- 據(jù)IC Insights預測,2017年的IC市場增長率有望提高到22%,較今年年中預期的16%再提升6個百分點,出貨量增長率預測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。
此外,IC Insights同時調稿對O-S-D(光電子,傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預測??傮w而言,2017年半導體產業(yè)整體預計增長達20%,比年中預期調高5個百分點。
2017年,IC Insights預測DRAM的平均售價將大漲77%,預計今年將推動DRAM
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DRAM NAND
- 近期,DRAM 價格持續(xù)大漲使許多廠商吃不消,陸續(xù)調漲產品價格,消費者也抱怨連連。這波漲勢何時停止,目前看來短期幾乎不可能,只能期望價格不要一次漲太多就已萬幸了。
集邦科技旗下 DRAMeXchange 最新調查報告指出,進入第 4 季后,三星、SK 海力士、美光這三大 DRAM 顆粒廠商都基本規(guī)劃好 2018 年的發(fā)展。由于資本支出都趨保守,意味著大規(guī)模產能擴張已不可能,甚至制程技術前進的腳步也會緩下來。DRAM 大廠在 2018 年的首要目標,就是獲得持續(xù)且穩(wěn)定的利潤,價格至少維持 2017
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DRAM 晶圓
- 淺談存儲器體系結構的未來發(fā)展趨勢-對存儲器帶寬的追求成為系統(tǒng)設計最突出的主題。SoC設計人員無論是使用ASIC還是FPGA技術,其思考的核心都是必須規(guī)劃、設計并實現(xiàn)存儲器。系統(tǒng)設計人員必須清楚的理解存儲器數(shù)據(jù)流模式,以及芯片設計人員建立的端口。即使是存儲器供應商也面臨DDR的退出,要理解系統(tǒng)行為,以便找到持續(xù)發(fā)展的新方法。
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存儲器 SOC DRAM
- DRAM/NAND都是啥?科普內存和硬盤的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機的不斷推廣和普及,已掩蓋電腦時代的輝煌,很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
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DRAM NAND 存儲器
- 去年我們曾經對存儲器產業(yè)進行分析,認為存儲器產業(yè)在2016~2017年是恢復秩序且有機會成長的產業(yè),時至今日,雖然存儲器大廠持續(xù)邁向新制程發(fā)展,但由于市場寡占,主要大廠對于新產能擴充仍相當自律,加上電子化產品對于存儲器的需求持續(xù)提升,因此在這1年間,存儲器變成了洛陽紙貴的零組件。
尤其到了第3季旺季,存儲器需求更是熱絡,報價持續(xù)走揚,預期2017年對于存儲器產業(yè)來說將是豐收的1年,受惠智能手機存儲器容量升級,服務器/數(shù)據(jù)中心的強勁需求,2018年存儲器需求亦可望持續(xù)成長。
從需求部分來看,
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存儲器 DRAM
- 研調機構Gartner預估,今年全球半導體產值可望達4111億美元,將較去年成長19.7%,是7年來成長最強勁的一年。
Gartner指出,存儲器供不應求,尤其是動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM),是驅動今年整體半導體業(yè)產值成長的主要動力。隨著存儲器成本增加,材料清單成本高于電子設備部分,Gartner表示,已有代工廠調高價格因應。
展望未來,Gartner預期,明年全球半導體產值可望進一步攀高至4274億美元,將較今年再成長4%;只是隨著供應商增產,存儲器市場恐將反轉,2019年全球半導體產
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存儲器 DRAM
- 據(jù)外媒報道,DRAMeXchange的最新報告指出,用于移動設備的LPDDR DRAM協(xié)議價在今年第四季度將上漲10%~15%。
此前,LPDDR的價格是低于PC、服務器等平臺的,但這些年需求越來越猛,生產企業(yè)們也開始打起高利潤的主意。所以,不排除一些已經發(fā)布的千元機和尚未發(fā)布的千元機會在其售價上做出調整的可能。而旗艦機方面,因為本身緩沖空間較大,暫時不會受到沖擊。
因為DRAM在整個2018年的產能依然都弱于需求,預計安卓內存的軍備競賽會暫時停留在8GB,甚至像三星、華為等依然維持6GB
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LPDDR DRAM
- DRAM供貨吃緊的情況下,其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象,在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中,也許大家都是贏家。
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DRAM NAND
- DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較,弄清兩者的區(qū)別
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DRAM NAND RAM
- DRAM原理 5 :DRAM Devices Organization-隨著系統(tǒng)對內存容量、帶寬、性能等方面的需求提高,系統(tǒng)會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式,會帶來不同的效果。本文將對不同的組織方式及其效果進行簡單介紹。
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DRAM
- 次世代記憶體換當家?關于新當家的那點事-據(jù)韓媒BusinessKorea報導,IBM 和三星在電機電子工程師學會(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱,兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM 的生產技術,成功實現(xiàn)10 奈秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構,理論上表現(xiàn)超越DRAM。韓國半導體業(yè)者指出,16納米將是DRAM微縮制程的最后極限,包括FRAM在內的多種次世代存儲(其它包括MRAM)備受期待。
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dram fram
- DRAM 原理 2 :DRAM Memory Organization-在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中,介紹了單個 Cell 的結構。在本章節(jié)中,將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
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DRAM Memory Cells
- 某些FPGA終端,包含板載的、可以動態(tài)隨機訪問的存儲塊(DRAM),這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問,速率非常高?! RAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù),而且速度可以非??臁a槍σ恍┨厥鈶?,比如:瞬時帶寬非常高,而且有要保存原始數(shù)據(jù)的時候,就可以用DRAM做一個大的FIFO緩沖?! RAM的大小每塊板卡可能不同,一般在官網(wǎng)中對應板卡的說明中都會標明DRAM的大小(如果有DRAM的話)。比如,PXIe-7966R就有512M的DRAM空間?! ttp://sine.ni.com/n
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FPGA DRAM
- “2017年DRAM價格漲幅將達到39%”,ICInsights在2017年第三季度做出預計。當下,以DRAM為代表的半導體存儲器在全球范圍內掀起漲價潮。
DRAM作為半導體存儲器的產品類型之一,常見產品形態(tài)是內存條,主要的兩個應用市場是PC和智能手機。據(jù)京東商城官網(wǎng)顯示,金士頓DDR424008G臺式機內存在半年內價格從400元左右漲至800元左右,同時金立集團董事長劉立榮在9月25日媒體交流會上稱,國產手機下半年仍會漲價,部分原因是內存成本上升。
集邦咨詢半導體
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內存條 DRAM
- 存儲器作為一種根據(jù)庫存、需求、產能因素變化而具有明顯周期性的行業(yè),這一輪漲價大幅增加了國產智能手機和PC廠商的成本,目前部分智能手機已經漲價,幅度在100~500元不等。
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DRAM 三星
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