首頁(yè)　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> pc dram

供給有限、需求強(qiáng)勁　DRAM產(chǎn)業(yè)可連賺三年

  • 　　根據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測(cè)，從今年到2012年，DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴(kuò)充、資本支出、浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)供給有限，以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進(jìn)難度高影響下，位成長(zhǎng)有限。而DRAM需求在全球景氣復(fù)蘇，帶動(dòng)消費(fèi)者及企業(yè)換機(jī)潮，以及智能型手機(jī)帶動(dòng)行動(dòng)內(nèi)存需求大幅成長(zhǎng)下則將動(dòng)力強(qiáng)勁，預(yù)期未來(lái)三年DRAM產(chǎn)業(yè)有機(jī)會(huì)連續(xù)獲利。 　　DRAMeXchange指出，DRAM產(chǎn)業(yè)過(guò)去十幾年來(lái)，幾乎每三年為一景氣循環(huán)周期，以DRAM廠的營(yíng)業(yè)獲利率分析，2001至2003年DRAM產(chǎn)業(yè)連續(xù)三年虧損，2004至2006年轉(zhuǎn)
  • 關(guān)鍵字： 智能手機(jī)  DRAM  40nm  

三星美光反對(duì)擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能

  • 　　近期內(nèi)存價(jià)格的持續(xù)上漲讓DRAM芯片廠商嘗到了甜頭，不過(guò)在包括三星、美光、力晶等在內(nèi)的DRAM廠商看來(lái)，好光景來(lái)之不易，不應(yīng)該一味擴(kuò)大產(chǎn)能惡性競(jìng)爭(zhēng)而重新導(dǎo)致DRAM內(nèi)存暴跌。 　　韓國(guó)三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉日前表示，DRAM制造商不應(yīng)該盲目擴(kuò)大產(chǎn)能，而應(yīng)當(dāng)把大規(guī)模投資放在提升技術(shù)水平上。美國(guó)美光官方近日也表示，今年無(wú)意擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能，而是將全力投入制造工藝升級(jí)，進(jìn)一步增強(qiáng)其在DRAM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體董事長(zhǎng)黃崇仁同樣認(rèn)為，廠商們?cè)趯?duì)待產(chǎn)能的問(wèn)題上應(yīng)當(dāng)更加謹(jǐn)慎，避免重蹈當(dāng)年的覆轍。 　
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

英飛凌對(duì)爾必達(dá)提專利侵權(quán)訴訟 美ITC展開(kāi)調(diào)查

  • 　　據(jù)外電報(bào)道，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(USITC)將對(duì)DRAM半導(dǎo)體、產(chǎn)品、記憶模塊展開(kāi)調(diào)查，因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權(quán)指控。 　　英飛凌方面稱，爾必達(dá)制造并向美國(guó)進(jìn)口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導(dǎo)體制程和元件制造方面4項(xiàng)重要發(fā)明專利，涉嫌不公平貿(mào)易。通過(guò)訴訟以尋求USITC下達(dá)禁令，禁止?fàn)柋剡_(dá)或以爾必達(dá)的名義，向美國(guó)進(jìn)口侵犯英飛凌專利的DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品。 　　被調(diào)查的企業(yè)名單 　　USITC表示，將依據(jù)1930年美國(guó)關(guān)稅法第337條，對(duì)下列廠商展開(kāi)調(diào)查，包括日商爾必
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  DRAM  

芯片缺很大 電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦

  • 　　由于ODM/OEM廠對(duì)第2季及第3季的旺季需求期待甚高，芯片缺貨問(wèn)題持續(xù)延燒，除了繪圖芯片及整流二極管持續(xù)供貨短缺外，電源管理IC、NOR閃存、LCD驅(qū)動(dòng)IC、功率放大器(PA)等產(chǎn)品線均出現(xiàn)供給缺口。隨著芯片供貨商3月起陸續(xù)漲價(jià)5%至10%,但電子終端產(chǎn)品價(jià)格并未跟進(jìn)調(diào)漲，顯示今年電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦已成定局。 　　根據(jù)通路業(yè)者指出，今年中國(guó)農(nóng)歷年期間因終端市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，大幅去化芯片庫(kù)存，去年底就缺貨的繪圖芯片、整流二極管、金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)等，現(xiàn)在仍有10%左右的供給缺口，另包括電源
  • 關(guān)鍵字： 電源管理  NOR閃存  DRAM  

三星、力晶猛喊節(jié)制擴(kuò)產(chǎn)　DRAM廠：高手過(guò)招戲碼

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)社長(zhǎng)權(quán)五鉉(Dr. Oh-Hyun Kwon)16日來(lái)臺(tái)參加全球半導(dǎo)體聯(lián)盟(GSA)論壇，吸引DRAM業(yè)者紛前來(lái)聆聽(tīng)龍頭廠對(duì)景氣風(fēng)向球。權(quán)五鉉表示，2010年下半DRAM價(jià)格可以維持穩(wěn)定，未來(lái)DRAM業(yè)者不應(yīng)一昧地追求價(jià)格和成本，而是要節(jié)制瘋狂擴(kuò)充產(chǎn)能;力晶董事長(zhǎng)黃崇仁在現(xiàn)場(chǎng)亦舉手建言，呼吁大家不要再亂投資擴(kuò)產(chǎn)，要追求合理價(jià)格更勝于超額利潤(rùn);此番臺(tái)、韓存儲(chǔ)器廠高層過(guò)招，成為整個(gè)論壇最大高潮。 　　權(quán)五鉉16日在GSA論壇發(fā)表有關(guān)半導(dǎo)體市場(chǎng)及
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  DDR3  

DRAM好 3年LED電視滲透率升

  • 　　美銀美林證券臺(tái)灣投資論壇邁入第2天，會(huì)場(chǎng)聚焦DRAM、手機(jī)和LED產(chǎn)業(yè)，業(yè)者紛紛釋出樂(lè)觀看法，包括DRAM未來(lái)2、3年產(chǎn)業(yè)展望都樂(lè)觀，LED背光液晶電視年底滲透率上看35%. 　　美銀美林證券臺(tái)灣投資論壇邁入第2天，今天會(huì)議部份正式展開(kāi)，并邀請(qǐng)到意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)與恒憶公司(Numonyx)顧問(wèn)暨前任資深主管Rolf Seibl演講，暢談中國(guó)大陸山寨手機(jī)市場(chǎng)。他指出，中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)有8成是山寨手機(jī)，所以聯(lián)發(fā)科市場(chǎng)廣大。 　　今天受邀出席論壇演講的華亞科總經(jīng)理高啟全指出
  • 關(guān)鍵字： Numonyx  DRAM  LED  手機(jī)  

IC Insight大幅提高2010年全球半導(dǎo)體增長(zhǎng)預(yù)測(cè)達(dá)27%

  • 　　市場(chǎng)調(diào)研公司IC Insight調(diào)整2010年全球半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測(cè), 估計(jì)增長(zhǎng)27%,達(dá)2530億美元。 　　并同時(shí)預(yù)測(cè)2011年半導(dǎo)體銷售額再增長(zhǎng)15%,達(dá)2900億美元。 　　按IC Insight的最新說(shuō)法表明比之前較好的2007年的2340億美元還好, 達(dá)到近期單年的最高增長(zhǎng)值。 　　按SIA的數(shù)據(jù)IC Insight曾在今年1月時(shí)預(yù)測(cè)2009年全球半導(dǎo)體下降9%,及2010年增長(zhǎng)15%的預(yù)測(cè), 此次又作了新的調(diào)整。 　　推動(dòng)今年半導(dǎo)體增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?lái)自全球DRAM產(chǎn)業(yè), 由于其
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  存儲(chǔ)器  

力晶將今年資本支出目標(biāo)定為新臺(tái)幣110億元

  • 　　力晶半導(dǎo)體股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., 5346.OT)發(fā)言人譚仲民(Eric Tang)周三表示，公司將今年的資本支出目標(biāo)定為新臺(tái)幣110億元。 　　譚仲民稱，其中大部分資本支出將用于把公司的晶片生產(chǎn)技術(shù)從65納米技術(shù)升級(jí)到40納米技術(shù)。 今年1月初，力晶半導(dǎo)體曾表示，將于2010年下半年開(kāi)始對(duì)40納米制程進(jìn)行測(cè)試。 譚仲民稱，由于現(xiàn)金充裕，公司目前沒(méi)有融資計(jì)劃。他稱，力晶半導(dǎo)體2009年的資本支出規(guī)模“很小”。但他拒絕透露具體數(shù)據(jù)
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  

09年臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值小衰退7.2%　優(yōu)于全球

  • 　　工研院IEKITIS計(jì)劃日前公布2009年第四季及2009年全年度臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況;2009年第四季臺(tái)灣整體IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值(含設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試)達(dá)新臺(tái)幣3,779億元，較上季(09Q3)成長(zhǎng)2.5%,較去年同期(08Q4)成長(zhǎng)42.0%. 　　2009全年臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)12,497億元，較2008年衰退7.2%,優(yōu)于全球半導(dǎo)體之成長(zhǎng)率。2009年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)全年總銷售值達(dá)2,263億美元，較2008年衰退9.0%;總銷售量達(dá)5,293億顆，較2008年衰退5.5%;2009年ASP為0.
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  晶圓代工  DRAM  

爾必達(dá)計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)Spansion閃存資產(chǎn)

  • 　　3月4日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，爾必達(dá)公司今日表示，計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。Spansion是由日本富士通和AMD組建的合資企業(yè)，該公司去年3月申請(qǐng)破產(chǎn)。 　　爾必達(dá)記憶體將斥資30-50億日元(合3400-5700萬(wàn)美元)收購(gòu)Spansion的NAND相關(guān)資產(chǎn)，其中包括在意大利的一個(gè)研發(fā)工廠。 　　爾必達(dá)希望提供半導(dǎo)體模組，結(jié)合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋(píng)果iPhone等智能手機(jī)方面的運(yùn)用增長(zhǎng)趨勢(shì)明顯，爾必達(dá)正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導(dǎo)體
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  NAND閃存  DRAM  

市場(chǎng)調(diào)研公司開(kāi)始對(duì)于2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)作第一次修正

  • 　　全球1月半導(dǎo)體的銷售額數(shù)據(jù)出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預(yù)測(cè)。為什么如此迫不及待，值得思考。 　　按SIA總裁的看法,全球半導(dǎo)體銷售額1月的最新數(shù)據(jù)(三個(gè)月的移動(dòng)平均值) 比12月的225億美元上升0,3%,分析推動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)在眾多方面, 包括計(jì)算機(jī), 手機(jī), 汽車(chē)電子和工業(yè)應(yīng)用。如果與去年同期相比, 銷售額增長(zhǎng)達(dá)47%,顯然與09年1月時(shí)正值全球的最低點(diǎn)有關(guān)。 　　   　　SIA總裁Scalise認(rèn)為,傳統(tǒng)上因?yàn)榧竟?jié)的原因, 通常1月會(huì)比12月有所下降, 所以
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  汽車(chē)電子  DRAM  NAND閃存  

南亞科大擴(kuò)產(chǎn)　12寸廠拉升至5萬(wàn)片

  • 　　臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM大廠南亞科日前決定進(jìn)行大擴(kuò)產(chǎn)，原本規(guī)劃將12寸晶圓廠產(chǎn)能從現(xiàn)有3萬(wàn)片提升至3.6萬(wàn)片，現(xiàn)在計(jì)劃一舉提升產(chǎn)能至5萬(wàn)片水平，因此將再增加250名員工，整體員工人數(shù)將達(dá)4,250人;總經(jīng)理連日昌表示，目前12寸晶圓廠已回復(fù)至3萬(wàn)片的投片量，以68奈米制程為主，預(yù)計(jì)第2季68奈米和50奈米比重可各占一半。再者，預(yù)計(jì)南亞科2010年資本支出將擴(kuò)大至新臺(tái)幣200億~250億元水平。 　　南亞科是這一波DRAM景氣復(fù)蘇之后，唯一宣布擴(kuò)產(chǎn)的業(yè)者，且擴(kuò)產(chǎn)幅度不斷加碼，顯示公司對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看
  • 關(guān)鍵字： 南亞科  DRAM  晶圓  

日本爾必達(dá)計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)Spansion閃存資產(chǎn)

  • 　　日本爾必達(dá)周四稱，計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。 　　爾必達(dá)希望提供半導(dǎo)體模組，結(jié)合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋(píng)果iPhone等智能手機(jī)方面的運(yùn)用愈發(fā)增加。爾必達(dá)正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導(dǎo)體。 　　爾必達(dá)發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，該公司正在就獲得Spansion的閃存技術(shù)，及意大利的四五十名工程師進(jìn)行談判。他拒絕就該公司將為該收購(gòu)案斥資的規(guī)模進(jìn)行評(píng)論。 　　日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)稱，爾必達(dá)記憶體將斥資30-50億日?qǐng)A(合3400-5
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  

美光攜手南亞科技開(kāi)發(fā)20納米芯片制程技術(shù)

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)灣南亞科技總裁連日昌周三表示，公司目前正在與合作伙伴美光科技聯(lián)手，共同為未來(lái)的DRAM生產(chǎn)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的20納米芯片制程技術(shù)。 　　這 項(xiàng)先進(jìn)的芯片制程技術(shù)有助于提高芯片性能、減少芯片耗電量、降低芯片生產(chǎn)成本。連日昌周三在臺(tái)北的一次媒體活動(dòng)中說(shuō)，企業(yè)要想在未來(lái)五年的DRAM市場(chǎng)上 保持競(jìng)爭(zhēng)力，擁有領(lǐng)先技術(shù)至關(guān)重要。 　　采用20納米制程技術(shù)生產(chǎn)芯片將有助美光和南亞科技與業(yè)界領(lǐng)先企業(yè)三星電子展開(kāi)更加有效的競(jìng)爭(zhēng)。當(dāng)前，三星已經(jīng)在它的生產(chǎn)線上采用了30納米芯片制程技術(shù)。三星稱，使用30納米
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  DRAM  20納米  

DDR3測(cè)試產(chǎn)能不足　DRAM封測(cè)廠加緊進(jìn)設(shè)備

  • 　　隨著各家DRAM廠加快腳步轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3，對(duì)后段廠而言，封裝產(chǎn)能利用率處于高檔，然測(cè)試、預(yù)燒等相關(guān)產(chǎn)能則呈不足現(xiàn)象，各家封測(cè)廠上演搶機(jī)臺(tái)戲碼，希望能夠盡量提前讓機(jī)臺(tái)進(jìn)駐廠區(qū)，隨著工作天數(shù)恢復(fù)正常，存儲(chǔ)器封測(cè)廠3月接單熱絡(luò)，預(yù)期單月?tīng)I(yíng)收應(yīng)可處于歷史高檔水平。 　　受惠于2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)復(fù)蘇，以及DDR2轉(zhuǎn)換至DDR3速度加快，力成訂單能見(jiàn)度延展至6~7月，華東也看到4月訂單。整體產(chǎn)能利用率依舊維持滿載，客戶端需求非常強(qiáng)勁，產(chǎn)出速度還跟不上訂單的腳步。尤其在測(cè)試部分，卡在測(cè)試機(jī)臺(tái)供應(yīng)不及，測(cè)試產(chǎn)能不足
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  DDR3  
共1829條 87/122 |‹ « 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 » ›|

pc dram介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條pc dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)pc dram的理解，并與今后在此搜索pc dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473