nor flash 文章進(jìn)入nor flash技術(shù)社區(qū)

基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)

　　筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核，帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH，98k字節(jié)的片內(nèi)RAM，支持片外LOCAL BUS總線，可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU.由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運(yùn)行程序時(shí)，需對(duì)片外的NOR FLASH擦寫(xiě)的需求。圖1為存儲(chǔ)部分框圖。　　　　圖1存儲(chǔ)部分原理框圖　　在設(shè)計(jì)中，片外NOR FLASH的大小為16M字節(jié)。其中2M規(guī)劃為存放運(yùn)行程序，剩余的空間用于產(chǎn)品運(yùn)
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研調(diào)：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過(guò)于求

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報(bào)告顯示，受到新款智慧型手機(jī)上市以及今(2015)年度蘋(píng)果新款iPhone即將開(kāi)始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預(yù)估在第三季將擺脫供過(guò)于求，轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。　　從供給面觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時(shí)程，但嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問(wèn)題，DRAMeXchange預(yù)估，2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
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基于TFFS的成像聲吶文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　1 VxWorks系統(tǒng)的啟動(dòng)流程　　嵌入式VxWorks操作系統(tǒng)的啟動(dòng)包括兩個(gè)階段，一是BootRom引導(dǎo)，二是VxWorks操作系統(tǒng)映像的啟動(dòng)。BootRom映像也叫做啟動(dòng)映像，它主要是初始化串口、網(wǎng)口等很少的硬件系統(tǒng)來(lái)下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS，是真正在目標(biāo)板上運(yùn)行的操作系統(tǒng)。它啟動(dòng)后會(huì)重新初始化幾乎所有的硬件系統(tǒng)，這樣操作系統(tǒng)才可以在目標(biāo)板上正常運(yùn)行。兩種映像的區(qū)別如表 1所示。　　VxWorks內(nèi)核有多種啟動(dòng)流程。本文基于的聲吶原型機(jī)采
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NAND flash市占，三星美光增、東芝獨(dú)垂淚！

　　2014年NAND flash銷售數(shù)據(jù)出爐，IHS報(bào)告稱，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長(zhǎng)，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因?yàn)楫a(chǎn)品出包遭蘋(píng)果召回，市占和業(yè)績(jī)雙雙下滑。　　BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，IHS 13日?qǐng)?bào)告稱，三星電子穩(wěn)居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長(zhǎng)0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
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儲(chǔ)存市場(chǎng)新廠突圍　傳統(tǒng)大廠嚴(yán)陣以待

　　儲(chǔ)存裝置市場(chǎng)正醞釀一波小型新創(chuàng)公司革命。過(guò)去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業(yè)者把持的儲(chǔ)存市場(chǎng)，目前已遭到許多小型新創(chuàng)公司崛起并搶走市場(chǎng)。調(diào)查也發(fā)現(xiàn)，消費(fèi)者預(yù)期未來(lái)將擴(kuò)大使用Flash存儲(chǔ)器與固態(tài)硬碟(SSD)，因此，傳統(tǒng)大廠必須調(diào)整策略才能扭轉(zhuǎn)頹勢(shì)。　　據(jù)TechRadar報(bào)導(dǎo)，全球四大儲(chǔ)存大廠惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創(chuàng)公司推出快閃技術(shù)產(chǎn)品，因此，其外部硬碟儲(chǔ)存市場(chǎng)占有率已逐漸流失。　　據(jù)IDC調(diào)查發(fā)現(xiàn)，截至2014年第2季為止，由四大廠供應(yīng)的高
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東芝傳年內(nèi)量產(chǎn)3D Flash 技術(shù)更勝三星

　　三星電子(Samsung Electronics)領(lǐng)先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構(gòu)的NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)產(chǎn)品，但三星的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)恐維持不了多久，因?yàn)槿荖AND Flash最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術(shù)更勝三星一籌! 　　日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層，但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術(shù)、可堆疊48層，且東芝計(jì)劃于今年下半年透過(guò)旗下四日市工廠
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大陸手機(jī)市場(chǎng)驚人Mobile DRAM消費(fèi)量陡升

　　中國(guó)大陸智能型手機(jī)的高成長(zhǎng)，使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應(yīng)商不管是從零組件競(jìng)爭(zhēng)還是手機(jī)整機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)上都倍感壓力。
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半導(dǎo)體市場(chǎng)今年迎向高規(guī)格之爭(zhēng)

　　2015年由行動(dòng)裝置帶動(dòng)的高規(guī)格半導(dǎo)體之爭(zhēng)蓄勢(shì)待發(fā);行動(dòng)應(yīng)用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲(chǔ)存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導(dǎo)體需求增加，被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)新動(dòng)能。　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)的報(bào)導(dǎo)，智慧型手機(jī)的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導(dǎo)體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進(jìn)化到64位元，可望讓多工與資料處理
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淡季影響銷售，NAND Flash 供應(yīng)商 Q1 將供過(guò)于求

　　根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報(bào)告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn)，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷端的壓力影響營(yíng)收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下，品牌供應(yīng)商營(yíng)收僅較第三季成長(zhǎng) 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，因需求端面臨淡季效應(yīng)，2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過(guò)于求，在價(jià)格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下，業(yè)者將藉由加速先進(jìn)制程的轉(zhuǎn)進(jìn)，改善成本架構(gòu)，以減低價(jià)格跌幅的沖擊。　
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國(guó)際大廠找Mobile RAM貨源　敲開(kāi)與臺(tái)廠合作大門(mén)

　　存儲(chǔ)器廠持續(xù)在eMCP(eMMC結(jié)合MCP封裝)領(lǐng)域擴(kuò)大進(jìn)擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來(lái)臺(tái)尋找移動(dòng)式存儲(chǔ)器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長(zhǎng)約或包下產(chǎn)能，顯示國(guó)際存儲(chǔ)器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開(kāi)與臺(tái)廠合作大門(mén)。　　半導(dǎo)體業(yè)者透露，在三星電子和SK海力士主導(dǎo)下，智能型手機(jī)內(nèi)建存儲(chǔ)器規(guī)格從eMMC轉(zhuǎn)為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年?yáng)|芝??新帝陣營(yíng)將展開(kāi)大反撲。
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NAND Flash價(jià)格續(xù)滑　難擺脫供給過(guò)剩困境

　　由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應(yīng)量持續(xù)增加，造成價(jià)格連續(xù)兩個(gè)月下滑，業(yè)界預(yù)期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重，后續(xù)MLC產(chǎn)品價(jià)格下滑情況恐將更明顯。　　根據(jù)韓媒DigitalTimes報(bào)導(dǎo)，由于USB、硬碟與記憶卡市場(chǎng)進(jìn)入淡季，加上庫(kù)存堆積，導(dǎo)致NAND Flash價(jià)格走滑，市場(chǎng)供給過(guò)剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認(rèn)為目前NAND Flash下滑走勢(shì)雖大部分是受
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玻璃和金屬的精致結(jié)合大神X7拆機(jī)評(píng)測(cè)

　　大神X7作為大神最新的旗艦手機(jī)，不僅擁有出色的硬件配置，同時(shí)采用雙面玻璃加上一體成型鋁合金中框，做工非常精細(xì)，今天我們來(lái)將大神X7拆開(kāi)，看一下大神X7的做工用料，究竟大神X7做工有多精致。　　　　大神X7采用雙面玻璃工藝，而且手機(jī)沒(méi)有任何螺絲，所以拆解只能從后蓋開(kāi)始，因?yàn)楹笊w是采用雙面膠固定的。　　　　要將大神X7后蓋拆除必須將后蓋進(jìn)行加熱，讓雙面膠可以和后蓋分離，從而移除后蓋的后蓋。　　　　大神X7整個(gè)后蓋的背面都覆
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群聯(lián)砸3.8億入股宇瞻

　　儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠群聯(lián)(8299)昨(19)日宣布，參與記憶體模組廠宇瞻私募，將以每股25.38元、總金額3億8,070萬(wàn)元，取得宇瞻9.9%股權(quán)，成為宇瞻最大法人股東，雙方將攜手沖刺工控應(yīng)用固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)。　　群聯(lián)昨股價(jià)上漲2.5元，收在214.5元;宇瞻下跌0.25元，以31.4元作收。　　群聯(lián)斥資約3.8億元，取得宇瞻9.9%股權(quán)，成為最大法人股東。圖為群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成。本報(bào)系資料庫(kù) 　　分享　　上述私募價(jià)格是采依過(guò)去30個(gè)交易日均價(jià)31
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半導(dǎo)體事業(yè)關(guān)鍵時(shí)刻救了三星的面子與里子

　　三星電子(Samsung Electronics)日前發(fā)布2014年第4季暫定財(cái)報(bào)，營(yíng)收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元)，其中半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部貢獻(xiàn)達(dá)一半以上，可說(shuō)是最大功臣。　　據(jù)韓媒ChosunBiz報(bào)導(dǎo)，三星電子在1月8日發(fā)布2014年第4季暫定財(cái)報(bào)，業(yè)績(jī)終于跌回升，營(yíng)收為52兆韓元，營(yíng)業(yè)利益達(dá)5.2兆韓元。　　韓國(guó)KDB大宇證券推估，三星電子DS部門(mén)第4季貢獻(xiàn)營(yíng)業(yè)利益約2.9兆韓元，比IT暨移動(dòng)通訊(IM)事業(yè)部高出1兆韓元左右。第3季DS部門(mén)營(yíng)業(yè)利益(2
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創(chuàng)客作品：自制足球游戲解說(shuō)員

　　有時(shí)，在小型開(kāi)發(fā)板上分模塊地測(cè)試代碼，要比自己在大腦里想出整個(gè)完整的多模塊應(yīng)用更切實(shí)際。你要做的只是現(xiàn)在就著手，一行一行地編寫(xiě)代碼。　　周末我們打算在電子棋盤(pán)游戲系統(tǒng)上開(kāi)發(fā)幾款游戲。我們要做的是將思路轉(zhuǎn)化成實(shí)際的一款游戲，而非只是模糊的設(shè)計(jì)理念或想法。　　最終我們打算做一款虛擬足球游戲。假設(shè)您是玩家，請(qǐng)問(wèn)您是否更希望比賽時(shí)有同步的現(xiàn)場(chǎng)解說(shuō)呢?當(dāng)您控制球場(chǎng)上的角色，嘗試攔截、搶球但球卻不小心漏掉時(shí)，此時(shí)若恰好出現(xiàn)評(píng)論員或解說(shuō)員的聲音，您是否會(huì)更有身臨其境之感? 　　我們堅(jiān)信這款游戲定會(huì)很受歡迎
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nor flash介紹

NOR Flash存儲(chǔ)器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]