sic mosfet 文章進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區(qū)

東芝推出用于IGBT／MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動(dòng)IC。這兩款器件于近日開(kāi)始支持批量出貨。TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄性封裝（SO6L）可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進(jìn)行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設(shè)備，現(xiàn)在可直接通過(guò)該光耦驅(qū)動(dòng)其IGBT／MOSFET而無(wú)需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)小型
關(guān)鍵字： MOSFET

非常見(jiàn)問(wèn)題第191期：負(fù)載點(diǎn)DC-DC轉(zhuǎn)換器解決電壓精度、效率和延遲問(wèn)題

問(wèn)題：為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負(fù)載的負(fù)載點(diǎn)(POL)電源？答案：效率和精度是兩大優(yōu)勢(shì)，但實(shí)現(xiàn)POL轉(zhuǎn)換需要特別注意穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)。接近電源。這是提高電源軌的電壓精度、效率和動(dòng)態(tài)響應(yīng)的最佳方法之一。負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器是一種電源DC-DC轉(zhuǎn)換器，放置在盡可能靠近負(fù)載的位置，以接近電源。因POL轉(zhuǎn)換器受益的應(yīng)用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它們對(duì)功率級(jí)的要求都越來(lái)越高。例如，在汽車應(yīng)用中，高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)——例如雷達(dá)、激光雷達(dá)和視覺(jué)系統(tǒng)——中使用的傳感器數(shù)量在穩(wěn)步倍增，導(dǎo)致需要更快的數(shù)
關(guān)鍵字： MOSFET

多通道電流傳感器自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)

多通道電流傳感器自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)可以根據(jù)測(cè)試需求，實(shí)現(xiàn)電流傳感器的比例誤差、上升時(shí)間、零點(diǎn)偏置、零點(diǎn)漂移、線性度等參數(shù)的自動(dòng)測(cè)試。其中精密恒流源輸出可至200 A，準(zhǔn)確度優(yōu)于0.01%，多臺(tái)并聯(lián)可達(dá)到2 kA。覆蓋了大多數(shù)中低準(zhǔn)確度的測(cè)試需求，同時(shí)可配合準(zhǔn)確度高達(dá)10-6的標(biāo)準(zhǔn)電流傳感器解決更高準(zhǔn)確度的測(cè)試需求。
關(guān)鍵字：電流傳感器自動(dòng)測(cè)試精密恒流源比例誤差 202111 MOSFET

Diodes Incorporated 目標(biāo)電動(dòng)汽車產(chǎn)品應(yīng)用推出高電流 TOLL MOSFETs

Diodes 公司為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 (MOSFET) 近日推出節(jié)省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI?1012-8) 封裝，能在 175°C、100 瓦等級(jí)的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運(yùn)作，另外，80 瓦等級(jí)的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據(jù)的 PCB 面積少了百分之二十。產(chǎn)品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產(chǎn)品成為高可靠性電力產(chǎn)品應(yīng)用的最佳選擇，像是能量熱回
關(guān)鍵字： MOSFET

意法半導(dǎo)體端口保護(hù)IC為STM32 USB-C雙角色輸電量身定制

意法半導(dǎo)體TCPP03-M20 USB Type-C端口保護(hù) IC為雙角色輸電(DRP)應(yīng)用量身定制，針對(duì)能給相連設(shè)備充電又能接受其他 USB-C電源的雙向充放電產(chǎn)品，可以簡(jiǎn)化其設(shè)計(jì)。作為有ST UCPD (USB Type-C 和Power Delivery)接口IP模塊的 STM32G0*、STM32G4、STM32L5 和 STM32U5 微控制器的配套芯片，TCPP03-M20讓設(shè)計(jì)者以經(jīng)濟(jì)劃算的方式進(jìn)行USB Type-C 接口硬件分區(qū)，實(shí)現(xiàn)以 STM32 為主微控制器的雙芯片解決方案，從而節(jié)省
關(guān)鍵字： MOSFET STM32

SRII重磅亮相CICD 2021，以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應(yīng)用場(chǎng)景。例如，傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展，占據(jù)了絕對(duì)領(lǐng)先的市場(chǎng)份額。不過(guò)，隨著新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、手機(jī)快充等應(yīng)用的興起，擁有更高耐壓等級(jí)、更高開(kāi)關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。如今，在生產(chǎn)工藝不斷優(yōu)化、成本持續(xù)降低的情況下，老牌大廠與初創(chuàng)企業(yè)紛紛加碼第三代半導(dǎo)體，SiC和GaN功率器件開(kāi)始投入批量應(yīng)用，并迎來(lái)了關(guān)鍵的產(chǎn)能爬坡階段。作為半
關(guān)鍵字： MOSFET

Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場(chǎng)。這對(duì)于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應(yīng)商N(yùn)experia而言是一項(xiàng)戰(zhàn)略性舉措，旨在擴(kuò)展高壓寬禁帶半導(dǎo)體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級(jí)器件，重復(fù)反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續(xù)正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用實(shí)現(xiàn)超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
關(guān)鍵字： Nexperia 碳化硅 SiC 二極管

提高遲滯，實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)的欠壓和過(guò)壓閉鎖

電阻分壓器可將高電壓衰減至低壓電路能夠承受的電平，且低壓電路不會(huì)出現(xiàn)過(guò)載或損壞。在功率路徑控制電路中，電阻分壓器有助于設(shè)置電源欠壓和過(guò)壓閉鎖閾值。這種電源電壓驗(yàn)證電路常見(jiàn)于汽車系統(tǒng)、便攜式電池供電儀器儀表以及數(shù)據(jù)處理和通信板中。欠壓閉鎖(UVLO)可防止下游電子系統(tǒng)在異常低的電源電壓下工作，避免導(dǎo)致系統(tǒng)故障。例如，當(dāng)電源電壓低于規(guī)格要求時(shí)，數(shù)字系統(tǒng)可能性能不穩(wěn)定，甚至死機(jī)。當(dāng)電源為可充電電池時(shí)，欠壓閉鎖可防止電池因深度放電而受損。過(guò)壓閉鎖(OVLO)可保護(hù)系統(tǒng)免受破壞性地高電源電壓的影響。由于欠壓和過(guò)壓閾
關(guān)鍵字： MOSFET

基于eGaN FET的2 kW、48V/12V DC/DC轉(zhuǎn)換器演示板，讓設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)用于輕度混合動(dòng)力汽車的更高效、更小、更快的雙向轉(zhuǎn)換器

EPC9163是一款兩相48 V/12 V雙向轉(zhuǎn)換器，可提供2 kW的功率和實(shí)現(xiàn)96.5%的效率，是適用于輕度混合動(dòng)力汽車和備用電池裝置的小型化解決方案。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9163，這是一款 2 kW、兩相的48 V /12 V雙向轉(zhuǎn)換器演示板，可在非常小的占板面積上實(shí)現(xiàn) 96.5%的效率。該演示板的設(shè)計(jì)具有可擴(kuò)展性 - 并聯(lián)兩個(gè)轉(zhuǎn)換器可以實(shí)現(xiàn)4 kW的功率，或者并聯(lián)三個(gè)轉(zhuǎn)換器以實(shí)現(xiàn)6 kW。該板采用8個(gè)100 V 的eGaN?FET（EPC2218），并由模塊控制，該模塊采用Mic
關(guān)鍵字： MOSFET

Qorvo?收購(gòu)領(lǐng)先的碳化硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?,Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布，已收購(gòu)位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司。對(duì)UnitedSiC的收購(gòu)擴(kuò)大了Qorvo在快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車（EV）、工業(yè)電源、電路保護(hù)、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源市場(chǎng)的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防產(chǎn)品（IDP）業(yè)務(wù)之一，將由Chris Dries博士領(lǐng)導(dǎo)，他曾是UnitedSiC公司的總裁兼首席執(zhí)行官，現(xiàn)任Qorv
關(guān)鍵字： SiC 電源

添加靈活的限流功能

問(wèn)題：我可以根據(jù)負(fù)載輕松而精確地進(jìn)行限流嗎？答案：可以使用限流IC進(jìn)行限流。在一些電源管理應(yīng)用中，需要精確地限制電流。無(wú)論是要保護(hù)電源（例如，中間電路電壓需要過(guò)載保護(hù)以便能夠可靠地為其他系統(tǒng)部件提供電能），還是在故障情況下保護(hù)可能由于過(guò)流而造成損壞的負(fù)載，都需要精確地限制電流。在尋找合適的DC-DC負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器來(lái)滿足此要求時(shí)，我們發(fā)現(xiàn)市面上具有可調(diào)限流功能的電壓轉(zhuǎn)換器很少見(jiàn)?？烧{(diào)限流功能在采用外部電源開(kāi)關(guān)的控制器設(shè)計(jì)中更加常見(jiàn)，而所有的集成解決方案很少提供此類功能。而且，可調(diào)限流功能的精度通常不是很高。以
關(guān)鍵字： MOSFET

使用無(wú)損耗過(guò)零點(diǎn)檢測(cè)功能提高智能家居和智能建筑(HBA)應(yīng)用中的AC輸入開(kāi)關(guān)效率和可靠性

在越來(lái)越多的應(yīng)用中，對(duì)導(dǎo)通和關(guān)斷AC輸入電源的器件的性能進(jìn)行優(yōu)化是一個(gè)重要考慮因素，這些應(yīng)用包括智能家居/智能建筑(HBA)、支持物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的家電、智能開(kāi)關(guān)和插頭、調(diào)光器和人體感應(yīng)傳感器，特別適用于采用繼電器或可控硅進(jìn)行功率控制的設(shè)計(jì)。當(dāng)AC電源異步導(dǎo)通或關(guān)斷而不考慮其所處的電壓時(shí)，效率和可靠性會(huì)受到不利影響，必須添加電路以保護(hù)開(kāi)關(guān)免受高瞬態(tài)電流的影響。當(dāng)AC電源異步導(dǎo)通時(shí)，浪涌電流可能超過(guò)100A。反復(fù)暴露于高浪涌電流會(huì)對(duì)繼電器和可控硅的可靠性和使用壽命產(chǎn)生負(fù)面影響。電觸點(diǎn)的預(yù)期壽命因浪涌電流需求
關(guān)鍵字： MOSFET

在單個(gè)封裝中提供完整的有源功率因數(shù)校正解決方案

源設(shè)計(jì)者如今面臨兩個(gè)主要問(wèn)題：消除有害的輸入諧波電流和確保功率因數(shù)盡可能地接近于1。有害的諧波電流會(huì)導(dǎo)致傳輸設(shè)備過(guò)熱，并帶來(lái)后續(xù)必須解決的干擾難題；這兩者也會(huì)對(duì)電路的尺寸和/或效率產(chǎn)生不利影響。如果施加在線路上的負(fù)載不是純電阻性的，輸入電壓和電流波形之間將產(chǎn)生相移，從而增加視在功率并降低傳輸效率。如果非線性負(fù)載使輸入電流波形失真，則會(huì)引起電流諧波，從而進(jìn)一步降低傳輸效率并將干擾引入市電電網(wǎng)。如果要解決這些問(wèn)題，需要了解功率變換的基本原理。電源當(dāng)中通常將來(lái)自墻上插座的交流電壓連接至整流電路，整流管將交流電壓
關(guān)鍵字： MOSFET

利用氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源

目前市面上出現(xiàn)了一個(gè)新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠?yàn)槭謾C(jī)、平板電腦和筆記本電腦設(shè)計(jì)出額定功率高達(dá)110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來(lái)自Power Integrations，包含內(nèi)部集成PowiGaN?開(kāi)關(guān)的InnoSwitch?4-CZ零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)反激式控制器和提供有源鉗位解決方案的ClampZero?產(chǎn)品系列。這些新IC可用于設(shè)計(jì)效率高達(dá)95%且在不同輸入電壓條件下保持恒定的反激式電源。這種InnoSwitch
關(guān)鍵字： MOSFET

如何選擇合適的電路保護(hù)

問(wèn)題：有什么有源電路保護(hù)方案可以取代TVS二極管和保險(xiǎn)絲？答案：可以試試?yán)擞恳种破?。摘要所有行業(yè)的制造商都在不斷推動(dòng)提升高端性能，同時(shí)試圖在此類創(chuàng)新與成熟可靠的解決方案之間達(dá)成平衡。設(shè)計(jì)人員面臨著平衡設(shè)計(jì)復(fù)雜性、可靠性和成本這一困難任務(wù)。以一個(gè)電子保護(hù)子系統(tǒng)為例，受其特性限制，無(wú)法進(jìn)行創(chuàng)新。這些系統(tǒng)保護(hù)敏感且成本高昂的下游電子器件（FPGA、ASIC和微處理器），這些器件都要求保證零故障。許多傳統(tǒng)的可靠保護(hù)解決方案（例如二極管、保險(xiǎn)絲和TVS器件）能夠保持待保護(hù)狀態(tài)，但它們通常低效、體積龐大且需要維護(hù)。為
關(guān)鍵字： MOSFET