rf-cmos 文章進(jìn)入rf-cmos技術(shù)社區(qū)

如何提高抗干擾能力和電磁兼容性

　　在研制帶處理器的電子產(chǎn)品時(shí)，如何提高抗干擾能力和電磁兼容性?文章為大家總結(jié)了一些方法?！　∫弧⑾旅娴囊恍┫到y(tǒng)要特別注意抗電磁干擾：　　1、微控制器時(shí)鐘頻率特別高，總線周期特別快的系統(tǒng)?！　?、系統(tǒng)含有大功率，大電流驅(qū)動(dòng)電路，如產(chǎn)生火花的繼電器，大電流開(kāi)關(guān)等。　　3、含微弱模擬信號(hào)電路以及高精度A/D變換電路的系統(tǒng)。　　二、為增加系統(tǒng)的抗電磁干擾能力采取如下措施：　　1、選用頻率低的微控制器：　　選用外時(shí)鐘頻率低的微控制器可以有效降低噪聲和提高系統(tǒng)的抗干擾能力。同樣頻率的方波和正弦波，方波中的高頻成份比
關(guān)鍵字：電磁兼容 CMOS

工業(yè)成像的CCD及CMOS技術(shù)之對(duì)比

在比較CCD和CMOS技術(shù)時(shí)試圖確定一個(gè)“贏家”，但這真的對(duì)兩者都有損公正，因?yàn)槊糠N技術(shù)都是獨(dú)一無(wú)二的，提供不同的終端用戶優(yōu)勢(shì)，東西好不好要看怎么用。
關(guān)鍵字： CCD CMOS

如何計(jì)算2.4GHz頻段模塊的路徑損耗

　　2.4GHz頻段現(xiàn)已成為家庭、辦公室和工廠短距離無(wú)線應(yīng)用的普遍選擇。通常，2.4GHz信道隸屬于免許可的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)(ISM)頻段。ZigBee(IEEE 802.15.4)、Bluetooth(IEEE 802.15.1)、Wi-Fi(IEEE 802.11 b/g/n)、無(wú)線通用串行總線(WUSB)和私有協(xié)議(如MiWi)等許多協(xié)議以及部分無(wú)繩電話均采用此頻段。然而，在2.4GHz ISM頻段運(yùn)行的不同協(xié)議會(huì)相互干擾?！　∫虼?，評(píng)估
關(guān)鍵字： 2.4GHz RF

傳中國(guó)買(mǎi)主對(duì)恩智浦標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)興趣濃厚

　　根據(jù)彭博新聞(Bloomberg)的消息，中國(guó)廠商對(duì)于收購(gòu)恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)興趣濃厚;該報(bào)導(dǎo)引述匿名消息來(lái)源指出，恩智浦可能會(huì)開(kāi)價(jià)至少20億美元出售標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)，而有興趣的買(mǎi)家包括投資業(yè)者北京建廣資本(JAC Capital)在內(nèi)。　　恩智浦的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(standard products)業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)生產(chǎn)離散元件如二極體、電晶體、MOSFET、ESD保護(hù)元件以及標(biāo)準(zhǔn)邏輯晶片，該業(yè)務(wù)部門(mén)營(yíng)收占據(jù)該公司整體營(yíng)收約20%。而中國(guó)近年來(lái)致力于扶植本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，
關(guān)鍵字：恩智浦 RF

模擬IC與數(shù)字IC異同

　　處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號(hào)的IC被稱為模擬IC。模擬IC處理的這些信號(hào)都具有連續(xù)性，可以轉(zhuǎn)換為正弦波研究。而數(shù)字IC處理的是非連續(xù)性信號(hào)，都是脈沖方波?！　∧MIC按技術(shù)類型來(lái)分有只處理模擬信號(hào)的線性IC和同時(shí)處理模擬與數(shù)字信號(hào)的混合IC。模擬IC按應(yīng)用來(lái)分可分為標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC和特殊應(yīng)用型模擬 IC。標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調(diào)節(jié)與參考對(duì)比(VoltageRegulator/Reference)、信號(hào)界面(Interface)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(Data
關(guān)鍵字：模擬IC CMOS

CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端處理方法

　　本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現(xiàn)多余輸入端的解決方法，并且對(duì)每種情況進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，希望大家能從本文得到有用的知識(shí)，解決輸入端多余的問(wèn)題?！　MOS門(mén)電路　　CMOS門(mén)電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法：　　與門(mén)和與非門(mén)電路　　由
關(guān)鍵字： CMOS TTL

干貨分享：工程師教你如何設(shè)計(jì)D類放大器

　　D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來(lái)。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對(duì)于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計(jì)一個(gè)“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問(wèn)題?！　∫纛l放大器背景　　音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真的輸入音頻信號(hào)。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內(nèi)具有良好的頻率響應(yīng)(當(dāng)驅(qū)動(dòng)頻帶有限的揚(yáng)聲器時(shí)頻率
關(guān)鍵字： D類放大器 CMOS

對(duì)比工業(yè)成像中的CCD及CMOS技術(shù)

在工業(yè)應(yīng)用的成像系統(tǒng)中，CCD是采用定制的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)，高度優(yōu)化于成像應(yīng)用，并需要外部電路將模擬輸出電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)用于后續(xù)處理。具有高效的電子快門(mén)能力、寬動(dòng)態(tài)范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端，而是放置晶體管在每一像素內(nèi)，來(lái)進(jìn)行電荷——電壓轉(zhuǎn)換。這令電壓在整個(gè)器件中傳輸，使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
關(guān)鍵字：成像系統(tǒng) 圖像傳感器 CCD CMOS 201604

什么是TTL電平、CMOS電平？?jī)烧叩膮^(qū)別

　　TTL電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強(qiáng)型PMOS晶體管和增強(qiáng)型NMOS管按照互補(bǔ)對(duì)稱形式連接的，下面來(lái)說(shuō)一下兩者的區(qū)別?！　∈裁词荰TL電平　　TTL電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定，+5V等價(jià)于邏輯"1"，0V等價(jià)于邏輯"0"，這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng)，這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。　　TTL電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制
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芯片光傳輸突破瓶頸頻寬密度增加10~50倍

　　整合光子與電子元件的半導(dǎo)體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無(wú)法廣泛應(yīng)用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國(guó)加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現(xiàn)有CMOS標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。　　據(jù)HPC Wire網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，這顆整合7，000萬(wàn)個(gè)電晶體和850個(gè)光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)和電子設(shè)計(jì)工具均相容，因此可以大量生產(chǎn)。芯片內(nèi)建的光電發(fā)射器和接收器
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選擇RF和微波濾波器的八個(gè)竅門(mén)

　　在不了解會(huì)受到何種損害的情況下，具備高深的數(shù)字電子知識(shí)的設(shè)計(jì)師發(fā)現(xiàn)，當(dāng)需要給無(wú)線器件確定濾波器參數(shù)時(shí)，急需復(fù)習(xí)射頻基礎(chǔ)知識(shí)。如果沒(méi)有考慮濾波器類型和最低技術(shù)規(guī)格要求方面的基本要素，可能導(dǎo)致產(chǎn)品不能通過(guò)“測(cè)試”，結(jié)果產(chǎn)品又得重新開(kāi)始設(shè)計(jì)，導(dǎo)致代價(jià)昂貴的生產(chǎn)推遲。另一方面，懂得如何準(zhǔn)確確定濾波器參數(shù)，將有助于使生產(chǎn)出的產(chǎn)品滿足客戶的生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)和功能。事實(shí)上，這種知識(shí)有助于在提高產(chǎn)品在市場(chǎng)上的成功機(jī)會(huì)的同時(shí)，控制生產(chǎn)費(fèi)用?！　幕A(chǔ)開(kāi)始　　在當(dāng)今無(wú)線領(lǐng)域，激烈的擴(kuò)展帶寬的競(jìng)爭(zhēng)迫使人們要更加關(guān)注濾波器的性能。如
關(guān)鍵字： RF 微波濾波器

使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問(wèn)題

　　集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類，TTL以速度見(jiàn)長(zhǎng)，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題?！　?、電源問(wèn)題　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門(mén)電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
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降低RF電路寄生信號(hào)的八個(gè)設(shè)計(jì)規(guī)則

　　RF電路布局要想降低寄生信號(hào)，需要RF工程師發(fā)揮創(chuàng)造性。記住以下這八條規(guī)則，不但有助于加速產(chǎn)品上市進(jìn)程，而且還可提高工作日程的可預(yù)見(jiàn)性。　　規(guī)則1：接地通孔應(yīng)位于接地參考層開(kāi)關(guān)處　　流經(jīng)所布線路的所有電流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不過(guò)回流通常流經(jīng)相鄰的接地層或與信號(hào)線路并行布置的接地。在參考層繼續(xù)時(shí)，所有耦合都僅限于傳輸線路，一切都非常正常。不過(guò)，如果信號(hào)線路從頂層切換至內(nèi)部或底層時(shí)，回流也必須獲得路徑。　　圖1就是一個(gè)實(shí)例。頂層信號(hào)線路電流下面緊挨著就是回流。當(dāng)它轉(zhuǎn)移到底層時(shí)，回
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關(guān)于電路的那些常識(shí)性概念

　　一.TTL　　TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(mén)(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源?！　?.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol　　Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V　　2.輸入高電平和輸入低電平　　Uih≥2.0V，Uil≤0.8V　　二.CMOS　　CMOS電路是電壓控制器件，輸入電阻極大，對(duì)于干擾信號(hào)十分敏感，因此不用的輸入端不應(yīng)開(kāi)路，接到地或者電源上。CMOS電路的優(yōu)點(diǎn)是噪聲容限較寬，靜態(tài)功耗很小。　　
關(guān)鍵字： TTL CMOS

歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)

　　歐盟(E.U.)最近啟動(dòng)一項(xiàng)為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導(dǎo)體”(INSIGHT)研發(fā)計(jì)劃，這項(xiàng)研發(fā)經(jīng)費(fèi)高達(dá)470萬(wàn)美元的計(jì)劃重點(diǎn)是在標(biāo)準(zhǔn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來(lái)的5G規(guī)格要求，以及瞄準(zhǔn)頻寬更廣、影像解析度更高的雷達(dá)系統(tǒng)。　　除了IBM (瑞士)，該計(jì)劃將由德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國(guó)LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
關(guān)鍵字： 5G CMOS