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國(guó)家大基金扶植半導(dǎo)體上路邏輯、存儲(chǔ)器芯片攻勢(shì)猛

　　大陸扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始執(zhí)行上路，近7成資金將挹注在IC制造/設(shè)備領(lǐng)域。法新社大陸設(shè)立大基金扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始執(zhí)行上路，半導(dǎo)體業(yè)者透露，分5年總計(jì)人民幣6，000億元資金有近7成將挹注在IC制造/設(shè)備領(lǐng)域，重點(diǎn)扶植項(xiàng)目包括邏輯芯片、DRAM及NAND Flash芯片等，其中，邏輯芯片將以中芯國(guó)際為首，至于存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)⑾葟腄RAM芯片切入，長(zhǎng)期目標(biāo)是大陸內(nèi)需50%半導(dǎo)體芯片全數(shù)自制。　　半導(dǎo)體業(yè)者指出，大陸國(guó)家IC產(chǎn)業(yè)投資基金，每年提撥人民幣1，200億元投入自建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，初期規(guī)劃5年、共人民幣6
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DRAM微縮到頂！新存儲(chǔ)器MRAM、ReRAM等接班？

　　DRAM和NAND Flash微縮制程逼近極限，業(yè)界認(rèn)為次世代記憶體“磁電阻式隨機(jī)存取記憶體”(MRAM)、“可變電阻式記憶體”(ReRAM)可能即將現(xiàn)身，要以更快的存取速度橫掃市場(chǎng)。　　　　韓媒BusinessKorea 16日?qǐng)?bào)導(dǎo)，南韓半導(dǎo)體業(yè)者指出，16奈米將是DRAM微縮制程的最后極限，10奈米以下制程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無(wú)法縮減，也可能不適合采用高介電常數(shù)(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM
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電子元器件行業(yè):半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入DRAM產(chǎn)業(yè)呼聲漸高

　　06月8日-06月14日，電子行業(yè)表現(xiàn)強(qiáng)于大市。截止06月12日收盤時(shí)，中信電子行業(yè)指數(shù)大漲3.82%，滬深300(5064.821, -156.35, -2.99%)指數(shù)上漲2.0%，上證綜指上漲2.85%。電子元器件子板塊全線上漲，其中半導(dǎo)體材料和顯示器件漲幅最大，分別為7.03%和7.62%。分立器件和光學(xué)元件板塊漲幅較小，分別為0.88和2.81%。　　行業(yè)觀點(diǎn):電子行業(yè)上周出現(xiàn)全面上漲，半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)漲幅最大。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金分5年總計(jì)6，000億元注入到在集成電路制造、設(shè)備、材料領(lǐng)域，重
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大陸發(fā)展DRAM策略，整合最快3~7年

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國(guó)發(fā)展DRAM策略方案已呼之欲出，技術(shù)來(lái)源、研發(fā)團(tuán)隊(duì)與IP智財(cái)是關(guān)鍵亦是挑戰(zhàn)，預(yù)計(jì)相關(guān)軟硬體的整合最快需要3~7年。　　自2014年10月14日中國(guó)工信部宣布國(guó)家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金(中國(guó)簡(jiǎn)稱大基金)成立，挾帶著1,300億人民幣基金，中國(guó)政府正有計(jì)畫的向全世界吸納可用資源，展開并購(gòu)計(jì)畫與策略結(jié)盟。中國(guó)工信部電子信息司司長(zhǎng)丁文武主導(dǎo)的半導(dǎo)體小組，對(duì)于中國(guó)DRAM未來(lái)的發(fā)展已有明確的方向，同時(shí)遴選了半導(dǎo)體相關(guān)的頂尖業(yè)界人士擔(dān)當(dāng)評(píng)
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大陸DRAM策略出臺(tái)　IP取得是關(guān)鍵與挑戰(zhàn)

　　中國(guó)大陸扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來(lái)勢(shì)洶洶!大陸工信部于去年10月宣布國(guó)家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金(簡(jiǎn)稱大基金)成立，挾帶著1300億人民幣基金，大陸政府正有計(jì)畫的向全世界鋪天蓋地吸納可用資源，展開并購(gòu)計(jì)畫與策略結(jié)盟!屆時(shí)不僅牽動(dòng)大陸半導(dǎo)體相關(guān)公司間的策略結(jié)盟與高層異動(dòng)，也加速并購(gòu)取得IP(矽智財(cái))的腳步，而擁有豐富半導(dǎo)體經(jīng)驗(yàn)與技術(shù)的臺(tái)灣也是其亟欲合作的對(duì)象。　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，大陸工信部電子信息司司長(zhǎng)丁文武主導(dǎo)的半導(dǎo)體小組，對(duì)于大陸DRAM未來(lái)的發(fā)展已有明確
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全球最小Mini PC探究，詳盡拆解“光棍一號(hào)T02”

　　去年光棍節(jié)，全球最小的Mini PC“光棍一號(hào)”橫空而出，絕佳的創(chuàng)意、強(qiáng)悍的性能再加上迷你的尺寸，讓這款產(chǎn)品在登錄京東眾籌之后獲得了巨大成功。早幾天，該產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)帶來(lái)了光棍一號(hào)第二代“光棍一號(hào)T02”再度來(lái)襲，據(jù)設(shè)計(jì)方MeegoPad團(tuán)隊(duì)透露，該產(chǎn)品從性能、散熱、接口方面都做了巨大升級(jí)。我們拿到了一個(gè)樣機(jī)，重度拆解，透視其真相。　　在拆解之前，我們先了解一下T02的具體參數(shù)：　　　　下面是我們收到的產(chǎn)品包裝盒外觀：　　
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存儲(chǔ)器/DRAM臺(tái)灣雙雄衰退

　　DRAM雙雄南亞科(2408)與華亞科5月營(yíng)收均較4月呈現(xiàn)個(gè)位數(shù)衰退。目前DRAM產(chǎn)業(yè)正處于淡季效應(yīng)遞延狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑，也影響業(yè)者業(yè)績(jī)。　　南亞科5月合并營(yíng)收為37.98億元，月減2.9%，年減8.6%;前五月合并營(yíng)收為197.39億元，年增1%。華亞科5月合并營(yíng)收暫估數(shù)為55.12億元，月減5.5%，年減26.3%;前五月合并營(yíng)收暫估數(shù)為297.97億元，年減14.1%。　　因PC市況不振，連帶使PC DRAM價(jià)格也因需求疲軟而下跌，今年上半預(yù)計(jì)會(huì)維持跌勢(shì)，也影響到業(yè)者營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)。但業(yè)
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金士頓：DRAM下季續(xù)跌15%

　　全球最大記憶體模組廠金士頓(Kingston)保守看待下半年DRAM市場(chǎng)，因需求疲弱，預(yù)估第3季DRAM顆粒價(jià)格還會(huì)下滑10%至15%，南亞科(2408)、華亞科等相關(guān)廠商，營(yíng)運(yùn)有壓。　　金士頓昨(4)在臺(tái)北信義區(qū)舉辦「HyperX為戰(zhàn)而生」戶外體驗(yàn)活動(dòng)，展示HyperX主機(jī)、改裝機(jī)殼及電競(jìng)耳機(jī)等產(chǎn)品。　　繼宇瞻日前表示今年受DRAM價(jià)格下跌影響，營(yíng)收恐會(huì)下滑近10%以內(nèi)，金士頓昨天也同樣保守看待下半年DRAM市場(chǎng)。　　金士頓DRAM記憶體事業(yè)部暨HyperX事業(yè)部亞太區(qū)業(yè)務(wù)總監(jiān)柏安表示，
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DRAM供不應(yīng)求！三星忙追蘋果、SK海力士受惠？

　　三星電子忙著搶蘋果A9訂單，無(wú)暇增加DRAM產(chǎn)能，DRAM供應(yīng)將一路吃緊到明年?外資認(rèn)為，這種情況有利韓國(guó)記憶體大廠SK海力士(SK Hynix)。　　財(cái)經(jīng)網(wǎng)站霸榮(Barronˋs)29日?qǐng)?bào)導(dǎo)，全球DRAM或許到明年都將供不應(yīng)求，SK海力士前景看好。瑞士信貸分析師Keon Han團(tuán)隊(duì)表示，DRAM產(chǎn)業(yè)似乎進(jìn)入另一個(gè)供給短缺時(shí)期。2013年9月，SK海力士無(wú)錫廠發(fā)生火災(zāi)，產(chǎn)能也一度供不應(yīng)求，當(dāng)時(shí)三星迅速補(bǔ)足缺口，瑞信認(rèn)為，當(dāng)前三星忙于拉攏蘋果，無(wú)法增產(chǎn)DRAM，相同情況不會(huì)再次發(fā)生。　　瑞信報(bào)
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移動(dòng)存儲(chǔ)器體營(yíng)收占DRAM總產(chǎn)值近三成

　　Trendforce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，全球行動(dòng)式記憶體總營(yíng)收在2015年首季達(dá)到35.76億美元，季衰退不到1%，占 DRAM 總產(chǎn)值的29.8%，并且有持續(xù)擴(kuò)大趨勢(shì)。DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第一季主要受惠于三星(Samsung)來(lái)自23nm產(chǎn)出增加，行動(dòng)式記憶體整體出貨與上季增加8.2%，加上行動(dòng)式記憶體平均銷售單價(jià)與其他產(chǎn)品別相對(duì)抗跌，全球行動(dòng)式記憶體整體營(yíng)收規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大。　　吳雅婷表示，2015上半年行動(dòng)式記憶體價(jià)格呈現(xiàn)穩(wěn)定小跌的
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PC需求太弱　全球DRAM產(chǎn)值1Q降至120億美元

　　個(gè)人電腦(PC)需求委靡不振，DRAM報(bào)價(jià)持續(xù)下滑，導(dǎo)致全球DRAM產(chǎn)值縮水，根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce統(tǒng)計(jì)，2015年第1季全球DRAM產(chǎn)值約為120億美元，較上季減少7.5%，龍頭廠三星電子(Samsung Electronics)市占率為43.1%，第二、三名為SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)，市占率分別為27.3%和22.5%。　　全球三大DRAM技術(shù)陣營(yíng)三星、海力士和美光都積極轉(zhuǎn)進(jìn)先進(jìn)制程20納米，以降低生產(chǎn)成本和維持毛利率，然個(gè)人電腦市場(chǎng)需求不佳是一大隱憂。由
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2015年第一季全球DRAM總產(chǎn)值衰退7.5%

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，第一季動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)合約均價(jià)較上季跌幅達(dá)11%，加上筆記型電腦市場(chǎng)與智慧型手機(jī)步入傳統(tǒng)淡季，因此全球DRAM產(chǎn)業(yè)第一季總產(chǎn)值衰退達(dá)7.5%，營(yíng)收來(lái)到120億美元。　　DRAMeXchange研究協(xié)理郭祚榮表示，受到淡季影響，今年第一季各DRAM廠都呈現(xiàn)營(yíng)收衰退的走勢(shì)，但在制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)下，毛利并未大幅縮減，整體表現(xiàn)與第四季相比相差不遠(yuǎn)。然而需求面不佳將會(huì)影響后續(xù)價(jià)格走勢(shì)，因此DRAM廠在制程轉(zhuǎn)進(jìn)與產(chǎn)品比重分
關(guān)鍵字： TrendForce DRAM

合約價(jià)走跌，Q1全球DRAM總產(chǎn)值季減7.5%

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)告顯示，第一季DRAM合約均價(jià)較前一季跌幅達(dá)11%，加上筆電市場(chǎng)與智慧型手機(jī)步入傳統(tǒng)淡季，因此全球DRAM產(chǎn)業(yè)第一季總產(chǎn)值衰退達(dá)7.5%，營(yíng)收來(lái)到120億美元。　　DRAMeXchange研究協(xié)理郭祚榮表示，受到淡季影響，第一季各DRAM廠都呈現(xiàn)營(yíng)收衰退走勢(shì)，但在制程持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)下，毛利并未大幅縮減，整體表現(xiàn)與去年第四季相比相差不遠(yuǎn);然需求面不佳將影響后續(xù)價(jià)格走勢(shì)，因此DRAM廠在制程轉(zhuǎn)進(jìn)與產(chǎn)品比重分配，將是今年值得注意的決勝點(diǎn)。D
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中國(guó)集成電路的低端路還要走多久？

　　中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)在2014年下半年政策和資金的支持下迎來(lái)快速增長(zhǎng)，甚至有業(yè)內(nèi)專家表示要防止集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)熱。從展訊、海思等公司可以看到國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在崛起，然而，以IC設(shè)計(jì)為代表的中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)卻面臨處于低端市場(chǎng)的困擾。　　在集成電路的三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)：IC設(shè)計(jì)、封測(cè)、晶圓制造中，國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)、封測(cè)正在快速發(fā)展，同時(shí)在推進(jìn)DARM產(chǎn)業(yè)之后，完整了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。不過(guò)，高速的發(fā)展并不能掩蓋所面臨的問(wèn)題。　　用高性價(jià)比占領(lǐng)低端市場(chǎng) 　　既然說(shuō)IC設(shè)計(jì)與封測(cè)發(fā)展迅速，首先看一看發(fā)展現(xiàn)狀
關(guān)鍵字：集成電路 DRAM