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SEMI:未來臺灣半導體產(chǎn)業(yè)可維持成長態(tài)勢
- 國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)表示,過去五年,臺灣半導體產(chǎn)業(yè)市占率不斷增加,不僅在晶圓代工和封裝測試市場的占有率有所提升,同時在全球半導體產(chǎn)業(yè)中先進技術(shù)的市場領域亦見成長。不僅如此,臺灣半導體廠商在尖端技術(shù)上的持續(xù)投資,也將為后續(xù)幾年進一步的發(fā)展而鋪路。 盡管世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)預測,2015和2016年全球半導體市場將各別小幅成長3.4%,但臺灣半導體產(chǎn)業(yè)卻能以高于全球兩倍的速度成長,其中在晶圓代工、DRAM和后段封裝測試廠商的貢獻下,將為臺灣半導體供應鏈帶來更強勁的漲幅。尤其是
- 關鍵字: 晶圓 DRAM
三星最快7月啟動DRAM 17產(chǎn)線 對手或跟進擴產(chǎn)
- 三星電子(Samsung Electronics)最快將于7月啟動在韓國京畿道華城的17產(chǎn)線。在初期稼動,17產(chǎn)線預定僅啟動整體生產(chǎn)能力(CAPA)的10~30%。雖然不會立即對目前DRAM市場產(chǎn)生巨大影響,但不排除競爭對手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)跟進加速擴產(chǎn)競爭的可能性。 據(jù)Digital Times報導,三星預計在第3季投產(chǎn)17產(chǎn)線DRAM。預定投入20納米DRAM制成的17產(chǎn)線,目前設備已經(jīng)全數(shù)搬入,并進入試驗稼動中,最快將于7月或8月正式投產(chǎn)。 熟稔三星
- 關鍵字: 三星 DRAM
拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設備
- 記憶體大廠整軍經(jīng)武,準備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設備,積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進新制程,拉高戰(zhàn)力。 韓媒etnews 6日報導,記憶體大廠爭相量產(chǎn)3D NAND Flash,新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比,差別在于從平面改為立體,能層層堆疊,提高效能。據(jù)了解,由2D轉(zhuǎn)進3D NAND Flash,顯影制程不變,但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%,需要采購不少新設備。據(jù)了解,三星最早量產(chǎn)3D
- 關鍵字: SK 海力士 DRAM
DRAM市占率維持上升趨勢 三星、SK海力士春風得意
- 受惠DRAM事業(yè)蓬勃發(fā)展,三星1Q半導體事業(yè)營收與營利成長率都勝過英特爾。三星官網(wǎng)2015年第1季半導體前五大業(yè)者中,只有三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)的市占率維持上升趨勢,受惠于DRAM事業(yè)蓬勃發(fā)展,兩企業(yè)可謂春風得意。 不只PC、筆記型電腦(NB),連電視、冰箱、洗衣機都搭載DRAM的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)時代正在來臨,使DRAM產(chǎn)業(yè)成為最大的受惠者。而在十多年競爭中存活下來的DRAM三大業(yè)者三星電子、SK海力士與美光(Micron),正在享受寡
- 關鍵字: 三星 DRAM
2014年全球DRAM模組廠營收排名
- 根據(jù)Trendforce旗下記憶儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新發(fā)布的全球記憶體模組廠排名調(diào)查,2014年全球模組市場總銷售金額約為88億美元,與2013年的73億美元相比,大幅成長約21%左右,主要受惠于標準型記憶體價格的平穩(wěn)走勢與合約市場的比重提升。 前五大記憶體模組廠仍占據(jù)整體銷售金額的81%,前十名幾乎囊括全球模組市場中92%的營業(yè)額,其中金士頓(Kingston)仍穩(wěn)坐模組廠龍頭之位,營收較前年成長約44%;記憶科技(Ramaxel)與威剛(ADATA)則分居二、三名,都有著不錯
- 關鍵字: 金士頓 DRAM
美光2015年三季度利潤大幅減少,受個人電腦市場低迷影響
- 美光科技日前發(fā)布了截至2015年6月4日的第三季度財報,銷售額同比減少3%,為38.53億美元,營業(yè)利潤同比減少25%,為6.31億美元;凈利潤同比減少39%,為4.91億美元(英文發(fā)布資料)。該公司表示,業(yè)績惡化是因為受到了個人電腦市場需求停滯等的影響。經(jīng)營個人電腦相關產(chǎn)品的計算機網(wǎng)絡業(yè)務部門的業(yè)績本季度大幅惡化。 與上季度(2014年12月~2015年2月)相比,總銷售額減少8%,毛利潤率也降低了約3個百分點,約為31%。減收減益的主要原因是DRAM的平均銷售單價環(huán)比降低10%。不過,削減制
- 關鍵字: 美光 DRAM
ISSI 并購戰(zhàn)狂打三個月,中國進軍 DRAM 頻遭搶親
- 2015 年 3 月 12 日,以武岳峰為首的中國資本企業(yè)發(fā)表聲明,將以每股 19.25 美元收購美國 DRAM 廠商 ISSI,宣告中國的半導體布局觸角延伸到 DRAM 產(chǎn)業(yè),但邁開的這一步卻始終無法走向下個階段,時經(jīng)三個月雙方仍在并購談判中原地踏步,很大一部分原因在于殺出賽普拉斯(Cypress)這家程咬金。 你來我往的出價競賽 檢視這三個月雙方的并購發(fā)展,這場 ISSI 爭奪大戰(zhàn)打得如火如荼,5 月 13 日另家美國半導體廠商賽普拉斯(Cypress)出手,宣布將以每股優(yōu)于武岳峰資本
- 關鍵字: ISSI DRAM
20納米制程難轉(zhuǎn)換 DRAM次級品流竄市場
- DRAM芯片轉(zhuǎn)進20納米制程難度高,市場供需失衡蔓延到各個應用領域。三星官網(wǎng)全球DRAM產(chǎn)業(yè)進入20納米制程世代后,進入門檻非常高。一方面是設備投資變大,需求的機臺設備多很多,甚至讓DRAM廠加蓋無塵室來放擺放機臺設備,否則導致產(chǎn)出數(shù)量大幅減少。而20納米制程的另一個高門檻就是生產(chǎn)難度大增,DRAM市場價格無法反彈,這些次級品(downgrade)的貨源大幅流竄是一大兇手。 市場終端需求不好,蘋果(Apple)下半年推出的新一代iPhone內(nèi)建存儲器容量從1G升級到2G,其他新機容量甚至提升到4
- 關鍵字: DRAM 20納米
中芯主導 國產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片廠落戶武漢
- 國內(nèi)廠商現(xiàn)在處理器市場已經(jīng)獲得了一席之地,華為海思、瑞芯微、展訊、瑞迪科已經(jīng)是其中的佼佼者,不過整個半導體產(chǎn)業(yè)中國內(nèi)的力量還是很弱的,國內(nèi)廠商還不到自滿的時候,下一個目標看起來就是DRAM內(nèi)存芯片了,現(xiàn)在本土的DRAM廠已經(jīng)確定落戶武漢市了,新廠將由中芯國際的高管主導。 與移動處理器市場不同,DRAM芯片的技術(shù)及工廠主要集中在了美光、三星、SK Hynix這幾家手中,日系DRAM基本上滅了,還有的就是臺灣的一些DRAM廠商了,比如茂德、南亞等?,F(xiàn)在國內(nèi)也把注意力放在D
- 關鍵字: DRAM 美光
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