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電池耗電量顯著減少!ROHM開(kāi)發(fā)出靜態(tài)電流超低的運(yùn)算放大器

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出靜態(tài)電流超低的線性運(yùn)算放大器“LMR1901YG-M”。該產(chǎn)品非常適用于傳感器信號(hào)放大用途,比如在電池等內(nèi)部電源供電的設(shè)備中檢測(cè)和測(cè)量溫度、流量、氣體濃度等應(yīng)用。近年來(lái),消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備等各種應(yīng)用都需要進(jìn)行更復(fù)雜的控制,因此用來(lái)對(duì)溫度、濕度、振動(dòng)、壓力、流量等進(jìn)行數(shù)字化的傳感器,以及用來(lái)放大傳感器信號(hào)的運(yùn)算放大器的重要性日益凸顯。另一方面,在追求實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會(huì)的大背景下,應(yīng)用產(chǎn)品進(jìn)一步節(jié)能這一課題已成為當(dāng)務(wù)之急,即使是單個(gè)元器件也需要降低其功耗
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ROHM開(kāi)發(fā)出車載一次側(cè)LDO“BD9xxM5-C”,利用高速負(fù)載響應(yīng)技術(shù)“QuiCur?”實(shí)現(xiàn)業(yè)界超優(yōu)異的負(fù)載響應(yīng)特性

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出額定電壓45V、輸出電流500mA的一次側(cè)*1LDO穩(wěn)壓器*2(以下簡(jiǎn)稱LDO)“BD9xxM5-C”(BD933M5EFJ-C、BD950M5EFJ-C、BD900M5EFJ-C、BD933M5WEFJ-C、BD950M5WEFJ-C、BD900M5WEFJ-C),非常適用于由車載電池驅(qū)動(dòng)的車載電子產(chǎn)品和ECU(電子控制單元)等的電源。 近年來(lái),隨著汽車中使用的電子元器件的增加,車載電源系統(tǒng)也在增加,對(duì)于可直接降低電池電壓的、給ECU所用
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ROHM開(kāi)發(fā)出使用1節(jié)鋰離子電池也能高速清晰打印的熱敏打印頭

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出一款可實(shí)現(xiàn)高性能打印并節(jié)能約30%的、由1節(jié)鋰離子電池(3.6V)驅(qū)動(dòng)的新結(jié)構(gòu)熱敏打印頭“KR2002-Q06N5AA”。 近年來(lái),隨著物流行業(yè)的發(fā)展而普及的便攜式標(biāo)簽打印機(jī)以及電子貨幣支付的發(fā)展而普及的支付終端變得越來(lái)越重要。在便攜式標(biāo)簽打印機(jī)和支付終端等便攜式熱敏打印機(jī)領(lǐng)域,由于打印速度和打印質(zhì)量的關(guān)系,由2節(jié)鋰離子電池驅(qū)動(dòng)的機(jī)型是主流產(chǎn)品。如果打印機(jī)能夠用1節(jié)鋰離子電池供電,就可以做得更小、更輕,同時(shí)還可以更節(jié)能。而另一方面,通過(guò)1節(jié)
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半導(dǎo)體助推工業(yè)設(shè)備創(chuàng)新-解決制造業(yè)難題的IoT和AI解決方案

  • 制造業(yè)的DX(數(shù)字化轉(zhuǎn)型)將為制造業(yè)帶來(lái)巨大變革。其中尤為引人注目的是智能工廠。通常,智能工廠給人的印象是一種近未來(lái)的形象:引進(jìn)協(xié)作機(jī)器人或AMR(自主移動(dòng)機(jī)器人),結(jié)合AI技術(shù)和大量分析數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化和省人化(節(jié)省人力)。其實(shí),只需在現(xiàn)有系統(tǒng)中嵌入使用傳感器和無(wú)線通信的簡(jiǎn)單IoT(物聯(lián)網(wǎng))技術(shù),也可以讓工廠變?yōu)橹悄芄S。實(shí)現(xiàn)智能工廠不僅可以提高生產(chǎn)力、品質(zhì)和安全性,還可降低成本、減輕環(huán)境負(fù)荷,同時(shí),通過(guò)為設(shè)備或裝置另行配備AI芯片,還可實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)故障預(yù)測(cè)、深度修理和更換、降低生產(chǎn)線停轉(zhuǎn)風(fēng)險(xiǎn)。ROHM不僅
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ROHM開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

  • ~產(chǎn)品陣容新增具有低噪聲、高速開(kāi)關(guān)和超短反向恢復(fù)時(shí)間特點(diǎn)的5款新產(chǎn)品~全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”,新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。?近年來(lái),隨著照明用的小型電源
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IGBT IPM實(shí)例:絕對(duì)最大額定值

  • 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?各種項(xiàng)目的絕對(duì)最大額定值都是絕對(duì)不能超過(guò)的值。?IGBT IPM絕對(duì)最大額定值的解釋基本上與半導(dǎo)體器件相同。?由于絕對(duì)最大額定值不是保證產(chǎn)品工作和特性的值,因此設(shè)計(jì)通常基于推薦工作條件和電氣特性項(xiàng)目中的規(guī)格值進(jìn)行。在本文中,將介紹IGBT IPM的絕對(duì)最大額定值。與上一篇一樣,我們將使用ROHM的第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”作為IGBT IPM的示例。?IGBT IPM實(shí)例:絕對(duì)最大額定值?首先,為了便于理解后續(xù)內(nèi)容,我們先
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ROHM開(kāi)發(fā)出LiDAR用的120W高輸出功率激光二極管“RLD90QZW8”

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出一款高輸出功率半導(dǎo)體激光二極管“RLD90QZW8”,該產(chǎn)品非常適用于搭載測(cè)距和空間識(shí)別用LiDAR*1的工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的AGV(Automated Guided Vehicle/無(wú)人搬運(yùn)車)和服務(wù)機(jī)器人、消費(fèi)電子領(lǐng)域的掃地機(jī)器人等應(yīng)用。近年來(lái),在AGV、掃地機(jī)器人和自動(dòng)駕駛汽車等需要自動(dòng)化工作的廣泛應(yīng)用中,可以準(zhǔn)確測(cè)量距離和識(shí)別空間的LiDAR日益普及。在這種背景下,為了“更遠(yuǎn)”、“更準(zhǔn)確”地檢測(cè)到信息,要求作為光源的激光二極管提高輸出功率和性能。R
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ROHM開(kāi)發(fā)出可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速柵極驅(qū)動(dòng)器IC

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出一款超高速驅(qū)動(dòng)GaN器件的柵極驅(qū)動(dòng)器IC“BD2311NVX-LB”。近年來(lái),在服務(wù)器系統(tǒng)等領(lǐng)域,由于IoT設(shè)備的需求日益增長(zhǎng),電源部分的功率轉(zhuǎn)換效率提升和設(shè)備的小型化已經(jīng)成為重要的社會(huì)課題,而這就要求功率元器件的不斷優(yōu)化。另外,不僅在自動(dòng)駕駛領(lǐng)域,在工業(yè)設(shè)備和社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施監(jiān)控等領(lǐng)域應(yīng)用也非常廣泛的LiDAR*1,也需要通過(guò)高速脈沖激光照射來(lái)進(jìn)一步提高識(shí)別精度。在這類應(yīng)用中,必須使用高速開(kāi)關(guān)器件,因此,ROHM在推出支持高速開(kāi)關(guān)的GaN器件的同時(shí),還
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如何在大功率應(yīng)用中減少損耗、提高能效并擴(kuò)大溫度范圍

  • 功耗密集型應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要更小、更輕、更節(jié)能的電源轉(zhuǎn)換器,能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動(dòng)汽車 (EV) 等應(yīng)用中尤其如此,若能實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn),可加快充電速度、延長(zhǎng)續(xù)航里程。為了實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn),設(shè)計(jì)人員目前使用基于寬帶隙 (WBG) 技術(shù)的電源轉(zhuǎn)換器,例如碳化硅 (SiC) 電源轉(zhuǎn)換器。功耗密集型應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員需要更小、更輕、更節(jié)能的電源轉(zhuǎn)換器,能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動(dòng)汽車 (EV) 等應(yīng)用中尤其如此,若能實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn),可加快充電速度、延長(zhǎng)續(xù)航里程。為了實(shí)現(xiàn)這些改進(jìn),設(shè)計(jì)人員目前使用基
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緩沖電路的種類和選擇

  • 緩沖電路包括由電阻器、線圈、電容器等無(wú)源元件組成的電路,以及由半導(dǎo)體元器件組成的有源電路(*1)。在這里將為您介紹無(wú)需控制且具有成本優(yōu)勢(shì)的電路方式。關(guān)鍵要點(diǎn)※ 要想使緩沖電路充分發(fā)揮出其效果,需要盡可能靠近開(kāi)關(guān)器件進(jìn)行安裝。緩沖電路包括由R、L、C等無(wú)源元件組成的電路和由半導(dǎo)體元器件組成的有源電路?!?本文介紹了無(wú)需控制而且具有成本優(yōu)勢(shì)的電路方式——C緩沖電路、RC緩沖電路、放電型RCD緩沖電路和非放電型RCD緩沖電路。本文進(jìn)入本系列文章的第二個(gè)主題:“緩沖電路的種類和選擇”。●   
  • 關(guān)鍵字: ROHM  緩沖電路  

ROHM開(kāi)發(fā)出適用于條碼標(biāo)簽打印應(yīng)用、500mm/秒的業(yè)內(nèi)超快打印速度的熱敏打印頭

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)新推出兩款高可靠性高速熱敏打印頭“TE2004-QP1W00A(203dpi)”和“TE3004-TP1W00A(300dpi)”,新產(chǎn)品非常適用于物流和庫(kù)存管理等領(lǐng)域打印標(biāo)簽所用的條碼標(biāo)簽打印機(jī)。近年來(lái),電子商務(wù)(EC)市場(chǎng)蓬勃發(fā)展,消費(fèi)者的需求越來(lái)越多樣化,使得對(duì)物流標(biāo)簽和庫(kù)存管理標(biāo)簽等的需求也日益高漲。然而,憑借以往的熱敏打印頭技術(shù),250mm/秒~300mm/秒已經(jīng)是打印速度的極限。在這種背景下,ROHM采用新結(jié)構(gòu)和新技術(shù)開(kāi)發(fā)出高可靠性的高速熱敏打
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ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET 以小尺寸實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻

  • ~非常適用于通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī),有助于設(shè)備進(jìn)一步降低功耗和節(jié)省空間~ 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,開(kāi)發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET*1一體化封裝的雙MOSFET新產(chǎn)品。新產(chǎn)品分為“HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch)系列”和“HP8MEx(Nch+Pch*2)系列”兩個(gè)系列,共5款新機(jī)型。近年來(lái),在通信基站和工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,為了降低電流值、提高效率,以往的12V和24V系統(tǒng)逐漸被轉(zhuǎn)換為48V系統(tǒng),電源電壓呈提
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ROHM開(kāi)發(fā)出配備VCSEL的小型接近傳感器,用于無(wú)線耳機(jī)等可穿戴設(shè)備

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向包括無(wú)線耳機(jī)和智能手表等可穿戴設(shè)備在內(nèi)的需要脫戴檢測(cè)和接近檢測(cè)的各種應(yīng)用,開(kāi)發(fā)出2.0mm×1.0mm尺寸的小型接近傳感器“RPR-0720”。  近年來(lái),隨著物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的普及,在其中發(fā)揮著重要作用的傳感器產(chǎn)品需要具備更小的體積、更高的性能。ROHM擁有將發(fā)光元件和光接收元件一體化封裝的接近傳感器系列產(chǎn)品,由于其適用性高而被廣泛應(yīng)用于從移動(dòng)設(shè)備到工業(yè)設(shè)備的眾多領(lǐng)域。特別是在可穿戴設(shè)備領(lǐng)域,由于產(chǎn)品的性能不斷提升,導(dǎo)致所用的元器件數(shù)量增加,對(duì)設(shè)
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ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”, 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積!

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向數(shù)據(jù)服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備和AC適配器等消費(fèi)電子設(shè)備的一次側(cè)電源*1,開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅(qū)動(dòng)用驅(qū)動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。近年來(lái),為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會(huì),對(duì)消費(fèi)電子和工業(yè)設(shè)備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對(duì)這種需求,GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率和實(shí)現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而,與Si MOSFET相
  • 關(guān)鍵字: ROHM  AC適配器  GaN HEMT  Si MOSFET  

逆變電路中開(kāi)關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性—逆變電路的種類和通電方式

  • 逆變電路主要分為單相逆變電路和三相逆變電路兩類。單相逆變電路的電路圖和輸出電流的示意波形分別如圖1和圖2所示。單相逆變電路可將直流電轉(zhuǎn)換為單相交流電,因此通常被用于功率調(diào)節(jié)器和不間斷電源(UPS)等普通家庭的商用電源應(yīng)用。關(guān)鍵要點(diǎn)?逆變電路主要分為單相逆變電路和三相逆變電路兩類。?電機(jī)驅(qū)動(dòng)采用可使轉(zhuǎn)矩穩(wěn)定、且可抑制振動(dòng)和噪聲的三相逆變器。?用三相逆變器驅(qū)動(dòng)電機(jī)時(shí)的激勵(lì)(通電)方式有方波驅(qū)動(dòng)(120°激勵(lì))和正弦波驅(qū)動(dòng)(三相調(diào)制、兩相調(diào)制),不同的方式各有優(yōu)缺點(diǎn)。?在本系列文章中,將以電機(jī)驅(qū)動(dòng)中常用的正弦波
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rohm介紹

Rohm株式會(huì)社為全球知名的半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè),ROHM公司總部所在地設(shè)在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產(chǎn)商在京都起家的ROHM,于1967年和1969年逐步進(jìn)入了 晶體管、二極管領(lǐng)域和IC等半導(dǎo)體領(lǐng)域.2年后的1971年ROHM作為第一家進(jìn)入美國(guó)硅谷的日本企業(yè),在硅谷開(kāi)設(shè)了IC設(shè)計(jì)中心.以當(dāng)時(shí)的企業(yè)規(guī)模,憑借被稱為"超常思維"的創(chuàng)新理念,加之年輕的、充滿夢(mèng)想和激情的員工的艱苦奮斗,ROHM [ 查看詳細(xì) ]

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