nor flash 文章進(jìn)入nor flash技術(shù)社區(qū)

P89C51RD2的可定制人機(jī)交互界面設(shè)計(jì)

　　引言　　隨著社會(huì)需要和科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)愈來愈激烈，更新的周期愈來愈短，因而要求設(shè)計(jì)者能很快地設(shè)計(jì)出新產(chǎn)品；而在產(chǎn)品的整體設(shè)計(jì)中，人機(jī)交互界面的設(shè)計(jì)往往占據(jù)著很大一部分工作，這樣，不但極大地增加了產(chǎn)品的開發(fā)成本而且延長(zhǎng)了產(chǎn)品的上市周期。本文論述的基于P89C51RD2的人機(jī)交互界面是一種界面可定制、結(jié)構(gòu)緊湊、價(jià)格低廉、簡(jiǎn)單易用、性能優(yōu)良的通用型人機(jī)交互界面，能很好地解決上述問題。　　1 系統(tǒng)工作原理　　1.1 工作原理　　按照實(shí)際應(yīng)用中控制系統(tǒng)的需要及控制系統(tǒng)與人機(jī)交互界面的
關(guān)鍵字：單片機(jī) 人機(jī)交互界面 LCD Flash

Flash外部配置器件在SOPC中的應(yīng)用

　　1 Flash在SOPC中的作用　　Flash在SOPC中的作用主要表現(xiàn)在兩方面：一方面，可用Flash來保存FPGA的配置文件，從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問題。當(dāng)系統(tǒng)上電后，從Flash中讀取配置文件，對(duì)FPGA進(jìn)行配置。另一方面，可用Flash來保存用戶程序。對(duì)于較為復(fù)雜的SOPC系統(tǒng)，用戶程序一般較大，用EPCS來存儲(chǔ)是不現(xiàn)實(shí)的。系統(tǒng)完成配置后，將Flash中的用戶程序轉(zhuǎn)移到外接RAM或片內(nèi)配置生成的RAM中，然后系統(tǒng)開始運(yùn)行。　　2 Flash編程的實(shí)現(xiàn) 　
關(guān)鍵字： FPGA SOPC Flash RAM NiosII

全球閃存市場(chǎng)達(dá)254億美元廠商Q4投身30nm制程

　　據(jù)外電報(bào)道，NAND Flash(閃存)制造廠制程技術(shù)持續(xù)不斷推進(jìn)，集邦科技表示，各Flash制造廠自今年第四季起將陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程技術(shù)。　　根據(jù)美光預(yù)估，今年全球NAND Flash市場(chǎng)可望增長(zhǎng)至254億美元規(guī)模，除了目前一般數(shù)字影音播放器、UFD(通用串行總線閃存儲(chǔ)存驅(qū)動(dòng)器)、記憶卡等應(yīng)用外，也相當(dāng)看好移動(dòng)儲(chǔ)存市場(chǎng)的發(fā)展?jié)摿Α? 　　為降低生產(chǎn)成本，強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力，NAND Flash制造廠持續(xù)不斷進(jìn)行制程技術(shù)微縮，其中IM Flash陣營(yíng)已宣示，34納米制程技術(shù)將于今年第四季投產(chǎn)。韓國(guó)三星電
關(guān)鍵字：閃存 NAND Flash 移動(dòng)儲(chǔ)存 30納米

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否進(jìn)入“無(wú)利潤(rùn)繁榮”時(shí)代？

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否進(jìn)入了“無(wú)利潤(rùn)繁榮”時(shí)代？半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否無(wú)法再獲得足夠的投資回報(bào)率來滿足空前高漲的產(chǎn)能需求？在美國(guó)加州HalfMoonBay舉行的“SEMI產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略座談會(huì)”（SEMIIndustryStrategySymposium）上，LamResearch總裁兼CEOStephenNewberry針對(duì)產(chǎn)業(yè)的狀態(tài)發(fā)表了觀點(diǎn)，并指出目前復(fù)雜的財(cái)務(wù)狀況用“無(wú)利潤(rùn)繁榮”來描述是再合適不過的了。Newberry的講話被與會(huì)者評(píng)價(jià)為此次座談
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 DRAM NAND NOR

國(guó)產(chǎn)8位MCU攻略

主要介紹了國(guó)產(chǎn)8位MCU芯片的市場(chǎng)、特點(diǎn)、發(fā)展中遇到的問題及服務(wù)。
關(guān)鍵字：國(guó)產(chǎn) 8位MCU OTP Flash 200806

龍旗控股授予Spansion 2007年度最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)

　　全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（Nasdaq：SPSN）今天宣布榮獲龍旗控股（“龍旗”）授予的2007年度最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)，這是Spansion連續(xù)二年獲得該公司頒發(fā)的獎(jiǎng)項(xiàng)。過去五年多來，Spansion一直為中國(guó)領(lǐng)先的手機(jī)設(shè)計(jì)提供商龍旗提供一系列廣泛的MirrorBit® NOR閃存器件。Spansion是唯一獲此殊榮的NOR閃存供應(yīng)商。　　隨著消費(fèi)者對(duì)手機(jī)更新需求的增長(zhǎng)，中國(guó)的移動(dòng)行業(yè)繼續(xù)保持強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭。消費(fèi)者通常希望所選擇的新手機(jī)中具有高清拍照
關(guān)鍵字： Spansion 龍旗閃存 NOR

磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器將挑戰(zhàn)閃存

　　磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）將優(yōu)于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導(dǎo)體正試圖證明這一點(diǎn)。　　根據(jù)消息，飛思卡爾半導(dǎo)體（前摩托羅拉公司芯片部門）周一宣布，它已經(jīng)獲得了幾個(gè)風(fēng)險(xiǎn)投資公司的加入。據(jù)悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨(dú)立技術(shù)公司，側(cè)重于研發(fā)制造MRAM（磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器），其目的是為了“擴(kuò)大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場(chǎng)份額”。　　MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結(jié)合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
關(guān)鍵字： MRAM 快閃記憶體 Flash DRAM Everspin

汽車MCU演繹四大發(fā)展趨勢(shì)

過去幾年里，平均一部汽車大約會(huì)用到20顆MCU，而現(xiàn)在汽車中使用的MCU數(shù)量已達(dá)40-60顆，部分高檔轎車MCU數(shù)量已經(jīng)達(dá)到上百顆。2004年，全球汽車半導(dǎo)體的收入是160億美元，其中汽車MCU的銷售收入就占到34%。據(jù)預(yù)測(cè)，2005年，汽車MCU所占比例還將保持這一數(shù)字。? 　　目前，汽車MCU已經(jīng)進(jìn)入汽車動(dòng)力系統(tǒng)、汽車安防系統(tǒng)、汽車娛樂系統(tǒng)、汽車導(dǎo)航與遠(yuǎn)程通信系統(tǒng)，這些系統(tǒng)對(duì)汽車MCU提出了不同的要求，推動(dòng)汽車MCU不斷發(fā)展。汽車MCU在提高性能的同時(shí)，在應(yīng)用上也將以不同于消費(fèi)、通信中的應(yīng)
關(guān)鍵字：汽車電子 MCU Flash MCU

08年全球MP3/PMP將托起閃存芯片銷量

　　MP3/PMP市場(chǎng)在經(jīng)過4Q07傳統(tǒng)旺季的促銷熱賣，達(dá)到單季6,300萬(wàn)臺(tái)以上的銷售紀(jì)錄后，1Q08在淡季因素的效應(yīng)影響下，出貨量銳減至4,258萬(wàn)臺(tái)。以目前全球MP3/PMP市場(chǎng)來看，Apple仍是MP3/PMP市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)品牌，今年第一季Apple在北美MP3/PMP市場(chǎng)的市占率達(dá)73%，全球市場(chǎng)其它的一線品牌尚包含Samsung、SanDisk、Sony、Creative與Philips等。　　單以Apple目前的iPod系列產(chǎn)品來看，最引人關(guān)注的是高階機(jī)種iPod Touch在2008年2月
關(guān)鍵字：閃存芯片 MP3 PMP NAND Flash

基于GPRS的遠(yuǎn)程心電實(shí)時(shí)監(jiān)護(hù)儀軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　當(dāng)今社會(huì)，心臟疾病已嚴(yán)重影響了人們的生命安全，許多突發(fā)患者因得不到及時(shí)救治而使生命受到威脅。傳統(tǒng)的心電監(jiān)護(hù)設(shè)備限制了患者的自由，動(dòng)態(tài)心電記錄儀（Holter）雖能便攜地記錄患者日?；顒?dòng)時(shí)的心電數(shù)據(jù)，但是沒有實(shí)時(shí)監(jiān)護(hù)功能，對(duì)于危及生命的突發(fā)心臟病變幫助不大。　　無(wú)線通信技術(shù)的日漸成熟使便攜式心電實(shí)時(shí)監(jiān)護(hù)成為可能。利用GPRS無(wú)線數(shù)據(jù)通信技術(shù)，可將實(shí)時(shí)監(jiān)護(hù)功能與Holter結(jié)合起來。患者可以配戴監(jiān)護(hù)儀自由活動(dòng)，同時(shí)可隨時(shí)隨地得到心電監(jiān)護(hù)。緊急情況發(fā)生時(shí)，患者掌握著可靠的求生路徑；而醫(yī)生可根據(jù)全面的心電
關(guān)鍵字： GPRS 遠(yuǎn)程監(jiān)護(hù)儀心電實(shí)時(shí) Holter 單片機(jī) 電源 NAND Flash LCD GSM/GPRS無(wú)線通信

基于ARM9內(nèi)核Processor對(duì)外部NAND FLASH的控制實(shí)現(xiàn)

目前流行的ARM9 CPU中,沒有集成NAND FLASH的控制器,可以通過使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,實(shí)現(xiàn)對(duì)外部NAND FLASH的控制.實(shí)測(cè)結(jié)果顯示,用8 b I/O的NAND FLASH,在文件系統(tǒng)下讀/寫的速度為3 MB/s,擦除的速度為65 MB/s,滿足現(xiàn)在流行手持設(shè)備對(duì)Memory的要求.
關(guān)鍵字： Processor FLASH ARM9 NAND

NAND Flash毛利率不復(fù)當(dāng)年新帝全球裁員

　　受到NAND Flash價(jià)格直落影響，原本在快閃記憶卡產(chǎn)業(yè)執(zhí)牛耳地位的新帝(SanDisk)，日前無(wú)預(yù)警全球大裁員，這次裁員幅度約10分之1。目前以美國(guó)總部作為初步的縮減人力計(jì)劃區(qū)域，但其它地區(qū)包括亞洲在內(nèi)，不排除有進(jìn)一步縮減人力的計(jì)劃。　　事實(shí)上，新帝在2年前合并以色列儲(chǔ)存廠商msystems和近幾年面臨幾波NAND Flash大崩盤之后，新帝的營(yíng)運(yùn)組織就一直在改組，但這次是首度大規(guī)模裁員，也使得內(nèi)部員工人心惶惶。　　新帝的營(yíng)運(yùn)業(yè)務(wù)涵蓋上游NAND Flash生產(chǎn)制造、NAND Flash控
關(guān)鍵字： NAND Flash 記憶卡新帝 SanDisk

嵌入式Flash Memory Cell技術(shù)

1概述隨著數(shù)碼時(shí)代的來臨，除了PC外，越來越多的數(shù)碼信息產(chǎn)品正在或即將進(jìn)入我們的家庭：移動(dòng)電話、掌...
關(guān)鍵字：非揮發(fā)性存儲(chǔ) 結(jié)構(gòu) 單元設(shè)計(jì) NOR 發(fā)射

一種在片上系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)Nand Flash控制器的方法

　　1　引　言　　Flash因?yàn)榫哂蟹且资约翱刹脸栽跀?shù)碼相機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備中得到廣泛的應(yīng)用。自1989年?yáng)|芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)以來, Nand Flash以其相對(duì)于Nor Flash具有更小的體積,更快的寫入和擦除速度,更多次的可擦除次數(shù),以及更低廉的每bit價(jià)格得到了迅速發(fā)展。大容量的Nand Flash特別適合現(xiàn)在數(shù)碼設(shè)備中大數(shù)據(jù)量的存儲(chǔ)攜帶,可以降低成本,提高性能。　　ARM7TDMI是世界上廣泛使用的32位嵌入式RIS
關(guān)鍵字： Flash ARM SoC

DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器的接口設(shè)計(jì)

DSP與FLASH存儲(chǔ)器的接口設(shè)計(jì)是嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一項(xiàng)重要技術(shù)，本文以基于三個(gè)C6201／C6701 DSP芯片開發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實(shí)時(shí)系統(tǒng)為例，介紹這一設(shè)計(jì)技術(shù)。
關(guān)鍵字： FLASH DSP 處理器存儲(chǔ)器

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nor flash介紹

NOR Flash存儲(chǔ)器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]