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恒憶與三星電子共同合作開發(fā) PCM

  •   恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲器 (Phase Change Memory,PCM) 產(chǎn)品的市場規(guī)格,此新一代存儲技術(shù)可滿足載有大量內(nèi)容和數(shù)據(jù)平臺的性能及功耗要求,從而幫助多功能手機及移動應(yīng)用、嵌入式系統(tǒng)*、高級運算裝置的制造商應(yīng)對設(shè)計挑戰(zhàn)。制定針對PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標(biāo)準(zhǔn),將有效簡化設(shè)計流程并縮短產(chǎn)品開發(fā)時間,使制造商能在短時間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲產(chǎn)品。   相較于
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大容量SDRAM在windows CE系統(tǒng)中的應(yīng)用設(shè)計

  • 大容量SDRAM在windows CE系統(tǒng)中的應(yīng)用設(shè)計,摘 要:擴大同步動態(tài)隨機存儲器(SDRAM)的容量是提升嵌入式產(chǎn)品性能的關(guān)鍵問題。這里基于Intel公司的PXA255處理器提出一種大容量sDRAM的硬件設(shè)計方法,并在微軟提供的板級支撐包(BSF’)的基礎(chǔ)上編寫了一套在win―dows
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DDR2 SDRAM介紹及其基于MPC8548 CPU的硬件設(shè)計(08-100)

  •   DDR2(Double Data Rate 2,兩倍數(shù)據(jù)速率,版本2) SDRAM,是由JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織開發(fā)的基于DDR SDRAM的升級存儲技術(shù)。 相對于DDR SDRAM,雖然其仍然保持了一個時鐘周期完成兩次數(shù)據(jù)傳輸?shù)奶匦?,但DDR2 SDRAM在數(shù)據(jù)傳輸率、延時、功耗等方面都有了顯著提高,而這些性能的提高,主要來源于以下技術(shù)的提升:ODT,Post CAS,4n數(shù)據(jù)預(yù)取,封裝等。
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ADI公司的新一代SHARC 處理器滿足專業(yè)音頻的所有需求

  •   極高性能的浮點DSP,比以往的 SHARC處理器性能提高一倍,具有硬件加速器與音頻應(yīng)用提升特性: 片上存儲器增加60%以上,提供DDR2 SDRAM外部存儲器接口及連接端口   中國 北京——Analog Devices, Inc.(紐約證券交易所代碼: ADI),全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商,最新推出SHARC® ADSP-21469,以幫助開發(fā)人員重新定義專業(yè)系統(tǒng)中的逼真音響。更多的通道、更多的效果、更多的建模、更高的采樣速率:專業(yè)數(shù)字音頻應(yīng)用正在不斷逼
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SDRAM在任意波形發(fā)生器中的應(yīng)用

  • 任意波形發(fā)生器在雷達(dá)、通信領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用,但目前任意波形發(fā)生器大多使用靜態(tài)存儲器。這使得在任意波形發(fā)生器工作頻率不斷提高的情況下,波形的存儲深度很難做得很大,從而不能精確地表達(dá)復(fù)雜信號。本文介紹的基于動態(tài)存儲器(SDRAM)的設(shè)計能有效解決這一問題,并詳細(xì)討論了一種簡化SDRAM控制器的設(shè)計方法。
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基于NiosⅡ的圖像采集和顯示的實現(xiàn)

  •   摘 要:采用OV2610的CMOS圖像傳感器和26K色的TFT液晶屏,在SOPC上集成了OV2610、TFT液晶控制器和DMA控制器,實現(xiàn)了圖像數(shù)據(jù)流的采集和顯示。   關(guān)鍵詞:DMA  Avalon數(shù)據(jù)流模式  SDRAM   隨著大規(guī)模集成電路設(shè)計技術(shù)的進(jìn)步、制造工藝水平的提高以及單個芯片上的邏輯門數(shù)的增加,嵌入式系統(tǒng)設(shè)計變得日益復(fù)雜。把整個系統(tǒng)集成到一個芯片上,即片上系統(tǒng)SoC(System on Chip)技術(shù)是當(dāng)前嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的一個研究熱點。在Altera公司提供的
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在DDR3 SDRAM存儲器接口中使用調(diào)平技術(shù)

  •   引言   DDR3 SDRAM存儲器體系結(jié)構(gòu)提高了帶寬,總線速率達(dá)到了600 Mbps至1.6 Gbps (300至800 MHz),它采用1.5V工作,降低了功耗,90-nm工藝密度提高到2 Gbits。這一體系結(jié)構(gòu)的確速率更快,容量更大,單位比特的功耗更低,但是怎樣才能實現(xiàn)DDR3 SDRAM DIMM和FPGA的接口呢?調(diào)平技術(shù)是關(guān)鍵。如果FPGA I/O結(jié)構(gòu)中沒有直接內(nèi)置調(diào)平功能,和DDR3 SDRAM DIMM的接口會非常復(fù)雜,成本也高,需要采用大量的外部元件。那么,什么是調(diào)平技術(shù),這一技
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SDRAM接口的VHDL設(shè)計

  •   RAM(隨機存取存儲器 是一種在電子系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛的器件,通常用于數(shù)據(jù)和程序的緩存。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展,RAM獲得了飛速的發(fā)展,從RAM、DRAM(Dynamic RAM,即動態(tài)RAM)發(fā)展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM,即同步動態(tài)RAM),RAM的容量越來越大、速度越來越高,可以說存儲器的容量和速度已經(jīng)成為半導(dǎo)體工業(yè)水平的標(biāo)志。  ?。?任務(wù)背景   SDRAM具有大容量和高速的優(yōu)點,目前其存取速度可以達(dá)到100~133MHz,單片容量可以達(dá)到64Mbit或更高
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高速嵌入式視頻系統(tǒng)中SDRAM時序控制分析

  •   在高速數(shù)字視頻系統(tǒng)應(yīng)用中,使用大容量存儲器實現(xiàn)數(shù)據(jù)緩存是一個必不可少的環(huán)節(jié)。SDRAM就是經(jīng)常用到的一種存儲器。   但是,在主芯片與SDRAM之間產(chǎn)生的時序抖動問題阻礙了產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)。在數(shù)字電視接收機的生產(chǎn)實際應(yīng)用中,不同廠家的PCB板布線、PCB材料和時鐘頻率的不同,及SDRAM型號和器件一致性不同等原因,都會帶來解碼主芯片與SDRAM間訪問時序的抖動問題。   本文利用C-NOVA公司數(shù)字電視MPEG-2解碼芯片AVIA9700內(nèi)置的SDRAM控制器所提供的時序補償機制,設(shè)計了一個方便使
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全球半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)組織委員會會議在上海舉行 推動存儲工業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)制定

  •   隨著筆記本電腦、手機等移動終端以及家用數(shù)碼產(chǎn)品的大規(guī)模增長,器的移動性和能耗問題已廣泛受到業(yè)界關(guān)注。日前,(全球半導(dǎo)體組織)委員會會議在上海舉行,推動存儲工業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)制定。   在過去五年內(nèi),JEDEC曾與中國半導(dǎo)體行業(yè)組織合作,促進(jìn)中國及世界的半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。例如中國電子標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(CESA),中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(CSIA)與中國電子標(biāo)準(zhǔn)研究所(CESI)等。   我國企業(yè)已占JEDEC會員數(shù)的20%,而且數(shù)目還在增長。JEDEC本次會議主要研究了DDR3 SDRAM(第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲
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基于FPGA的DDR SDRAM控制器在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 實現(xiàn)數(shù)據(jù)的高速大容量存儲是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的一項關(guān)鍵技術(shù)。本設(shè)計采用Altera公司Cyclone系列的FPGA完成了對DDR SDRAM的控制,以狀態(tài)機來描述對DDR SDRAM的各種時序操作,設(shè)計了DDR SDRAM的數(shù)據(jù)與命令接口。用控制核來簡化對DDR SDRAM的操作,并采用自頂至下模塊化的設(shè)計方法,將控制核嵌入到整個數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的控制模塊中,完成了數(shù)據(jù)的高速采集、存儲及上傳。使用開發(fā)軟件Quartus II中內(nèi)嵌的邏輯分析儀SignalTap II對控制器的工作流程進(jìn)行了驗證和調(diào)試。最終采集到的
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片上SDRAM控制器的設(shè)計與集成

  •   隨著設(shè)計與制造技術(shù)的發(fā)展,集成電路設(shè)計從晶體管的集成發(fā)展到邏輯門的集成, 現(xiàn)在又發(fā)展到IP的集成,即SoC設(shè)計技術(shù)。SoC可以有效地降低電子信息系統(tǒng)產(chǎn)品的開發(fā)成本,縮短開發(fā)周期,提高產(chǎn)品的競爭力,是工業(yè)界將采用的最主要的產(chǎn)品開發(fā)方式。目前國內(nèi)也加大了在SoC 設(shè)計以及IP 集成領(lǐng)域的研究。本文介紹的便是國家基金項目支持的龍芯SoC—ICT- E32 設(shè)計所集成的片上SDRAM 控制器模塊設(shè)計與實現(xiàn)。   1  ICT-E32 體系結(jié)構(gòu)   ICT-E32 是一款32位高性能SoC ,它集成龍芯1號
  • 關(guān)鍵字: SoC  SDRAM  控制器  MCU和嵌入式微處理器  

FPGA與DDR3 SDRAM的接口設(shè)計

  •     DDR3 SDRAM內(nèi)存的總線速率達(dá)到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz),1.5V的低功耗工作電壓,采用90nm制程達(dá)到2Gbits的高密度。這個架構(gòu)毫無疑問更快、更大,每比特的功耗也更低,但是如何實現(xiàn)FPGA和DDR3 SDRAM DIMM條的接口設(shè)計呢?   關(guān)鍵字:均衡(leveling)   如果FPGA&nbs
  • 關(guān)鍵字: FPGA  DDR3  SDRAM  接口  模擬IC  電源  

高速嵌入式視頻系統(tǒng)中SDRAM時序控制分析

  •   在高速數(shù)字視頻系統(tǒng)應(yīng)用中,使用大容量存儲器實現(xiàn)數(shù)據(jù)緩存是一個必不可少的環(huán)節(jié)。SDRAM就是經(jīng)常用到的一種存儲器。   但是,在主芯片與SDRAM之間產(chǎn)生的時序抖動問題阻礙了產(chǎn)品的大規(guī)模生產(chǎn)。在數(shù)字電視接收機的生產(chǎn)實際應(yīng)用中,不同廠家的PCB板布線、PCB材料和時鐘頻率的不同,及SDRAM型號和器件一致性不同等原因,都會帶來解碼主芯片與SDRAM間訪問時序的抖動問題。   本文利用C-NOVA公司數(shù)字電視MPEG-2解碼芯片AVIA9700內(nèi)置的SDRAM控制器所提供的時序補償機制,設(shè)計了一個方便使
  • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機  SDRAM  時序控制  MCU和嵌入式微處理器  

SDRAM通用控制器的FPGA模塊化設(shè)計

  • 引言       同步動態(tài)隨機存儲器(SDRAM),在同一個CPU時鐘周期內(nèi)即可完成數(shù)據(jù)的訪問和刷新,其數(shù)據(jù)傳輸速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲器(DRAM),被廣泛的應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)中。基于FPGA的SDRAM控制器,以其可靠性高、可移植性強、易于集成的特點,已逐漸取代了以往的專用控制器芯片而成為主流解決方案。然而,SDRAM復(fù)雜的控制邏輯和要求嚴(yán)格的時序,成為開發(fā)過程中困擾設(shè)計人員主要因素,進(jìn)而降低了開發(fā)速度,而且大多數(shù)的基于FPGA的SDR
  • 關(guān)鍵字: 工業(yè)控制  嵌入式系統(tǒng)  單片機  FPGA  SDRAM  嵌入式  工業(yè)控制  
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sdram介紹

  SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動態(tài)隨機存取存儲器,同步是指Memory工作需要同步時鐘,內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲,而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。   SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代,分別是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR [ 查看詳細(xì) ]

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