nor flash 文章 進(jìn)入nor flash技術(shù)社區(qū)
基于Flash和JTAG接口的FPGA多配置系統(tǒng)
- 引言 針對(duì)需要切換多個(gè)FPGA配置碼流的場(chǎng)合, Xilinx公司提出了一種名為System ACE的解決方案,它利用CF(Compact Flash)存儲(chǔ)卡來替代配置用PROM,用專門的ACE控制芯片完成CF卡的讀寫,上位機(jī)軟件生成專用的ACE文件并下載到CF存儲(chǔ)卡中,上電后通過ACE控制芯片實(shí)現(xiàn)不同配置碼流間的切換[1]。 System ACE的解決方案需要購買CF存儲(chǔ)卡和專用的ACE控制芯片,增加了系統(tǒng)搭建成本和耗費(fèi)了更多空間,而且該方案只能實(shí)現(xiàn)最多8個(gè)配置文件的切換,在面對(duì)更多個(gè)配置
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海力士前高層加入慧榮 SSD大戰(zhàn)鳴槍
- 固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱,持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn),NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導(dǎo)體大廠,使出渾身解數(shù)綁樁,傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔(dān)任公司高層。 慧榮一向和SK海力士合作緊密,雙方合作內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器eMMC業(yè)務(wù)外,有機(jī)會(huì)延伸至SSD產(chǎn)品線上,2015年更是關(guān)鍵年,慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線,立下通吃NAND Flash大廠和存儲(chǔ)器模組兩大族群的目標(biāo),看好公司營(yíng)運(yùn)
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DRAM樂觀 NAND有隱憂
- 記憶體市況今年將不同調(diào);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)可望維持穩(wěn)定獲利,儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)則有隱憂。 DRAM市場(chǎng)步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強(qiáng)鼎立的寡占局面,各DRAM廠去年不僅全面獲利,并且是豐收的一年。 臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺(tái)幣400億元,將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。 NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、變化相對(duì)激烈,且難以預(yù)料;去年下半
- 關(guān)鍵字: DRAM 三星 海力士 NAND Flash
美光聯(lián)手華邦電:推NOR Flash搶攻物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用商機(jī)
- 美國(guó)存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)宣布,與存儲(chǔ)器廠商華邦電擬進(jìn)一步合作開發(fā)新一代超高速序列式編碼型快閃存儲(chǔ)器(Serial NOR Flash),搶攻汽車電子、穿戴裝置,以及智慧家庭等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用商機(jī),預(yù)計(jì)2015年1月就會(huì)開始送樣認(rèn)證1GB芯片。 ? 據(jù)了解,美光日前宣布與華邦電結(jié)盟,雙方將開發(fā)新一代Twin-Quad的超高速序列式NOR Flash產(chǎn)品線;雙方所合作的Twin-Quad序列式NOR Flash,比NAND Flash速度更快,且比現(xiàn)有序列式NOR Fla
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研調(diào):12月上旬NAND Flash合約價(jià)跌幅2%內(nèi)
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示,美系廠商在第三季季底財(cái)報(bào)結(jié)算壓力過后,不再采取積極價(jià)格戰(zhàn),使得原廠間戰(zhàn)火稍緩。另一方面,因模組廠預(yù)期此波價(jià)格跌勢(shì)將持續(xù),再加上手中庫存仍充足下,大多傾向12月月底再進(jìn)行采購談判,以爭(zhēng)取更優(yōu)惠的價(jià)格。因此,12月上旬因交易氣氛冷清,NAND Flash合約價(jià)呈持平或僅微幅下跌0-2%。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示,在歐美圣誕節(jié)備貨動(dòng)能正式結(jié)束后,受到季節(jié)性因素影響,預(yù)期明(2015)年第一季全球智慧型手機(jī)
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MSP430F單片機(jī)設(shè)計(jì)的超低功耗電子溫度計(jì)方案
- 本文設(shè)計(jì)的超低功耗電子溫度計(jì)能夠通過溫度傳感器測(cè)量和顯示被測(cè)量點(diǎn)的溫度,并可進(jìn)行擴(kuò)展控制。該溫度計(jì)帶電子時(shí)鐘,其檢測(cè)范圍為l0℃~30℃, 檢測(cè)分辨率為1℃,采用LCD液晶顯示,整機(jī)靜態(tài)功耗為0.5μA。其系統(tǒng)設(shè)計(jì)思想對(duì)其它類型的超低功耗微型便攜式智能化檢測(cè)儀表的研究和開發(fā),也具有一 定的參考價(jià)值。 1 元器件選擇 本系統(tǒng)的溫度傳感器可選用熱敏電阻。在10~30℃的測(cè)量范圍內(nèi),該器件的阻值隨溫度變化比較大,電路簡(jiǎn)單,功耗低,安裝尺寸小,同時(shí)其價(jià)格也很 低,但其熱敏電阻精度、重復(fù)性、可
- 關(guān)鍵字: MSP430 傳感器 FLASH
挺進(jìn)蘋果三星,新芯代工兆易Flash突破十萬晶圓
- 伴隨大陸手機(jī)產(chǎn)業(yè)的崛起,一批本土IC設(shè)計(jì)企業(yè)正在逐步壯大,兆易創(chuàng)新無疑是其中的佼佼者之一。 功能手機(jī)大多采用SPI NOR Flash芯片,設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單,而且制造成本較低,對(duì)于低端手機(jī)頗有吸引力。目前來看,功能機(jī)的市場(chǎng)容量依然不可小覷。工信部曾發(fā)布2014年第一季度《中國(guó)手機(jī)行業(yè)運(yùn)行狀況》報(bào)告,其中顯示今年一季度,2G手機(jī)(功能機(jī))總出貨量為1144萬部,雖然同比下降超七成,但是仍然是個(gè)不小的數(shù)字。放眼全球市場(chǎng),根據(jù)IDC發(fā)布的全球智能手機(jī)出貨量報(bào)告,去年全球智能手機(jī)的出貨量達(dá)到10億400萬臺(tái)
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東芝NAND Flash漲勢(shì)迅猛 TransferJet高效近場(chǎng)傳輸技術(shù)加速市場(chǎng)化
- 2014年NAND Flash市場(chǎng)在便攜式電子新品持續(xù)、快速更新的帶動(dòng)下表現(xiàn)出價(jià)格穩(wěn)定、需求強(qiáng)勁的發(fā)展態(tài)勢(shì)。尤其在下半年蘋果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下,新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流,三星、東芝這些存儲(chǔ)行業(yè)大牌的表現(xiàn)尤為出色。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce最新報(bào)告,2014年第三季度東芝NAND Flash產(chǎn)品營(yíng)收環(huán)比大增23.7%,穩(wěn)居世界前二位,其中15nm新制程的產(chǎn)出比重持續(xù)增加。 在今年的高交會(huì)上,記者也對(duì)東芝新制程的存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND Flash TransferJet
基于藍(lán)牙技術(shù)的LED點(diǎn)陣屏設(shè)計(jì)方案
- 0 引言 本文設(shè)計(jì)一種內(nèi)容更新便捷、可擴(kuò)展、低價(jià)格的點(diǎn)陣LED 文字顯示屏。降低成本的途徑是①用幾乎人人都有的手機(jī)的藍(lán)牙數(shù)據(jù)傳輸功能進(jìn)行LED 顯示內(nèi)容的更新,免去專業(yè)上位機(jī)軟件和控制卡的成本,操作也更簡(jiǎn)單;②單次顯示內(nèi)容在5 ~ 30 個(gè)漢字或英文字母,因?yàn)轱@示內(nèi)容較少,就可實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展電路的簡(jiǎn)單化。 1 系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案 1. 1 系統(tǒng)組成 系統(tǒng)由帶藍(lán)牙功能的智能手機(jī)和LED 顯示屏組成。其中,LED 顯示屏由單片機(jī)、LED 點(diǎn)陣模塊、字庫芯片、藍(lán)牙接收模塊、5V 開關(guān)電源和3.3
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DSP編程技巧之29---答疑解惑哪家強(qiáng)之(4)
- 答疑解惑哪家強(qiáng)?當(dāng)屬我們EEPW最強(qiáng)。。。接下來繼續(xù)我們的答疑解惑。 22. 除了使用編譯器的優(yōu)化選項(xiàng)之外,還可以使用什么方法提高程序的性能? 編譯器的優(yōu)化選項(xiàng),只能在代碼滿足眾多選項(xiàng)的要求時(shí),才能得到較好的優(yōu)化效果。在我們編程的時(shí)候,首先要做到心里有數(shù),盡可能使用一些高效的編程方式,例如使用右移操作代替除以2的倍數(shù)的操作,可以大幅度地減少代碼運(yùn)行時(shí)間等。這些技巧很多是與C/C++的熟練使用所相關(guān)的。此外,根據(jù)器件的特點(diǎn),例如是否包含F(xiàn)PU、CLA等,把特定的代碼放在不同的區(qū)域執(zhí)行,也能起
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NAND吃緊!花旗:三星、hTC將學(xué)蘋果加大智能機(jī)容量
- Investor.com 3日?qǐng)?bào)導(dǎo),花旗發(fā)表研究報(bào)告指出,三星電子、宏達(dá)電 (2498)等智慧型手機(jī)制造商有望跟隨蘋果 ( Apple Inc. )的腳步增加手機(jī)的儲(chǔ)存容量,這會(huì)提高市場(chǎng)對(duì)SanDisk產(chǎn)品的需求。 費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)成分股SanDisk 3日聞?dòng)嵣蠞q2.02%、收103.36美元;該檔個(gè)股在11月總計(jì)勁揚(yáng)了9.9%、年初迄今大漲46.53%。SanDisk 11月26日收盤(104.26美元)甫創(chuàng)7月16日以來收盤新高。 根據(jù)報(bào)告,花旗分析師Joe Yoo將SanDisk的投
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分析師:2015年NAND Flash市況“上冷下熱”
- TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 調(diào)查顯示, NAND Flash 成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑,各種終端應(yīng)用如 SSD 與eMMC等需求則持續(xù)成長(zhǎng),估計(jì) 2015年 NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長(zhǎng)12%,至276億美元。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,由于終端產(chǎn)品出貨與新機(jī)上市多半集中在第三季和第四季,相較之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場(chǎng),受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著,因此預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局,也就是
- 關(guān)鍵字: TrendForce NAND Flash SSD
2015年NAND Flash產(chǎn)業(yè)持續(xù)向上,產(chǎn)值成長(zhǎng)超過10%
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示, NAND Flash成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑,各種終端應(yīng)用如SSD與eMMC等需求則持續(xù)成長(zhǎng),2015年NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長(zhǎng)12%,達(dá)276億美元。DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,由于終端產(chǎn)品出貨與新機(jī)上市多半集中在第三和第四季,相比之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場(chǎng),受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著,因此DRAMeXchange預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局,也就是上半年
- 關(guān)鍵字: NAND Flash SSD
SSD 2年內(nèi)價(jià)格砍半 每GB首度跌破0.5美元
- 次世代資料儲(chǔ)存裝置固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)價(jià)格,2年內(nèi)下滑一半。由于NAND Flash產(chǎn)能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架構(gòu)NAND Flash量產(chǎn)行列,皆讓SSD加速邁向大眾化階段。而最近隨著價(jià)格下滑,SSD應(yīng)用范圍逐漸擴(kuò)大,有加速普及的傾向。 據(jù)韓聯(lián)社引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料報(bào)導(dǎo),256GB的SSD 2014年第3季平均售價(jià)(ASP)為124美元,比2013年同期171美元下跌27.5%,與2012年同期價(jià)格226美元相比,跌幅更達(dá)45.1%,意即最近2年內(nèi)SSD價(jià)格幾乎砍
- 關(guān)鍵字: SSD NAND Flash
臺(tái)內(nèi)存大廠揮軍日本 直闖工控和車用市場(chǎng)
- 征戰(zhàn)海外展覽的臺(tái)灣內(nèi)存大廠,終于在日本找到了機(jī)會(huì)。
- 關(guān)鍵字: 內(nèi)存 NAND Flash
nor flash介紹
NOR Flash存儲(chǔ)器
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]
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