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NAND閃存供貨商搶食大餅

  • 根據(jù)國外媒體報(bào)導(dǎo)， NAND閃存市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者，包括Hynix、IM Flash與Toshiba等，最近都悄悄增加產(chǎn)量，并且準(zhǔn)備推出45nm以下的產(chǎn)品。這個(gè)領(lǐng)域的供貨商不但在程序技術(shù)上激烈競(jìng)爭(zhēng)，也在準(zhǔn)備因應(yīng)市場(chǎng)上新的需求與產(chǎn)品的周期。市面上逐漸出現(xiàn)需要NAND的新應(yīng)用，例如flash BIOS、solid-state storage與具備DVR功能，采用閃存的電視機(jī)。NAND業(yè)者最近動(dòng)作頻仍，市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)供貨商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND組件，第二大供貨商 Toshi
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SanDisk成為NAND閃存缺貨潮大贏家

  • NAND閃存產(chǎn)業(yè)風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)，變化相當(dāng)快速，原本第一季度頭號(hào)存儲(chǔ)卡廠商SanDisk還被第二名的金士頓（Kingston）苦苦追趕，飽受價(jià)格大跌之苦，然經(jīng)過這一波缺貨潮的洗禮之后，SanDisk成為了閃存存儲(chǔ)卡產(chǎn)業(yè)中的最大贏家。從上游NAND閃存晶圓，到終端成品制造一條鞭掌握的模式，在缺貨時(shí)期的優(yōu)勢(shì)發(fā)揮淋漓盡致。 SanDisk2007年第一季度受到NAND閃存價(jià)格大跌、終端需求疲弱不振的影響，財(cái)報(bào)出現(xiàn)了赤字，SanDisk在2007年第一季度凈虧損57.5萬美元，每股剛好損益平衡，第二季度受到了NAND閃
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NAND市況是“業(yè)內(nèi)有史以來最糟糕的”

  • 根據(jù)iSuppli公司的正式消息，NAND閃存供應(yīng)商所面臨的市況是業(yè)內(nèi)有史以來最惡劣的，并且這種狀況可能進(jìn)一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地，供應(yīng)商們就不會(huì)抱怨NAND閃存業(yè)務(wù)的定價(jià)和收益率的悲哀狀況了。 與2006年第四季度17%的降幅相比，今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價(jià)有望下降35%到40%。這種戲劇性的價(jià)格下滑意味著NAND閃存業(yè)務(wù)作為一個(gè)整體將在今年第一季度遭遇運(yùn)營(yíng)損失，該市場(chǎng)有史以來第一次發(fā)生這樣的事情。 經(jīng)濟(jì)學(xué)101法則 需求對(duì)降價(jià)呈現(xiàn)彈性的響應(yīng)，市況惡劣的主要原因在于NAND供
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NAND近期市場(chǎng)形勢(shì)升級(jí)為“中性”

  • 對(duì)于受嚴(yán)重價(jià)格侵蝕打擊近六個(gè)月之久的NAND閃存供應(yīng)商來說，現(xiàn)在有好消息但不是最好的消息：iSuppli公司已經(jīng)更新了近期該市場(chǎng)的形勢(shì)評(píng)級(jí)。 目前，iSuppli將2006年10月2日那一周以來一直保持的NAND供應(yīng)商市場(chǎng)形勢(shì)評(píng)級(jí)自“負(fù)面”升為“中性”。就在兩周前，iSuppli還認(rèn)為供應(yīng)商的情況是有史以來最為糟糕的。但是峰回路轉(zhuǎn)—在持續(xù)惡劣條件的情況下，其拐點(diǎn)即將來臨。 iSuppli的NAND動(dòng)量指標(biāo)—上周跟蹤各項(xiàng)決定市場(chǎng)狀態(tài)因素的指標(biāo)向正臨界偏移，該現(xiàn)象是自2006年11月13日那一周后首次出現(xiàn)。
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NAND市場(chǎng)在一季度遭遇最慘痛經(jīng)歷

  • 一季度NAND閃存市場(chǎng)有多糟糕？ 糟糕得驚人！ •        全球NAND市場(chǎng)營(yíng)收下降了6.84億美元，相比2006年第四季度下降了20.6%！ •        市場(chǎng)如此糟糕以至于一個(gè)被公認(rèn)為該市場(chǎng)領(lǐng)軍供應(yīng)商N(yùn)AND的營(yíng)收在此期間下降了10.1%！ •    &nbs
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受三星停電事件影響 NAND價(jià)格上漲15-25%

  •     根據(jù)集邦科技資料，8月上旬NAND型閃存價(jià)格受韓國三星停電事件影響，平均上漲約15-25%。集邦分析師指出，由于短期內(nèi)旬NAND型閃存市場(chǎng)供貨不足，預(yù)估8月下旬價(jià)格將持平或小漲。     據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，三星半導(dǎo)體廠區(qū)在8月3日下午發(fā)生停電事件，使得該公司的6、7、8、9以及14廠的生產(chǎn)均受到停電中斷的影響，但三星已宣布于8月4日下午恢復(fù)到正常生產(chǎn)狀況，根據(jù)該公司初步估計(jì)損失約4300萬美元。  &
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NAND閃存芯片吃緊 加劇行業(yè)整合態(tài)勢(shì)

  •     隨著NAND閃存芯片需求的增加，內(nèi)存廠商已越來越難得到充足的NAND閃存芯片供應(yīng)，NAND閃存芯片吃緊加劇了內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合，業(yè)內(nèi)人士稱現(xiàn)在已有許多小規(guī)模的內(nèi)存廠商從市場(chǎng)中退出。 　　今年前一段時(shí)間NAND閃存芯片價(jià)格出現(xiàn)了下滑，現(xiàn)在價(jià)格又開始了回升，可這并不能讓眾多內(nèi)存廠商高興起來，因?yàn)椴⒎撬械膬?nèi)存廠商都能得到足夠的NAND閃存芯片供應(yīng)，特別是在蘋果霸占了三星的大量NAND產(chǎn)品的情況下。 　　現(xiàn)在約有一半的二線三線內(nèi)存廠商退出了NAND閃存業(yè)務(wù)，這也是不得已而為之，由
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中芯國際切入NAND閃存市場(chǎng)

  •     在iPhone的帶動(dòng)下，NAND閃存市場(chǎng)近期一片大好，國內(nèi)的晶元代工大廠中芯國際也抵制不住NAND閃存市場(chǎng)的誘惑，在近期宣布，下半年將開始量產(chǎn)2Gb NAND閃存顆粒并已經(jīng)投入8Gb NAND閃存顆粒的研發(fā)，預(yù)計(jì)明年將成為全球重要的NAND閃存顆粒供應(yīng)廠之一。      受到今年Q2內(nèi)存價(jià)格崩盤以及0.13微米制程代工競(jìng)爭(zhēng)激烈影響，國內(nèi)晶元代工大廠中芯國籍Q2營(yíng)收出現(xiàn)約200萬美元左右的稅后虧損。做為晶元代工
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微軟聯(lián)手英特爾戴爾開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存接口

  • 5月31日消息，美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月30日，微軟公司宣布將與英特爾、戴爾結(jié)成合作伙伴關(guān)系，開發(fā)面向PC的標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存接口。 據(jù)techspot網(wǎng)站報(bào)道稱，名為“非揮發(fā)性內(nèi)存主機(jī)控制器接口組織”的這一組織是由英特爾倡導(dǎo)成立的，旨在利用閃存加速現(xiàn)代操作系統(tǒng)中的功能，例如Windows Vista中的ReadyBoost和ReadyDrive。  該組織希望能夠加速其標(biāo)準(zhǔn)的普及，從而使其優(yōu)勢(shì)得到真正的體驗(yàn)。英特爾或其它廠商是否會(huì)將這一接口提供給Windows之外的其它軟件還不得而知，但從該組
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美國美光科技：NAND閃存的未來在SSD

  • 作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference（WinHEC）的美國美光科技公司(Micron Technology, Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術(shù)研討會(huì)（Technical Session）。該公司 Memory Products Group 的首席應(yīng)用工程師（D
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NAND Flash和NOR Flash的比較

  • 　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 　　相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對(duì)于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
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臺(tái)模塊廠飽受NAND Flash缺貨之苦 三星陣營(yíng)臺(tái)廠壓力倍增

  • 相較于DRAM價(jià)格萎靡不振，近期南韓內(nèi)存大廠三星電子(Samsung Electronics)對(duì)于拉抬NAND型閃存( Flash)市場(chǎng)不遺余力，然最令客戶頭痛的問題是，目前三星電子受限于產(chǎn)能問題，釋出給臺(tái)廠NAND Flash貨源仍相當(dāng)有限，各模塊廠都飽受缺貨之苦，而隸屬于東芝(Toshiba)陣營(yíng)的客戶，尤其是內(nèi)存模塊大廠金士頓(Kingston)，由于東芝給予的成本較低，最近在大陸市場(chǎng)低價(jià)策略越來越積極，這讓與三星電子站在同一陣營(yíng)的臺(tái)廠壓力倍增。 近期三星電子不斷釋出N
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DRAM價(jià)格或?qū)⒂|底，NAND供應(yīng)商加快開發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品

  • 據(jù)Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價(jià)格下跌到了20美元左右，這也影響到了現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格走勢(shì)。面向2007年下半年P(guān)C銷售旺季，PC廠商將增加庫存，預(yù)計(jì)DRAM需求將隨之增長(zhǎng)。因此，DRAM價(jià)格可能在2007年下半年觸底。價(jià)格持續(xù)下滑，已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績(jī)的兩大因素。由于需求仍然疲軟，現(xiàn)貨市場(chǎng)的價(jià)格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
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東芝推出業(yè)界容量最大的嵌入式 NAND 閃存

  • 　　東芝公司 (Toshiba Corp.) 與其美洲子公司東芝美國電子元件公司 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 聯(lián)合宣布，該公司已經(jīng)推廣了一種新型嵌入式 NAND 閃存系列產(chǎn)品，這一系列產(chǎn)品遵從了 eMMC 標(biāo)準(zhǔn)并且容量達(dá)到該行業(yè)之最。這種容量為 16GB 的新設(shè)備旨在應(yīng)用于手機(jī)和攝像機(jī)等移動(dòng)消費(fèi)產(chǎn)品。樣品將于今年第二季度推出市場(chǎng)，大批量的生產(chǎn)將于第四季度開始。在這之前，東芝將在本月開始推出 8GB 樣品，并將于第三季度開始大規(guī)模生產(chǎn)。 　　
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從NAND閃存中啟動(dòng)U-BOOT的設(shè)計(jì)

  • 引言 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對(duì)大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存設(shè)備就是為了滿足這種需求而迅速發(fā)展起來的。目前關(guān)于U-BOOT的移植解決方案主要面向的是微處理器中的NOR 閃存，如果能在微處理器上的NAND 閃存中實(shí)現(xiàn)U-BOOT的啟動(dòng)，則會(huì)給實(shí)際應(yīng)用帶來極大的方便。 U-BOOT簡(jiǎn)介 U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多種架構(gòu)的處理器，也支持Linux、NetBSD和VxWorks等多種操作系統(tǒng)，主要
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