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當(dāng)RF遇到模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)–EMI測(cè)試
- 當(dāng)前,對(duì)工程師們來(lái)說(shuō),EMI (電磁干擾)和EMC (電磁兼容性)即使不算災(zāi)難,也算是非常棘手的任務(wù)。這是因?yàn)槿绻麤](méi)適 ...
- 關(guān)鍵字: RF 模擬信號(hào) 數(shù)字信號(hào) EMI測(cè)試
Mouser 推出增強(qiáng)版全新射頻無(wú)線技術(shù)網(wǎng)站
- 2013 年 1 月 24 日 – Mouser Electronics宣布對(duì) Mouser.com 上涵蓋射頻 (RF)無(wú)線技術(shù)的最新技術(shù)網(wǎng)站內(nèi)容的擴(kuò)充,現(xiàn)已能提供領(lǐng)先的即插即用射頻解決方案。 通過(guò)該全新射頻無(wú)線技術(shù)網(wǎng)站的增強(qiáng)型解決方案中心,能夠幫助設(shè)計(jì)工程師挑選無(wú)線電頻率經(jīng)驗(yàn)證的最新集成解決方案和即插即用模塊,并即時(shí)為現(xiàn)有應(yīng)用增加無(wú)線功能。 該解決方案中心匯聚了來(lái)自 Skyworks、Murata、Panasonic 和 Texas Instruments 等業(yè)界領(lǐng)先的制造商提供
- 關(guān)鍵字: Mouser 無(wú)線技術(shù) RF
羅姆高頻元器件和模塊技術(shù)系列一
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字: 羅姆 RF-CMOS HEMS 特定小功率無(wú)線模塊
下一代FD-SOI制程將跳過(guò)20nm直沖14nm
- 在一場(chǎng)近日于美國(guó)舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上,產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示, FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過(guò)了20nm節(jié)點(diǎn),直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。 根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場(chǎng)會(huì)議上展示的投影片與評(píng)論指出,14nm FD-SOI技術(shù)問(wèn)世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當(dāng),而兩者的性能表現(xiàn)差不多,F(xiàn)
- 關(guān)鍵字: ST FD-SOI 10nm
ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI
- 12月13日,意法半導(dǎo)體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步,即將在位于法國(guó)Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù),這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時(shí),而不犧牲電池的使用壽命的情況下,嵌入式處理器需具有市場(chǎng)上最高的性能及最低的功耗,意法半導(dǎo)體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn),滿(mǎn)足多媒體和便攜應(yīng)用市場(chǎng)的需求。 FD-SOI技術(shù)平臺(tái)包括全功能且經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證的設(shè)計(jì)平臺(tái)和設(shè)
- 關(guān)鍵字: ST 晶圓 FD-SOI
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