- 臺系DRAM廠茂德由于資金窘迫,17日董事會通過處分100%轉(zhuǎn)投資的重慶渝德科技,全力將手上資源用來保住僅存的中科12寸晶圓廠命脈;茂德指出,規(guī)劃將出售范圍是渝德科技、8寸晶圓廠,至于建筑物和土地仍是屬于重慶市政府,處分后至少暫時不需再認列渝德廠虧損,對于手上財務資金應用可較寬裕。
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茂德 芯片 DRAM
- 什么是DSP芯片,什么是DSP芯片
DSP芯片,也稱數(shù)字信號處理器,是一種具有特殊結構的微處理器。DSP芯片的內(nèi)部采用程序和數(shù)據(jù)分開的哈佛結構,具有專門的硬件乘法器,廣泛采用流水線操作,提供特殊的DSP 指令,可以用來快速地實現(xiàn)各種
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芯片 DSP 什么
- LED以其壽命長且耗電小等特點而廣泛應用于指示燈、大型看板、掃描儀、傳真機,手機、汽車用燈、交通信號燈等方面。但在照明光源方面,目前的LED因亮度及價格尚未具備取代其它光源的條件。然而,隨著亮度持續(xù)提升,LED將在不久的將來取代白熱燈與日光燈,且價格也會因量產(chǎn)技術進步而下降,應用需求將大幅增加。
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及其 電路 應用 XLT604 芯片 LED 驅(qū)動 大功率
- 昨日,湖北省科技投資集團與中芯國際集成電路制造公司正式簽署合資合同,標志著雙方的合作邁上新臺階:雙方將對武漢新芯集成電路制造有限公司12英寸芯片生產(chǎn)線項目實施合資經(jīng)營,五年內(nèi),武漢新芯的年產(chǎn)能將擴產(chǎn)至4.5萬片,成為國內(nèi)重要的高端芯片生產(chǎn)基地。
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武漢新芯 芯片
- 一、MB芯片定義與特點定義﹕MB芯片﹕MetalBonding(金屬粘著)芯片﹔該芯片屬于UEC的專利產(chǎn)品。特點﹕1:...
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LED 芯片 MB GB TS AS
- 韓國目前大力發(fā)展LED產(chǎn)業(yè),并針對性的提出了2012年成為世界前三名LED產(chǎn)業(yè)強國的目標,并表示要在2020年做到全球LED第一名。隨著對LED需求量的增長,韓國政府將LED列為未來發(fā)展核心技術。對韓國來說LED有著很明確的重要性,一是經(jīng)濟性,二是提供工作機會。
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LED 芯片
- 三星電子副總裁崔志成10日就近來蘋果、英特爾、爾必達等芯片領域的競爭企業(yè)紛紛展開猛烈攻勢表示“不用擔心”。最近,蘋果起訴三星電子侵犯專利權,爾必達和英特爾則搶先三星電子一步分別公布了開發(fā)并量產(chǎn)25納米級DRAM儲存芯片和3D芯片的計劃。
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三星 芯片
- ESPU0808加密芯片在防抄板領域的應用技術解析,PC軟件的盜版一直是困擾軟件行業(yè)發(fā)展的主要問題,同樣,在嵌入式應用領域,隨著近些年黑客技術和芯片解剖技術的發(fā)展,嵌入式系統(tǒng)所面臨的攻擊也越來越多,隨之而生的防抄板技術也引起了產(chǎn)品設計者的重視?! ∧壳?,
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- 近日,2011年毫無疑問成為了智能電視的“元年”,從CES展到最近各大廠商紛紛發(fā)布各自的智能電視產(chǎn)品都在印證著這一點。智能電視市場“山雨欲來風滿樓”。隨著傳統(tǒng)電視機產(chǎn)品具備越來越強的IT屬性,更多的IT廠商紛紛加入了智能電視市場的競爭,例如消費者耳熟能詳?shù)挠⑻貭?、AMD、微軟和聯(lián)想等等。
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智能電視 芯片
- 傳統(tǒng)正裝的led藍寶石襯底的藍光芯片電極在芯片出光面上的位置如圖1所示。由于p型GaN摻雜困難,當前...
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LED 芯片 倒裝封裝
- 對于V型電極LED芯片,如圖1所示,其中兩個電極的p極和n極都在同一面。這種led芯片的通常是絕緣體(如Al2O3、藍寶...
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大功率 LED 芯片 封裝
- 美國GREE公司的1W大功率芯片(L型電極),它的上下各有一個電極。其碳化硅(SiC)襯底的底層首先鍍一層金屬,如金錫合金...
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大功率 LED 芯片 封裝
- 北京時間5月10日消息,芯片廠商飛思卡爾周一在提交給美國證券交易委員會(SEC)的文件中稱,該公司計劃在紐約證券交易所啟動IPO(首次公開募股),交易代碼為“FSL”,擬發(fā)售4350萬股股票,IPO發(fā)行價格區(qū)間設定在每股22美元至24美元,融資10億美元,該公司的估值由此約為55億美元?;ㄆ旒瘓F、德銀證券、巴克萊資本、瑞士信貸和摩根大通將是飛思卡爾此次IPO的承銷商。
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飛思卡爾 芯片
- 摘要:為了對所開發(fā)的電子產(chǎn)品進行保護,采用ASIC的方法設計基于硬加密技術的電子系統(tǒng)認證芯片。在后端物理設計中,為了使最終的芯片實現(xiàn)面積優(yōu)化且滿足功耗、時序等要求,采用預設計的方法對芯片進行功耗預估與布線
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電源 規(guī)劃 芯片 認證 子系 電子
- 單片型3D芯片集成技術與TSV的研究,盡管晶體管的延遲時間會隨著晶體管溝道長度尺寸的縮小而縮短,但與此同時互聯(lián)電路部分的延遲則會提升。舉例而言,90nm制程晶體管的延遲時間大約在 1.6ps左右,而此時互聯(lián)電路中每1mm長度尺寸的互聯(lián)線路,其延遲時間會
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