期，不過對于整個市場形勢仍持樂觀態(tài)度。　　據(jù)國外媒體報道，iSuppli的最新預期顯示，2008年全球半導體銷售收入將增至2914億美元，較2007年2709億美元(評估數(shù)據(jù))增長7.5%，而iSuppli今年9月份預測的增幅為9.3%，預期增幅減少了1.8個百分點。　　iSuppli表示，2008年半導體市場將受到了能源成本上升的不利影響，美國經濟2008年的預期并不樂觀，而美國經濟的影響力自然會波及全球
關鍵字：半導體芯片 NAND 半導體材料

東芝推出首個對應多值技術的大容量NAND閃存

　　東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個對應多值技術的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內最大級別128Gb的SSD(Solid State Drive：固態(tài)硬盤)產品，主要用于計算機。計劃2008年第一季度出貨，并同時開始量產。在此之前，東芝將于明年1月7日-10日在美國拉斯維加斯召開的世界最大規(guī)模的家電展中亮相該新產品。　　目前的SSD，采用高速雙值NAND閃存，和HDD相比，高速、體積輕，但也存在容量小、成本高的問題，目前還沒有真正普及。因此，搭載可以提高每個器件容量的普及型多值NAND的S
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機東芝 NAND 閃存

DRAM市場基礎繼續(xù)惡化預計08年資本開支下滑超過30%

　　Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示，“根據(jù)三星日前的報告，我們分析2008年上半年DRAM內存市場基礎繼續(xù)惡化，大多數(shù)DRAM供應商，尤其韓國之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減。” 　　預計2008年，DRAM領域的資本開支將下滑超過30%，原來預計下降20%。這將導致總體內存資本開支減少10-12%。　　在DRAM市場經歷了漫長的低迷之后，該市場仍然存在嚴重的供過于求情況?！斑@主要由于按容量計
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 DRAM 三星 NAND EDA IC設計

各類器件增長強勁出貨量增長率預測調高

　　據(jù)市場調研公司ICInsights，2007年IC單位出貨量有望增長10%。該公司先前的預測是增長8%。　　ICInsights將調高增長率預測歸因于以下器件的出貨量強勁增長：DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長60%)、數(shù)據(jù)轉換IC(上升58%)和汽車相關的模擬IC(上升32%)。　　ICInsights表示，如果2007年IC單位出貨量增長率達到10%或者更高水平，將是連續(xù)第六年以兩位數(shù)的速度增長，創(chuàng)下前所未有的強勁增長紀錄。　　ICInsights認為，
關鍵字： NAND 閃存 IC 元件制造

內存芯片廠商提出新設計欲破摩爾定律

　　很多廠商都設計出了未來的閃存技術，但誰能夠首先推出產品呢? 　　Spansion表示，其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎是電荷捕獲技術，這一技術為閃存產業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。　　Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示，Spansion已經生產出了采用電荷捕獲技術的閃存芯片。Spansion已經啟動了一項營銷活動，希望向其它制造商許可一些技術。　　伯特蘭說，三星、東芝、Hynix公開表示對電荷捕獲技術有很大的興趣。我們擁有這一
關鍵字：閃存芯片 NAND 存儲器

第三季度NAND閃存銷售額增長37%，達42億美元

　　市場調研公司iSuppli日前在聲明中表示，第三季度NAND閃存半導體全球銷售額增長37%，達到42億美元。但iSuppli指出，在包括蘋果iPod在內的消費電子產品需求刺激下的連續(xù)增長勢頭，本季度可能結束。由于產量增長速度快于需求，本季度NAND的平均銷售價格將下降18%。　　韓國海力士半導體第三季度增長最快，其NAND銷售額比第二季度大增79%，達到8.06億美元。它的市場份額是19%，在當季全球排名第三。最大的NAND閃存供應商三星電子，市場份額從第二季度的45%降至40%，它出貨的閃存數(shù)量
關鍵字： NAND 閃存 DRAM 存儲器

閃存成本下滑固態(tài)硬盤價格將下降筆記本很有優(yōu)勢

　　固態(tài)硬盤明年仍然少見且價格昂貴，但隨著其量產，閃存成本的下滑，固態(tài)硬盤價格從2009年，2010年開始將開始下降。　　DRAM與閃存產品制造商Micron Technology本周公布了固態(tài)硬盤發(fā)展計劃。這種硬盤功能與常規(guī)硬盤無異，但與一般硬盤將數(shù)據(jù)存儲在磁碟上不同，固態(tài)硬盤將數(shù)據(jù)保存在NAND內存芯片上，就像MP3播放器保存文件的方式一樣。　　Micron將從明年第一季度開始大規(guī)模生產固態(tài)硬盤。第一批產品為32GB或64GB型號。雖然容量是現(xiàn)在筆記本電腦硬盤平均容量的一半，但Micron內存
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機固態(tài)硬盤閃存 NAND MCU和嵌入式微處理器

三星減少NAND閃存供貨量擬甩掉臺灣廠商

　　近期，三星和海力士(Hynix)面向臺灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降，另一方面，英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競爭力的價格并逐步搶占市場，許多分析人士認為未來閃存市場或許將會出現(xiàn)另一番局面。　　三星和海力士減少向臺灣內存廠商的供貨量，是為了滿足蘋果這類國際大客戶的供貨需求。東芝也限制了供應量，唯獨沒有對群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施，這使得不少臺灣企業(yè)開始考慮降低對大廠商產品的依賴。　　一些臺灣內存廠商指出，它們都不愿意繼續(xù)向三星和海力士采購，
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機三星海力士 NAND 其他IC 制程

大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡存儲中的應用

　　1 引言　　隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)管理則成為設計人員考慮的重點。在許多現(xiàn)場不可達數(shù)據(jù)采集應用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲，必然帶來數(shù)據(jù)管理的不便，因此，集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡傳輸技術集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù)，采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對于大容量數(shù)據(jù)存儲，選擇介質存儲是需要重點考慮的問題。目前大多采用IDE硬盤或SCSI硬盤存儲，但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄，無法長期在惡劣的環(huán)境中長期工作。電子式Flash存儲器具有速度快、容量大、成本低、體積
關鍵字：通訊無線網(wǎng)絡 NAND Flash K9T1G08U0M MCU和嵌入式微處理器

供應過剩 NAND及DRAM行情短期進一步惡化

　　美國iSuppli調研結果顯示，由于供應過剩與價格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內進一步惡化。　　NAND閃存方面，預計512M產品全球平均單價(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價格下跌，行情出現(xiàn)惡化，短期內很難恢復。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價格下跌的主要原因韓國內存廠商將生產能力從DRAM轉移至NAND閃存，從而導
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND DRAM 閃存 MCU和嵌入式微處理器

年終旺季需求支撐，NAND FLASH合約價短期平穩(wěn)

　　11月上旬NAND Flash合約價格大致跌幅約為0-5%，比前兩個月跌幅明顯縮小，主要是因為下游客戶在10月已陸續(xù)進行降低庫存的動作，加上市場預期11月中旬要開始準備年底旺季的備貨需求，根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察，NAND Flash價格走勢在11月初已經出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。　　隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產品供應量提高后，下游客戶采購顆粒開始轉向以8Gb和16Gb MLC為主流，導致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%，相較于其它規(guī)格來得顯著。有鑒于9月以來
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND Flash microSD 嵌入式

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設計

嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設計思想。該系統(tǒng)改進了FAT表和FRT表的存儲方式，延長了存儲器的使用壽命，提高了穩(wěn)定性。 NAND Flash存儲器是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件，容易出現(xiàn)位反轉現(xiàn)象，同時在使用中可
關鍵字： FAT NAND Flash 存儲器通信嵌入式系統(tǒng) 嵌入式無線通信

07年第三季NAND Flash廠營收逼近39億美元

　　根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營收市占率報告指出，NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營收表現(xiàn)亮麗，逼近三十九億美元，比第二季增長了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長約30%;而就營收排行而言，三星(Samsung)如預期再度蟬連冠軍，東芝(Toshiba)居次，而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營收均有顯著的增長。　　　　由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺
關鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機 NAND Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]