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爾必達(dá)采用TSV技術(shù)SDRAM芯片開(kāi)始供貨

　　爾必達(dá)存儲(chǔ)器宣布，開(kāi)始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術(shù)積層4個(gè)2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個(gè)接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達(dá)表示采用TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據(jù)爾必達(dá)介紹，與采用引線(xiàn)鍵合(Wire Bonding)技術(shù)的現(xiàn)有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產(chǎn)品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節(jié)省
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DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對(duì)被測(cè)對(duì)象進(jìn)行處理和分析，研究人員們把重點(diǎn)更多的放在高速、高精度、高存儲(chǔ)深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上由于A(yíng)／D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn)，已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理，則
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處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹

處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹,現(xiàn)代的處理器(SoC)或DSP都內(nèi)建有內(nèi)存控制器，它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAMhellip;hellip;等內(nèi)存的控制接口。但不同處理器內(nèi)部的內(nèi)存控制方式都不盡相同，而且它們的控制程序大部分都位于開(kāi)機(jī)程序內(nèi)，皆屬于
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DDR測(cè)試技術(shù)和工具是否跟上了時(shí)代步伐？

　　DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國(guó)泛泰去年底最新推出的Android智能手機(jī)Vega X就搭載了512MB的DDR2內(nèi)存。　　DDR技術(shù)不斷發(fā)展，并行總線(xiàn)達(dá)到了串行技術(shù)的速度，時(shí)鐘速度達(dá)到1GHz。目前，DDR3現(xiàn)在已經(jīng)具備1.6Gb/s的數(shù)據(jù)速率，而DDR3-1866及更高速率版本正在開(kāi)發(fā)中，很快就會(huì)出現(xiàn)在市場(chǎng)上。
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基于FPGA與SDRAM的數(shù)字電視信號(hào)采集系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)

要FPGA與的數(shù)字信號(hào)采集系統(tǒng)?？梢蕴峁┐笕萘康拇鎯?chǔ)空間。提供優(yōu)秀的系統(tǒng)適應(yīng)能力。該方案通過(guò)計(jì)算機(jī)并口實(shí)現(xiàn)與計(jì)算機(jī)的通信 ,但是高性能的邏輯分析儀價(jià)格昂貴,而且存取深度不足限制了對(duì)于海量數(shù)字電視信號(hào)的分析能力
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一種基于FPGA的立體視頻轉(zhuǎn)換系統(tǒng)研究設(shè)計(jì)

自由立體顯示器是一種無(wú)需佩戴輔助裝置就能觀(guān)看三維立體效果的顯示器。由于立體顯示器能夠真實(shí)還原三維...
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如何實(shí)現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器的連接

采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器架構(gòu)支持總線(xiàn)速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲(chǔ)密度更可高達(dá)2Gbits。該架構(gòu)無(wú)疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問(wèn)
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基于FPGA的LED大屏幕控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

相比于液晶顯示、投影顯示等其他大屏幕顯示技術(shù)，LED顯示技術(shù)有其獨(dú)特的優(yōu)越性：高亮度、寬可視角度、豐富...
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基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)

基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng),O 引言　　面對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，原始采樣數(shù)據(jù)可能包含多種不同樣式的信號(hào)，這給傳統(tǒng)基于連續(xù)存儲(chǔ)方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)帶來(lái)了挑戰(zhàn)。除此之外，由于對(duì)不同信號(hào)的處理往往需要不同的數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)，緩存系統(tǒng)的設(shè)計(jì)需要保存原
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基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器接口控制器的設(shè)計(jì)

基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器接口控制器的設(shè)計(jì),　　本白皮書(shū)討論各種存儲(chǔ)器接口控制器設(shè)計(jì)所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時(shí)也說(shuō)明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過(guò)硬件驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)來(lái)為您自己的應(yīng)用(從低成本的 DDR SDRAM 應(yīng)用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣
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基于DSP E1—16XS的硬件開(kāi)發(fā)平臺(tái)設(shè)計(jì)

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茂德、鈺創(chuàng)攜手進(jìn)軍SDRAM

　　臺(tái)系DRAM廠(chǎng)陸續(xù)啟動(dòng)多角化產(chǎn)品線(xiàn)策略，近期茂德悄悄與鈺創(chuàng)進(jìn)行結(jié)盟，將在中科12寸晶圓廠(chǎng)為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品，采用72納米制程，目前已進(jìn)入試產(chǎn)，這是茂德跨入消費(fèi)性電子市場(chǎng)重要里程碑，對(duì)鈺創(chuàng)而言，亦在SDRAM產(chǎn)能吃緊情況下獲得及時(shí)雨。　　2008~2009 年DRAM產(chǎn)業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)，但各家DRAM業(yè)者都意識(shí)到太過(guò)執(zhí)著于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，終究是一條不歸路，因此自 2010年開(kāi)始，陸續(xù)傳出DRAM廠(chǎng)開(kāi)始布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域，包括SDRAM、
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Cyclone II如何實(shí)現(xiàn)的DDR SDRAM接口

Cyclone II如何實(shí)現(xiàn)的DDR SDRAM接口,在不增加電路板復(fù)雜度的情況下要想增強(qiáng)系統(tǒng)性能，改善數(shù)據(jù)位寬是一個(gè)有效的手段。通常來(lái)說(shuō)，可以把系統(tǒng)頻率擴(kuò)大一倍或者把數(shù)據(jù)I/O管腳增加一倍來(lái)實(shí)現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的，因?yàn)樗鼈儠?huì)增加
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力晶王其國(guó)：DRAM制程難度提升　摩爾定律放緩

　　力晶總經(jīng)理王其國(guó)表示，目前12寸晶圓廠(chǎng)不論在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或是代工業(yè)務(wù)如LCD驅(qū)動(dòng)IC芯片、SDRAM產(chǎn)品上，產(chǎn)能都相當(dāng)吃緊，未來(lái)DRAM業(yè)者在轉(zhuǎn)制程和蓋新廠(chǎng)上，會(huì)因?yàn)樨?cái)務(wù)問(wèn)題而放緩腳步，因此短期內(nèi)不擔(dān)心供過(guò)于求的問(wèn)題，尤其是相當(dāng)看好智能型手機(jī)(Smart Phone)對(duì)于DRAM產(chǎn)能的消耗量，算是殺手級(jí)的應(yīng)用，對(duì)于未來(lái)DRAM產(chǎn)業(yè)看法相當(dāng)正面。　　王其國(guó)表示，過(guò)去摩爾定律認(rèn)為每隔18個(gè)月晶圓產(chǎn)出數(shù)量可多出1倍，但未來(lái)隨著DRAM產(chǎn)業(yè)制程技術(shù)難度增加，制程微縮的腳步放緩，可能較難達(dá)成，加上現(xiàn)在轉(zhuǎn)進(jìn)
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基于A(yíng)3P125和SDRAM實(shí)現(xiàn)多功能、高分辨率顯示方案

采用A3P125和SDRAM該方案采用A3P125和SDRAM的方式實(shí)現(xiàn)，由于A(yíng)3125資源較為豐富，除了可以實(shí)現(xiàn)高分辨率的顯示以外，還可以實(shí)現(xiàn)多圖層的功能，功能上高于上述的方案。

　　功能特點(diǎn)：
　　1、采用Actel中等容量
關(guān)鍵字：分辨率顯示方案多功能實(shí)現(xiàn) A3P125 SDRAM 基于

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sdram介紹

　　SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，同步是指Memory工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線(xiàn)性依次存儲(chǔ)，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫(xiě)。　　SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR [ 查看詳細(xì) ]