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臺系DRAM廠3Q虧損175億元　4Q可望飛越損平點

  • 　　受惠DRAM價格谷底翻身，臺系DRAM廠第3季虧損金額大幅縮小，合計力晶、茂德、南亞科和華亞科4家DRAM廠共虧新臺幣175億元，累計前3季虧損731億元，其中茂德虧損最多，華亞科虧損金額最小，展望第4季，DRAM價格持續(xù)走強越過2.5美元后，頗有朝3美元的實力，各廠全產(chǎn)能投片后，可望力拼單月?lián)p益兩平，其中力晶旗下瑞晶第3季已轉(zhuǎn)虧為盈，力晶董事長黃崇仁也表示，若報價維持在2.5美元水平，第4季也有機會擠身獲利之林。 　　DRAM 產(chǎn)業(yè)在2008年此時受到供過于求嚴(yán)重失衡的影響，虧損嚴(yán)重到一度將存儲器
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Gartner：PC廠商在手機市場不會有太大作為

  • 　　據(jù)國外媒體報道，Gartner近日指出，PC市場的低迷和智能手機市場的蓬勃發(fā)展將推動PC廠商紛紛進(jìn)軍手機市場。 　　當(dāng)前，戴爾、宏碁和聯(lián)想等PC廠商均已涉足智能手機市場。但Gartner認(rèn)為，由于不了解手機用戶消費習(xí)慣等諸多因素，PC廠商短期內(nèi)不可能在手機市場獲得太多份額。 　　Gartner分析師羅伯塔·科扎(RobertaCozza)稱：“手機用戶的消費習(xí)慣，競爭力，產(chǎn)品定位，與運營商關(guān)系等，都是PC廠商短期內(nèi)需要克服的問題。” 　　而且，由于市場競爭日
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Intel宣布一項技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米

  • 　　英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 　　英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲屬性縮小到一個內(nèi)存類. 　　This image shows phase-change memory bu
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2009 年外置硬盤驅(qū)動器出貨量預(yù)計增長 20%

  • 　　2009 年對于存儲市場來說沒有太多的利好消息。因此，如果聽說今年外部硬盤驅(qū)動器(HDD)的單位出貨量預(yù)計將比 2008 年長 20%，你是否會感到驚訝? 　　這與 PC 出貨量形成鮮明對比。iSuppli 公司預(yù)測，2009 年 PC 出貨量將下降 3.5%。更有趣的是，盡管已經(jīng)顯露飽和跡象，但 iSuppli 公司預(yù)計外部 HDD 領(lǐng)域?qū)⒗^續(xù)穩(wěn)步增長。 　　適合上網(wǎng)本 　　外部硬盤銷量在 2009 年劇增，原因之一是上網(wǎng)本市場獲得成功。外部硬盤是上網(wǎng)本的自然之選，因為這些小型便攜式電腦的存儲
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福布斯:亞洲芯片商前景樂觀 下滑趨勢將結(jié)束

  • 　　據(jù)國外媒體報道，數(shù)家亞洲大型芯片廠商財報預(yù)期顯示，本季度有望實現(xiàn)數(shù)年來的首次扭虧為盈，芯片下滑趨勢或?qū)⒔Y(jié)束。 　　三星電子本月初表示，其季度利潤有望超市場預(yù)期，分析師對其預(yù)期為每股收益1.98萬韓元(約合16.83美元)。 　　投行Macquarie Group對三星股票評級為“表現(xiàn)突出”(outperform)，將三星目標(biāo)股價由84萬韓元調(diào)高至90萬韓元。該投行在研究報告中稱，因三星上半年收益強勁，預(yù)計其股價將持續(xù)上漲。周一，三星股價在首爾股票交易所收盤于75.3萬韓元(
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宣明智：DRAM年年都要過冬　該做的就做

  • 　　盡管上周南亞科及華亞科法說會時，公司對于DRAM市場多抱持樂觀看法，不過臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)董事長宣明智26日上午參觀臺灣寬頻通訊展時卻表達(dá)保守看法，認(rèn)為DRAM年年都要過冬，對DRAM景氣沒有那么樂觀，針對DRAM產(chǎn)業(yè)再造合并時機已過，他則表示，該做的就做。 　　對于近期DRAM價格回穩(wěn)，宣明智認(rèn)為價錢回到成本以上是好事情，2008年在大家盲目競爭情況下，DRAM價格殺到低于變動成本，目前DRAM市場價位回升，也頗為合理，宣明智表示，希望能大家都夠抓住機會，掌握未來競爭條件，這樣才能讓整
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TFC是政治正確產(chǎn)物 TIMC不能沉默是金

  • 　　力晶宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)的消息，對內(nèi)存產(chǎn)業(yè)無疑是一枚深水炸彈，不論就技術(shù)自主、產(chǎn)能整合和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新等條件上，TFC都是力晶精心策劃下的「政治正確」產(chǎn)物，從條件論而言，“經(jīng)濟部"很難直接拒絕TFC計劃，尤其是現(xiàn)在臺灣創(chuàng)新內(nèi)存(TIMC)的技術(shù)來源爾必達(dá)(Elpida)在日本政府資金介入后，傳出不讓臺灣地區(qū)政府投資的謠言不絕于耳，力晶在此時拿出TFC計劃，就算不能獲得政府補助，也達(dá)到破壞TIMC的目的，臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合大戲未來要如何演下去，在各廠底
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今年第二三季度DRAM內(nèi)存芯片業(yè)強勁復(fù)蘇

  • 　　市場研究公司iSuppli稱，今年第二、三季度DRAM內(nèi)存芯片銷售額和價格環(huán)比增幅創(chuàng)下過去5年來的最高記錄，這表明市場正在復(fù)蘇，這一趨勢將至少持續(xù)到明年。 　　據(jù)國外媒體報道稱，iSuppli發(fā)布的初步統(tǒng)計數(shù)字顯示，第三季度全球DRAM芯片銷售額環(huán)比增長了35%，第二季度環(huán)比增長了34%。iSuppli分析師邁克·霍華德發(fā)表聲明稱，這些數(shù)字表明DRAM市場確實在復(fù)蘇中，價格的持續(xù)增長是DRAM內(nèi)存芯片走出低迷的又一個跡象。 　　iSuppli表示，過去兩個季度終結(jié)了DRAM內(nèi)存芯片銷
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海力士半導(dǎo)體預(yù)期第四季DRAM價格上揚 明年市場趨緊

  • 　　韓國海力士半導(dǎo)體預(yù)估，動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)晶片市場將在第四季維持強勁，并指出合約價格可能在11月進(jìn)一步揚升，12月時趨穩(wěn)。 　　海力士公司主管在投資人電話會議中稱，由于產(chǎn)業(yè)供應(yīng)增長有限，2010年料出現(xiàn)DRAM短缺。 　　他們表示，低耗能的高速DDR3晶片將在明年第一季成為DRAM市場的主流。
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iSuppli：DRAM業(yè)復(fù)蘇 2010年可望延續(xù)

  • 　　研究機構(gòu)iSuppli表示，第2、第3季DRAM銷售額與價格連續(xù)增長的幅度，至少創(chuàng)下5年來之最。該機構(gòu)遂看好產(chǎn)業(yè)后市，2010年也將持續(xù)復(fù)蘇。 　　據(jù)國外媒體報道，根據(jù)iSuppli初步預(yù)測，第3季全球DRAM銷售額季增35%，第2季則增長34%;全球DRAM平均售價上漲21%，同樣超越第2季增幅的19%。 　　iSuppli表示，就全年銷售額來看，全球DRAM市場自2007年起連續(xù)衰退后，今年雖有第2、第3季的支撐，但由于首季表現(xiàn)太差，2009全年仍將下滑12.9%。 　　2007年全球DRA
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內(nèi)存市場價量普漲，存儲廠商轉(zhuǎn)虧為盈

  • 　　最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。 　　9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4% 　　9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。D
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北卡羅萊納州立大學(xué)開發(fā)出1TB小型內(nèi)存技術(shù)

  • 　　北卡羅萊納州立大學(xué)的工程師聲稱已經(jīng)開發(fā)出一種比人的指甲還要小的芯片，它可以加大目前DRAM內(nèi)存芯片的容量50倍，理論上可以實現(xiàn)一個指甲大小的芯片寸1TB數(shù)據(jù)。 　　學(xué)校的材料科學(xué)與工程系教授Jagdish Narayan表示他通過添加鎳、氧化鎂，混合金屬和陶瓷來完成了數(shù)據(jù)存儲容量的改變，新的合金鎳原子占用空間不到10平方納米，最困難的挑戰(zhàn)就是精確的納米點和讀取方式，目前通過使用脈沖層，研究人員就能夠?qū)崿F(xiàn)對過程的控制。 　　Jagdish Narayan認(rèn)為，原型產(chǎn)品可在1-2年出現(xiàn)，而且價格并不比
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南亞科、華亞科沖刺50納米　明年資本支出逾600億新臺幣

  • 　　臺塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科和華亞科2009年第3季虧損均大幅縮小，并紛摩拳擦掌準(zhǔn)備沖刺先進(jìn)制程，其中，南亞科10月中已全數(shù)轉(zhuǎn)換至 68納米制程，首批50納米產(chǎn)品已試產(chǎn)成功，目標(biāo)2010年第2季全數(shù)轉(zhuǎn)至50納米制程，屆時將全數(shù)出貨2Gb DDR3芯片，趕搭DDR3主流列車;華亞科則預(yù)計2010年第1季50納米制程量產(chǎn)，2010年底旗下13萬片12寸晶圓廠產(chǎn)能全轉(zhuǎn)至50納米制程，南亞科和華亞科2010年資本支出合計將達(dá)640億元，主要用于50納米制程。 　　南亞科和華亞科第3季營運表現(xiàn)明顯好轉(zhuǎn)，對于先
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南亞科2010年DRAM產(chǎn)業(yè)可望回到1995年榮景

  • 　　隨著DRAM價格開始反彈，南亞科和華亞科財報虧損金額大幅減少，南亞科發(fā)言人白培霖指出，11月DRAM合約價可持續(xù)成長，更看好PC市場因為Vista因素，累計整整3年未換機的能量，加上近2年DRAM產(chǎn)業(yè)都沒有新產(chǎn)能開出，將在2010年出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，甚至重演1995年DRAM產(chǎn)業(yè)的黃金年代，當(dāng)時1年的DRAM產(chǎn)值超過400億美元，達(dá)到史上最高紀(jì)錄。 　　白培霖指出，2009年DRAM合約價從8月開始，每個月以成長20%的速度往上調(diào)，11月DRAM合約價可持續(xù)成長近2個月DDR3幾乎是持平，主要漲幅
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力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元

  • 　　“經(jīng)濟部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺塑集團(tuán)旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術(shù)，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟部”所要求技術(shù)扎根條件，未來力晶
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