nand 文章 進入nand技術社區(qū)
NAND Flash毛利率不復當年 新帝全球裁員
- 受到NAND Flash價格直落影響,原本在快閃記憶卡產業(yè)執(zhí)牛耳地位的新帝(SanDisk),日前無預警全球大裁員,這次裁員幅度約10分之1。目前以美國總部作為初步的縮減人力計劃區(qū)域,但其它地區(qū)包括亞洲在內,不排除有進一步縮減人力的計劃。 事實上,新帝在2年前合并以色列儲存廠商msystems和近幾年面臨幾波NAND Flash大崩盤之后,新帝的營運組織就一直在改組,但這次是首度大規(guī)模裁員,也使得內部員工人心惶惶。 新帝的營運業(yè)務涵蓋上游NAND Flash生產制造、NAND Flash控
- 關鍵字: NAND Flash 記憶卡 新帝 SanDisk
NAND市場增長放緩芯片廠欲推遲建廠計劃
- 日前,全球領先的閃存供應商晟碟和東芝公司在日本簽署了一項合作協(xié)議,表示雙方將共同興建NAND閃存工廠(Fab5),以應對未來市場對NAND閃存的需求,該工廠預計將于2010年投產。 市場研究公司AmericanTechnologyResearch分析師道格?弗里德曼(DougFreedman)表示:“我們相信大部分的投資者都希望Fab5工廠能夠于2009年就可以投產,因為現(xiàn)在的供求關系依然比較樂觀?!? 但是閃存供應商們延遲其工廠興建計劃也再一次證明了NAN
- 關鍵字: 閃存 NAND
ZigBee技術 無線傳感器網(wǎng)絡節(jié)點 MCl3192 LPC2138

- 摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例,對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統(tǒng)中的應用,完成了硬件接口設計和軟件設計,并給出硬件連接圖和部分程序代碼。 關鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng) 1 NAND Flash和NOR Flash 閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復編程以及高密度、低功耗等特點,被廣泛地應用于手
- 關鍵字: NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng)
NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復在線測試

- 摘要 NAND Flash以其大容量、低價格等優(yōu)勢迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲的新寵,因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛,本文簡要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS,并針對YAFFS在均勻損耗和掉電恢復方面進行在線測試。在給出測試結果的同時,著重研究嵌入式軟件測試方案和方法;對測試結果進行分析,并提出改進方案和適用環(huán)境。 關鍵詞 NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS 引 言 隨著嵌入式技術在各種電子產品中的廣泛應用,嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和管理已經(jīng)成為一個重要
- 關鍵字: NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS
商刊:英特爾NAND閃存面臨多重問題
- 北京時間3月5日《商業(yè)周刊》文章指出,由于美國經(jīng)濟衰退導致電腦和消費電子產品銷售增長減速,對英特爾的NAND閃存芯片業(yè)務的利潤造成很大壓力。 英特爾在2005年下半年宣布與美光科技組成合資公司,共同研發(fā)和生產一種名為NAND閃存的內存芯片,這種芯片被廣泛應用于各種消費電子產品。兩年多來,英特爾巧妙地避過了那些芯片的價格波動。 全球最大電腦芯片廠商英特爾在3月3日晚間宣布,它預計其第一季度毛利率將在54%左右,低于之前作出的56%的預期目標。主要原因在于:NAND閃存的價格低于預期水平。在第
- 關鍵字: 英特爾 NAND
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
- 關鍵字: NAND NOR flash
分析師稱NAND閃存市場可能再次面臨崩潰
- 在最近發(fā)生了產品種類短缺和平均銷售價格走平之后,NAND閃存市場可能會再一次崩潰。 據(jù)Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱,全球最大的NAND閃存買主蘋果計算機公司在12月和1月期間減少了三種類型NAND閃存芯片的采購。現(xiàn)在NAND閃存還沒有殺手應用。這些因素都會對NAND閃存市場產生影響。 Mok稱,蘋果在2006年就曾采取過同樣的減少采購的行動,導致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應量超過了需求的70%和價格的下降。 這位分析師稱,雖然自從2
- 關鍵字: NAND 閃存 芯片
內存產業(yè)2008年再纏斗 戰(zhàn)線不斷擴大
- 快閃內存產業(yè)的發(fā)展在2007年有點出乎各界意料,整個產業(yè)的高點反而是落在第一季底,第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦,大家的發(fā)展反而綁手綁腳,一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統(tǒng)的消費性電子產品旺季出現(xiàn),反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下,可說是一團混亂,終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢,雖然大家對于「寒流」來襲,都已有心理準備,但仍是不敢大意。 TRI觀點: 2007年內存產業(yè)的變化多端,出乎大家的意料,然而其中影響甚巨的一個事件,就是Samsun
- 關鍵字: 內存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器
Gartner:08全球半導體設備開支將降9.9%
- 據(jù)市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱,2008年全球半導體設備開支預計將達到403億美元,比2007年的448億美元減少9.9%。 Gartner半導體生產事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱,2007年的特點是DRAM內存不顧供過于求的現(xiàn)實繼續(xù)加大投資、NAND閃存開支增速減緩和代工廠商恢復開支的狀況令人失望。在2008年,我們預計隨著DRAM內存市場將糾正資本開支的長期錯誤,半導體主要設備市場的開支將減少。代工廠商開支增長速度減緩和由于擔心美國經(jīng)濟衰退而采取的謹慎態(tài)度都是造成20
- 關鍵字: 半導體 NAND 閃存 IC自動測試設備 ATE
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR.
簡單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]
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