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qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區(qū)
NAND Flash進(jìn)軍NB/PC應(yīng)用領(lǐng)域 借以擴(kuò)大市占率
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對(duì)NAND Flash應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)表研究報(bào)告指出,2008年起,除了由原手持式消費(fèi)電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲(chǔ)存裝置外,NAND Flash將通過(guò)NB與PC的采用,以混合式硬盤(pán)或固態(tài)硬盤(pán)(SSD)的產(chǎn)品型態(tài),逐步擴(kuò)大市場(chǎng)占有率,市場(chǎng)需求將從2007年的6.7%增長(zhǎng)至15.3%。 拓墣表示,NAND Flash在過(guò)去幾年快速擴(kuò)充產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域,從2004年產(chǎn)品應(yīng)用比例最高的數(shù)碼相機(jī),到2006年MP3 Pla
- 關(guān)鍵字: NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器
iSuppli調(diào)低08年半導(dǎo)體預(yù)期
- 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli以全球經(jīng)濟(jì)不景氣為由,調(diào)低了2008年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷(xiāo)售收入預(yù)期,不過(guò)對(duì)于整個(gè)市場(chǎng)形勢(shì)仍持樂(lè)觀態(tài)度。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,iSuppli的最新預(yù)期顯示,2008年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售收入將增至2914億美元,較2007年2709億美元(評(píng)估數(shù)據(jù))增長(zhǎng)7.5%,而iSuppli今年9月份預(yù)測(cè)的增幅為9.3%,預(yù)期增幅減少了1.8個(gè)百分點(diǎn)。 iSuppli表示,2008年半導(dǎo)體市場(chǎng)將受到了能源成本上升的不利影響,美國(guó)經(jīng)濟(jì)2008年的預(yù)期并不樂(lè)觀,而美國(guó)經(jīng)濟(jì)的影響力自然會(huì)波及全球
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 芯片 NAND 半導(dǎo)體材料
東芝推出首個(gè)對(duì)應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存
- 東芝今天宣布即將推出搭載世界上首個(gè)對(duì)應(yīng)多值技術(shù)的大容量NAND閃存(多值NAND)的行業(yè)內(nèi)最大級(jí)別128Gb的SSD(Solid State Drive:固態(tài)硬盤(pán))產(chǎn)品,主要用于計(jì)算機(jī)。計(jì)劃2008年第一季度出貨,并同時(shí)開(kāi)始量產(chǎn)。在此之前,東芝將于明年1月7日-10日在美國(guó)拉斯維加斯召開(kāi)的世界最大規(guī)模的家電展中亮相該新產(chǎn)品。 目前的SSD,采用高速雙值NAND閃存,和HDD相比,高速、體積輕,但也存在容量小、成本高的問(wèn)題,目前還沒(méi)有真正普及。因此,搭載可以提高每個(gè)器件容量的普及型多值NAND的S
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 東芝 NAND 閃存
DRAM市場(chǎng)基礎(chǔ)繼續(xù)惡化 預(yù)計(jì)08年資本開(kāi)支下滑超過(guò)30%
- Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示,“根據(jù)三星日前的報(bào)告,我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場(chǎng)基礎(chǔ)繼續(xù)惡化,大多數(shù)DRAM供應(yīng)商,尤其韓國(guó)之外的廠商2008年資本開(kāi)支出現(xiàn)大幅削減?!? 預(yù)計(jì)2008年,DRAM領(lǐng)域的資本開(kāi)支將下滑超過(guò)30%,原來(lái)預(yù)計(jì)下降20%。這將導(dǎo)致總體內(nèi)存資本開(kāi)支減少10-12%。 在DRAM市場(chǎng)經(jīng)歷了漫長(zhǎng)的低迷之后,該市場(chǎng)仍然存在嚴(yán)重的供過(guò)于求情況?!斑@主要由于按容量計(jì)
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) DRAM 三星 NAND EDA IC設(shè)計(jì)
各類(lèi)器件增長(zhǎng)強(qiáng)勁 出貨量增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)調(diào)高
- 據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights,2007年IC單位出貨量有望增長(zhǎng)10%。該公司先前的預(yù)測(cè)是增長(zhǎng)8%。 ICInsights將調(diào)高增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)歸因于以下器件的出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng):DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長(zhǎng)60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(上升32%)。 ICInsights表示,如果2007年IC單位出貨量增長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高水平,將是連續(xù)第六年以?xún)晌粩?shù)的速度增長(zhǎng),創(chuàng)下前所未有的強(qiáng)勁增長(zhǎng)紀(jì)錄。 ICInsights認(rèn)為,
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 IC 元件 制造
內(nèi)存芯片廠商提出新設(shè)計(jì)欲破摩爾定律
- 很多廠商都設(shè)計(jì)出了未來(lái)的閃存技術(shù),但誰(shuí)能夠首先推出產(chǎn)品呢? Spansion表示,其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎(chǔ)是電荷捕獲技術(shù),這一技術(shù)為閃存產(chǎn)業(yè)繼續(xù)縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。 Spansion CEO伯特蘭向CNET News.com表示,Spansion已經(jīng)生產(chǎn)出了采用電荷捕獲技術(shù)的閃存芯片。Spansion已經(jīng)啟動(dòng)了一項(xiàng)營(yíng)銷(xiāo)活動(dòng),希望向其它制造商許可一些技術(shù)。 伯特蘭說(shuō),三星、東芝、Hynix公開(kāi)表示對(duì)電荷捕獲技術(shù)有很大的興趣。我們擁有這一
- 關(guān)鍵字: 閃存 芯片 NAND 存儲(chǔ)器
第三季度NAND閃存銷(xiāo)售額增長(zhǎng)37%,達(dá)42億美元
- 市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli日前在聲明中表示,第三季度NAND閃存半導(dǎo)體全球銷(xiāo)售額增長(zhǎng)37%,達(dá)到42億美元。但iSuppli指出,在包括蘋(píng)果iPod在內(nèi)的消費(fèi)電子產(chǎn)品需求刺激下的連續(xù)增長(zhǎng)勢(shì)頭,本季度可能結(jié)束。由于產(chǎn)量增長(zhǎng)速度快于需求,本季度NAND的平均銷(xiāo)售價(jià)格將下降18%。 韓國(guó)海力士半導(dǎo)體第三季度增長(zhǎng)最快,其N(xiāo)AND銷(xiāo)售額比第二季度大增79%,達(dá)到8.06億美元。它的市場(chǎng)份額是19%,在當(dāng)季全球排名第三。最大的NAND閃存供應(yīng)商三星電子,市場(chǎng)份額從第二季度的45%降至40%,它出貨的閃存數(shù)量
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 DRAM 存儲(chǔ)器
閃存成本下滑固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格將下降 筆記本很有優(yōu)勢(shì)
- 固態(tài)硬盤(pán)明年仍然少見(jiàn)且價(jià)格昂貴,但隨著其量產(chǎn),閃存成本的下滑,固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格從2009年,2010年開(kāi)始將開(kāi)始下降。 DRAM與閃存產(chǎn)品制造商Micron Technology本周公布了固態(tài)硬盤(pán)發(fā)展計(jì)劃。這種硬盤(pán)功能與常規(guī)硬盤(pán)無(wú)異,但與一般硬盤(pán)將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在磁碟上不同,固態(tài)硬盤(pán)將數(shù)據(jù)保存在NAND內(nèi)存芯片上,就像MP3播放器保存文件的方式一樣。 Micron將從明年第一季度開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)固態(tài)硬盤(pán)。第一批產(chǎn)品為32GB或64GB型號(hào)。雖然容量是現(xiàn)在筆記本電腦硬盤(pán)平均容量的一半,但Micron內(nèi)存
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 固態(tài)硬盤(pán) 閃存 NAND MCU和嵌入式微處理器
三星減少NAND閃存供貨量 擬甩掉臺(tái)灣廠商
- 近期,三星和海力士(Hynix)面向臺(tái)灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降,另一方面,英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格并逐步搶占市場(chǎng),許多分析人士認(rèn)為未來(lái)閃存市場(chǎng)或許將會(huì)出現(xiàn)另一番局面。 三星和海力士減少向臺(tái)灣內(nèi)存廠商的供貨量,是為了滿足蘋(píng)果這類(lèi)國(guó)際大客戶(hù)的供貨需求。東芝也限制了供應(yīng)量,唯獨(dú)沒(méi)有對(duì)群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施,這使得不少臺(tái)灣企業(yè)開(kāi)始考慮降低對(duì)大廠商產(chǎn)品的依賴(lài)。 一些臺(tái)灣內(nèi)存廠商指出,它們都不愿意繼續(xù)向三星和海力士采購(gòu),
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 三星 海力士 NAND 其他IC 制程
大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)中的應(yīng)用
- 1 引言 隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應(yīng)用,嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)管理則成為設(shè)計(jì)人員考慮的重點(diǎn)。在許多現(xiàn)場(chǎng)不可達(dá)數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲(chǔ),必然帶來(lái)數(shù)據(jù)管理的不便,因此,集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù),采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對(duì)于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ),選擇介質(zhì)存儲(chǔ)是需要重點(diǎn)考慮的問(wèn)題。目前大多采用IDE硬盤(pán)或SCSI硬盤(pán)存儲(chǔ),但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄,無(wú)法長(zhǎng)期在惡劣的環(huán)境中長(zhǎng)期工作。電子式Flash存儲(chǔ)器具有速度快、容量大、成本低、體積
- 關(guān)鍵字: 通訊 無(wú)線 網(wǎng)絡(luò) NAND Flash K9T1G08U0M MCU和嵌入式微處理器
供應(yīng)過(guò)剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化
- 美國(guó)iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示,由于供應(yīng)過(guò)剩與價(jià)格暴跌,DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進(jìn)一步惡化。 NAND閃存方面,預(yù)計(jì)512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高,分別為6%與8.4%。但是在第四季度,隨著價(jià)格下跌,行情出現(xiàn)惡化,短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示,此次價(jià)格下跌的主要原因韓國(guó)內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存,從而導(dǎo)
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年終旺季需求支撐,NAND FLASH合約價(jià)短期平穩(wěn)
- 11月上旬NAND Flash合約價(jià)格大致跌幅約為0-5%,比前兩個(gè)月跌幅明顯縮小,主要是因?yàn)橄掠慰蛻?hù)在10月已陸續(xù)進(jìn)行降低庫(kù)存的動(dòng)作,加上市場(chǎng)預(yù)期11月中旬要開(kāi)始準(zhǔn)備年底旺季的備貨需求,根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察,NAND Flash價(jià)格走勢(shì)在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。 隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應(yīng)量提高后,下游客戶(hù)采購(gòu)顆粒開(kāi)始轉(zhuǎn)向以8Gb和16Gb MLC為主流,導(dǎo)致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%,相較于其它規(guī)格來(lái)得顯著。有鑒于9月以來(lái)
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FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲(chǔ)器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)
- 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性,構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲(chǔ)器的FAT文件系統(tǒng),并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。該系統(tǒng)改進(jìn)了FAT表和FRT表的存儲(chǔ)方式,延長(zhǎng)了存儲(chǔ)器的使用壽命,提高了穩(wěn)定性。 NAND Flash存儲(chǔ)器是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件,容易出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象,同時(shí)在使用中可
- 關(guān)鍵字: FAT NAND Flash 存儲(chǔ)器 通信 嵌入式系統(tǒng) 嵌入式 無(wú)線 通信
07年第三季NAND Flash廠營(yíng)收逼近39億美元
- 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營(yíng)收市占率報(bào)告指出,NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營(yíng)收表現(xiàn)亮麗,逼近三十九億美元,比第二季增長(zhǎng)了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長(zhǎng)約30%;而就營(yíng)收排行而言,三星(Samsung)如預(yù)期再度蟬連冠軍,東芝(Toshiba)居次,而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營(yíng)收均有顯著的增長(zhǎng)。 由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶(hù)的備貨旺
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IDC: 今年芯片銷(xiāo)售增速緩慢將促使08年猛增
- IDC在最新的《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》中預(yù)測(cè),2007年全球芯片銷(xiāo)售收入增長(zhǎng)速度放慢將為2008年的大增長(zhǎng)奠定基礎(chǔ)。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,2007年全球芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度將只有4.8%,2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預(yù)測(cè),2008年的增長(zhǎng)速度將達(dá)到8.1%。 報(bào)告指出,如果產(chǎn)能增長(zhǎng)速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢,芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度會(huì)更快。市場(chǎng)潮流是合并和收購(gòu),這可能會(huì)改變業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)格局。 IDC負(fù)責(zé)《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》的項(xiàng)目經(jīng)理戈帕爾說(shuō),今年上半年芯片市場(chǎng)的供過(guò)于求降低了對(duì)各
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 芯片 DRAM NAND EDA IC設(shè)計(jì)
qlc nand介紹
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