nor flash 文章進入nor flash技術(shù)社區(qū)

手機用OLED面板滲透率提升，加速2017年NOR Flash價格漲勢

　　日前，根據(jù)平面媒體的報導(dǎo)，由于記憶體大廠美光科技(Micron)計劃處分旗下編碼型快閃記憶體(NOR Flash)事業(yè)，將導(dǎo)致供應(yīng)鏈大洗牌，如此造成包括美系音響大廠，以及歐系車用系統(tǒng)大廠都來臺搶產(chǎn)能的情況，使得 NOR Flash 預(yù)計 2017 年上半年漲幅將超過 30%。而根據(jù)科技新報所掌握到的獨家消息，目前 NOR Flash 缺貨的情況，還包括南韓三星電子用于 AMOLED 的色彩控制上，一年估計要超過 4.8 億顆的需求，更是拉抬 NOR Flash 在 2017 年的漲勢。 &nbs
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美光出售NOR芯片業(yè)務(wù) 兆易華邦接手可能性大

　　全球存儲器業(yè)務(wù)整并潮持續(xù)進行，美光科技將退出NOR Flash業(yè)務(wù)，計劃出售旗下NOR芯片業(yè)務(wù)，正尋求相關(guān)買家，全力沖刺DRAM及3D NAND Flash，傳華邦電及兆易創(chuàng)新可能接手。　　美光當初并入此芯片事業(yè)花12億美元，以目前內(nèi)存市況持續(xù)加溫來看，要以多少價格出售，有待觀察。　　半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)人士透露，美光已和多家廠商接洽，主因美光認為NOR芯片業(yè)務(wù)在該公司營收占比不高，產(chǎn)能也不具經(jīng)濟效益，且近年全力聚焦在DRAM和NAND兩大內(nèi)存的效益整合，因而計劃出售NOR芯片業(yè)務(wù)，戰(zhàn)力集中在提升D
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賽普拉斯FL-L NOR 閃存系列迎來新成員，為汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用實現(xiàn)更高安全性、可靠性和性能

　　全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案提供商賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布其配備四串行外設(shè)接口(Quad?SPI)的NOR閃存系列新增64Mb和128Mb產(chǎn)品。全新的兩款FL-L?NOR閃存可為那些在擴展溫度范圍內(nèi)運行并需要存儲重要數(shù)據(jù)的嵌入式系統(tǒng)提供最高可靠性和安全性。該系列閃存產(chǎn)品具備低功耗和AEC-Q100汽車認證，并且能夠在擴展溫度范圍內(nèi)提供更高的讀帶寬和更快的編程速度。借助小巧、統(tǒng)一的4KB物理存儲單元，該系列閃存產(chǎn)品能夠以最佳方式存儲程序代碼和參數(shù)數(shù)據(jù)，是高級輔助駕駛系統(tǒng)(ADAS)、汽
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盤點+分析：Flash原廠2016年財報

2016年Flash原廠加速向3D NAND切換，除了研發(fā)成本增加，切換過程中也很容易出現(xiàn)產(chǎn)能損失，同時還需要更新舊設(shè)備，增加新設(shè)備，以及擴大生產(chǎn)空間，從而導(dǎo)致Flash原廠NAND Flash產(chǎn)出減少，以及投資成本增加。
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大陸韓國擴產(chǎn)競賽 Flash后年產(chǎn)能恐過剩

　　儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起，南韓存儲大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲產(chǎn)能;紫光集團旗下的長江存儲武漢廠，也預(yù)定本月底正式動土，都為2018年供給過于求再現(xiàn)，埋下隱憂。　　目前各市調(diào)機構(gòu)均看好明年NANDFlash仍處于供不應(yīng)求局面，但南韓存儲大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場投下新變數(shù)。　　稍早三星和美光也都
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為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

　　SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達2.2兆韓元(18.4億美金)。　　SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導(dǎo)體工廠需要超過2年，所以提前做好準備。　　SK海力士曾在20
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Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛

　　芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化?！　?nbsp; 　　1、用戶代碼對Flash的誤操作不當引起程序丟失或被錯誤改寫　　例如，在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調(diào)用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或?qū)懭牒瘮?shù)，這自然會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對以上情況，可以在程序中設(shè)置多個允許操作的變量，當執(zhí)行寫入或擦除操作時，對
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NAND Flash供不應(yīng)求，第三季品牌商營收大幅季成長19.6%

　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機需求強勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進步。　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設(shè)備出貨進入今年最高峰，預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價漲幅將更高，廠商的營收
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Flash缺貨，存儲器成為三星的搖錢樹

　　NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 　　根據(jù)DIGITIMES的報導(dǎo)，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應(yīng)量成長率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠不如原
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中國存儲三大勢力成形各自進擊

　　早前報導(dǎo)，中國存儲三大勢力成形，目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產(chǎn)能，就差合肥團隊還未有相關(guān)消息，現(xiàn)在相關(guān)招募信息與環(huán)評結(jié)果曝光，也透露更多發(fā)展信息。　　中國發(fā)展存儲成三路進擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導(dǎo)的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動，現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長鑫的環(huán)評公告，也可一窺其在合肥的布局。　　合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
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基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

摘要：德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構(gòu)的最高性能的DSP器件，是市場上應(yīng)用廣泛的C6455高端處理平臺升級的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
關(guān)鍵字： C6678 DSP flash boot 多核boot I2C引導(dǎo) SRIO 網(wǎng)絡(luò)

FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設(shè)計

嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計思想。
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大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對存儲設(shè)備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
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如何將“壞塊”進行有效利用

　　被廣泛應(yīng)用于手機、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進行有效的利用，從而滿足我們的應(yīng)用需求，讓壞塊不“壞”。　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤，這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
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提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命的方法

摘要在嵌入式設(shè)計中，許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機中并不具備E
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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]