如何選擇合適的電路保護(hù)
問題:
有什么有源電路保護(hù)方案可以取代TVS二極管和保險絲?
答案:
可以試試?yán)擞恳种破鳌?/p>
摘要
所有行業(yè)的制造商都在不斷推動提升高端性能,同時試圖在此類創(chuàng)新與成熟可靠的解決方案之間達(dá)成平衡。設(shè)計人員面臨著平衡設(shè)計復(fù)雜性、可靠性和成本這一困難任務(wù)。以一個電子保護(hù)子系統(tǒng)為例,受其特性限制,無法進(jìn)行創(chuàng)新。這些系統(tǒng)保護(hù)敏感且成本高昂的下游電子器件(FPGA、ASIC和微處理器),這些器件都要求保證零故障。
許多傳統(tǒng)的可靠保護(hù)解決方案(例如二極管、保險絲和TVS器件)能夠保持待保護(hù)狀態(tài),但它們通常低效、體積龐大且需要維護(hù)。為了解決這些不足,有源智能保護(hù)IC應(yīng)運而生,它們能夠達(dá)到傳統(tǒng)方法的保護(hù)要求,而且從有些方面來看,它們更加可靠。但是器件種類繁多,所以,設(shè)計人員面臨的最困難的問題就是選擇合適的解決方案。
為了幫助設(shè)計人員縮小選擇范圍,本文對傳統(tǒng)保護(hù)方法和ADI保護(hù)產(chǎn)品系列進(jìn)行比較,以展示這些產(chǎn)品和建議應(yīng)用的特性。
簡介
隨著所有行業(yè)中電子器件的使用數(shù)量不斷增加,且成本高昂的FPGA和處理器的處理功能不斷擴(kuò)展,人們越來越要求對這些在嚴(yán)苛環(huán)境中運行的器件提供保護(hù)。此外,還需要它們體積小巧、可靠性高,能夠快速響應(yīng)過壓和過流浪涌事件。本文探討了許多應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn),以及為何需要保護(hù),比較了傳統(tǒng)的保護(hù)方法和更新的可替代解決方案,后者具有更高的精度、可靠性和設(shè)計靈活性。
為何考慮使用電壓和電流保護(hù)器件?
汽車、工業(yè)、通信和航空電子系統(tǒng)需經(jīng)受一系列電源浪涌,例如圖1所示的這些。在這些市場中,許多行業(yè)規(guī)范都對瞬態(tài)事件進(jìn)行了定義。例如,ISO 7637-2和ISO 16750-2規(guī)范定義了汽車瞬態(tài),詳細(xì)概述了預(yù)期瞬變,以及確保持續(xù)驗證這些瞬變的測試步驟。
浪涌事件的類型和所含能量會因電子器件的使用區(qū)域而異;電路可能遭受過壓、過流、反向電壓和反向電流等情況。最后,如果要直接經(jīng)受圖1所示的這些瞬變條件,許多電路都無法維持,更不用說獨立運行,所以設(shè)計人員必須考慮所有輸入情況,并采取可以保護(hù)電路不受電壓和電流浪涌影響的機(jī)制。
圖1 一些更嚴(yán)格的ISO 16750-2測試的概述
設(shè)計挑戰(zhàn)
有很多不同原因會引發(fā)電子系統(tǒng)中出現(xiàn)瞬變電壓和電流,但有些電子環(huán)境比其他環(huán)境更容易發(fā)生瞬變事件。眾所周知,汽車、工業(yè)和通信環(huán)境中的應(yīng)用會經(jīng)受有潛在危害的事件,對下游電子器件造成嚴(yán)重?fù)p壞,但浪涌事件并不只是在這些環(huán)境下發(fā)生。其他可能需要浪涌保護(hù)電路的情況包括:需要高壓或大電流電源的應(yīng)用、采用熱插拔電源連接的應(yīng)用,或者包含電機(jī)或可能受到雷擊感應(yīng)瞬變影響的系統(tǒng)。高壓事件持續(xù)的時間不等,從幾微秒到幾百毫秒都有可能,所以必須采用靈活可靠的保護(hù)機(jī)制來確保下游成本高昂的電子器件的使用壽命。
例如,當(dāng)交流發(fā)電機(jī)(為電池充電)與電池暫時斷開時,會發(fā)生汽車負(fù)載突降。發(fā)生這種斷開后,交流發(fā)電機(jī)提供的滿負(fù)荷充電電流會傳輸至電源軌,使電源軌電壓在數(shù)百毫秒內(nèi)攀升到極高(>100 V)水平。
有多種原因可能導(dǎo)致通信應(yīng)用發(fā)生浪涌,從熱插拔通信卡到可能受到雷電影響的戶外裝置,涉及多種應(yīng)用。大型設(shè)施中使用的長電纜也可能產(chǎn)生感應(yīng)電壓尖峰。
最終,設(shè)計人員必須充分了解器件的使用環(huán)境,并滿足既有的規(guī)范要求,這有助于他們綜合考慮所有故障類型以采用最佳的保護(hù)機(jī)制,使其可靠且不會產(chǎn)生干擾,但允許下游電子器件能夠在安全電壓范圍內(nèi)運行,且保證最低中斷。
傳統(tǒng)保護(hù)電路
在需要考慮如此多種不同類型的電子問題的情況下,電子工程師應(yīng)如何保護(hù)敏感的下游電子器件?
傳統(tǒng)保護(hù)方法基于多個器件提供保護(hù),而不是基于一個,例如,采用瞬變電壓抑制器(TVS)提供過壓保護(hù),采用線路保險絲提供過流保護(hù),采用串聯(lián)二極管提供反向電池/電源保護(hù),以及混合使用電容和電感來過濾更低的電能尖峰。雖然離散配置可以滿足既定的規(guī)范要求(保護(hù)下游電路),但它實施起來很麻煩,需要進(jìn)行多次選擇來確定合適的濾波規(guī)格。
圖2 傳統(tǒng)保護(hù)器件
我們來仔細(xì)了解一下這些器件,弄清楚這種實施方法的優(yōu)點和缺點。
TVS——瞬變電壓抑制器
這是一種相對簡單的器件,可以保護(hù)下游電路不受電源上的高壓尖峰影響。它們可以分為幾種不同的類型,具有廣泛的特性(表1按響應(yīng)時間從最短到最長的順序排列)。
表1 不同瞬變電壓抑制器件的響應(yīng)時間
瞬變電壓抑制器件 | 響應(yīng)時間 |
TVS二極管 | ~1 ps |
金屬氧化物壓敏電阻(MOV) | ~1 ns |
雪崩二極管/齊納二極管 | <1 μs |
氣體放電管(GDT) | <5 μs |
雖然它們的結(jié)構(gòu)和特性各異,但使用方式是相似的:當(dāng)電壓超過器件閾值時,分流多余的電流。TVS可以在極短時間內(nèi)將輸出電壓固定在額定水平。例如,TVS二極管的響應(yīng)時間可以低至皮秒,GDT的響應(yīng)時間則可能有幾微秒,但可以處理更大的浪涌。
圖3顯示了用于保護(hù)下游電路的TVS二極管的簡單配置。在正常工作條件下,TVS具有高阻抗,輸入電壓會直接傳輸至輸出。當(dāng)輸入端出現(xiàn)過壓時,TVS開始導(dǎo)電,并將多余的電能分流到接地(GND),從而箝位下游負(fù)載電壓。電源軌電壓升高到典型操作值以上,但被箝位到保證下游電路可以安全運行的值。
雖然TVS器件在抑制極高電壓偏移方面很有效,但在遭受持續(xù)過壓時,也不能避免損壞,因此需要定期監(jiān)測或更換。另一個擔(dān)心是TVS可能短路,導(dǎo)致輸入電源斷開。此外,根據(jù)涉及的電能大小,它們的尺寸可能需要很大才能滿足裕量要求,導(dǎo)致解決方案的尺寸相應(yīng)增大。即使TVS的尺寸正確,下游電路也必須要能夠處理箝位電壓,對下游的電壓額定要求也隨之增高。
圖3 用傳統(tǒng)的TVS解決方案保護(hù)電壓浪涌
線路保險絲
過流保護(hù)可以使用常見的線路保險絲實現(xiàn),其熔斷額定值高于標(biāo)稱值,例如,比最大額定電流高20%(百分比取決于電路類型以及預(yù)期的典型操作負(fù)載)。當(dāng)然,保險絲最大的問題是一旦燒斷就必須更換。保險絲設(shè)計相當(dāng)簡單,但維護(hù)相對復(fù)雜,特別是在難以接觸的位置,所以后期還是會耗費時間和成本。使用備用保險絲(例如可復(fù)位保險絲)可以減少維護(hù)要求,它會在高于標(biāo)稱電流的電流流經(jīng)器件時,利用正溫度系數(shù)打開電路(電流增高之后會令溫度增高,導(dǎo)致電阻急劇升高)。
除維護(hù)問題外,保險絲最大的問題之一是其反應(yīng)時間,根據(jù)所選保險絲的類型,反應(yīng)時間可能有很大差異。我們可以使用快速熔斷保險絲,但熔斷時間(打開電路的時間)仍然可能需要幾百微秒到毫秒,所以電路設(shè)計人員必須考慮這些時間段內(nèi)釋放的電能大小,保證下游電子器件不被損壞。
串聯(lián)二極管
在某些環(huán)境中,電路可能斷開,然后重新連接——例如,在電池供電環(huán)境中。在這種情況下,電源重新連接時不能保證極性是正確的。我們可以通過在電路的正極供電線上增加一個串聯(lián)二極管來實現(xiàn)極性保護(hù)。雖然這種簡單的增加可以有效防止反向極性,但串聯(lián)二極管的壓降會導(dǎo)致相應(yīng)的功率損耗。在電流相對較低的電路中,這種取舍很小,但對于許多現(xiàn)代化的高電流電軌,則需要采用另一種解決方案。圖4是對圖3的更新,顯示利用TVS和增加的串聯(lián)二極管來防止出現(xiàn)反向極性連接。
圖4 增加串聯(lián)二極管可以防止反向極性連接,但在大電流系統(tǒng)中,二極管的壓降可能是一大問題
使用電感和電容的濾波器
目前所討論的無源解決方案都是通過限制幅度,但通常只能捕捉更大的幅度,會放過更小的一些尖峰。這些較小的瞬變?nèi)匀粫ο掠坞娐吩斐蓳p壞,因此需要使用額外的無源濾波器來平緩尖峰。這可以通過使用離散電感和電容來實現(xiàn),通過調(diào)整它們的尺寸,讓它們衰減超出頻率范圍的電壓。在設(shè)計之前,需要對濾波器設(shè)計進(jìn)行測試和測量,確定它們的尺寸和頻率,然后才能正確確定濾波器的尺寸。這種方法的缺點在于,需要考慮物料成本和面積要求(元器件的板面積和成本要達(dá)到多少才能達(dá)到濾波水平),以及是否需要過度設(shè)計(確定元器件的公差,以能夠在隨時間和溫度變化時提供補償)。
使用浪涌抑制器提供有源保護(hù)
要克服所述的無源保護(hù)解決方案面臨的挑戰(zhàn)和存在的缺點,方法之一是轉(zhuǎn)為使用浪涌抑制器IC。浪涌抑制器采用易于使用的控制器IC和串聯(lián)N通道MOSFET,因此無需使用繁雜的分流電路(TVS器件、保險絲、電感和電容)。因為只需確定少數(shù)幾個元器件的尺寸和讓它們通過質(zhì)量認(rèn)證,所以浪涌抑制器控制器可以極大地簡化系統(tǒng)設(shè)計。
浪涌抑制器持續(xù)監(jiān)測輸入電壓和電流。在額定工作條件下,控制器驅(qū)動N通道MOSFET通路器件的柵極完全開啟,提供一條從輸入到輸出的低阻抗路徑。在發(fā)生過壓或浪涌時(閾值由輸出端的反饋網(wǎng)絡(luò)給出),IC調(diào)節(jié)N通道MOSFET的柵極,將MOSFET的輸出電壓箝位到電阻分壓器設(shè)定的電平。
圖5顯示了浪涌抑制器配置的簡化示意圖,以及標(biāo)稱12 V電源軌上出現(xiàn)100 V輸入浪涌時的結(jié)果。在浪涌發(fā)生期間,浪涌抑制器電路的輸出被箝位到27 V。一些浪涌抑制器也使用串聯(lián)感應(yīng)電阻(圖5中的斷路器)來監(jiān)測過流情況,并調(diào)整N通道MOSFET的柵極,以限制輸出負(fù)載端的電流。
圖5 浪涌抑制器配置的詳細(xì)示意圖
根據(jù)對過壓事件的響應(yīng),可以將浪涌抑制器分為四大類:
■ 線性浪涌抑制器
■ 柵極箝位
■ 開關(guān)浪涌抑制器
■ 輸出斷開保護(hù)控制器
浪涌抑制器應(yīng)基于應(yīng)用進(jìn)行選擇,所以,我們來比較一下它們的操作和優(yōu)點。
浪涌抑制器類型:線性
線性浪涌抑制器驅(qū)動串聯(lián)MOSFET的方式和線性穩(wěn)壓器比較類似,是將輸出電壓限制在預(yù)先設(shè)置的安全值,并耗散MOSFET中的多余能量。為了保護(hù)MOSFET,該器件通過采用電容故障定時器來限制在高耗散區(qū)花費的時間。
圖6 LT4363線性浪涌抑制器
浪涌抑制器類型:柵極箝位
柵極箝位浪涌抑制器利用內(nèi)部或外部箝位(例如,31.5 V或50 V內(nèi)部箝位,或可調(diào)的外部箝位)將柵極引腳的電壓限制到這個電壓值,然后,由MOSFET的閾值電壓決定輸出電壓限值。例如,在使用內(nèi)部31.5 V柵極箝位,且MOSFET閾值電壓為5 V時,輸出電壓限制為26.5 V?;蛘?,外部柵極箝位允許更廣泛的電壓選擇范圍。柵極箝位浪涌抑制器的示例如圖7所示。
圖7 LTC4380柵極箝位浪涌抑制器
浪涌抑制器類型:開關(guān)
對于更高功率的應(yīng)用,開關(guān)浪涌抑制器是一個很好的選擇。與線性和柵極箝位浪涌抑制器一樣,開關(guān)浪涌抑制器在正常操作條件下可以充分增強(qiáng)調(diào)整FET,以在輸入和輸出之間提供一個低阻路徑(最小化功率損耗)。開關(guān)浪涌抑制器和線性或柵極箝位浪涌抑制器之間的主要區(qū)別出現(xiàn)在檢測到浪涌事件時。在浪涌事件中,開關(guān)浪涌抑制器是通過開關(guān)外部MOSFET(比較類似于開關(guān)DC-DC轉(zhuǎn)換器),將輸出調(diào)節(jié)到箝位電壓。
圖8 LTC7860開關(guān)浪涌抑制器
保護(hù)控制器:輸出斷開
保護(hù)控制器不是真正的浪涌抑制器,但它確實能停止浪涌。和浪涌抑制器一樣,保護(hù)控制器監(jiān)測過壓和過流條件,但它不會箝位或調(diào)節(jié)輸出,而是通過立即斷開輸出來保護(hù)下游電子器件。這種簡單保護(hù)電路的布局緊湊,非常適合由電池供電的便攜式應(yīng)用。LTC4368保護(hù)控制器的簡化示意圖,以及它對過壓事件的響應(yīng)如圖9所示。保護(hù)控制器有許多版本。
圖9 TC4368保護(hù)控制器
保護(hù)控制器會監(jiān)測輸入電壓,確保電壓保持在OV/UV引腳的電阻分壓器所配置的電壓范圍內(nèi),當(dāng)輸入電壓超過這個范圍時,利用背對背MOSFET斷開輸出,如圖9所示。背對背MOSFET也可用于防止反向輸入。輸出端的感應(yīng)電阻通過持續(xù)監(jiān)測正向電流來實現(xiàn)過流保護(hù),但不需要基于計時器的穿越操作。
浪涌抑制器特性
為了給您的應(yīng)用選擇最合適的浪涌抑制器,您需要知道有哪些可用特性,以及它們可以幫助解決哪些挑戰(zhàn)。您可以在參數(shù)表中查找這些器件。
斷開與穿越
一些應(yīng)用要求在檢測到浪涌事件時斷開輸出和輸入的連接。在這種情況下,需要斷開過壓連接。如果您需要輸出在浪涌事件發(fā)生時保持正常運行,從而最大限度減少下游電子設(shè)備的停機(jī)時間,則需要浪涌抑制器在發(fā)生浪涌時進(jìn)行穿越。在這種情況下,使用線性或開關(guān)浪涌抑制器可以實現(xiàn)這一功能(前提是,對于拓?fù)浜退x的FET,功率電平是合理的)。
故障定時器
實施穿越時,需要對MOSFET提供保護(hù),以防它受到持續(xù)浪涌影響。為了確保留在FET的安全工作區(qū)(SOA)內(nèi),可以使用定時器。定時器本質(zhì)上是一個接地電容。發(fā)生過壓時,內(nèi)部電流源開始為這個外部電容充電。電容達(dá)到一定的閾值電壓時,數(shù)字故障引腳拉低,表明受時間延長的過壓影響,調(diào)整管將很快關(guān)閉。如果定時器引腳電壓繼續(xù)上升到級閾值,柵極引腳將拉低,以關(guān)閉MOSFET。
定時器電壓的變化率隨通過MOSFET的電壓而變化,也就是說,電壓越大,時間越短,電壓越小,時間越長。這個有用特性使器件能夠平穩(wěn)度過短時過壓事件,允許下游元器件保持運行,同時保護(hù)MOSFET不因持續(xù)時間更長的過壓事件出現(xiàn)損壞。有些器件具有重試功能,使器件能在冷卻之后再次打開輸出。
過流保護(hù)
許多浪涌抑制器都能夠監(jiān)測電流和保護(hù)器件不受過流事件影響。這是通過監(jiān)測串聯(lián)感應(yīng)電阻上的壓降并作出適當(dāng)響應(yīng)來實現(xiàn)的。也可以通過監(jiān)測和控制浪涌電流來保護(hù)MOSFET。其響應(yīng)可能與過壓情況類似,這是因為如果電路能夠接受這種功率電平,那么它要么通過閂鎖斷開,要么通過穿越事件來斷開。
反向輸入保護(hù)
浪涌抑制器具有廣泛的操作能力(能夠承受某些器件上高達(dá)60 V的地下電壓),所以能夠提供反向輸入保護(hù)。圖10顯示了提供反向電流保護(hù)的背對背MOSFET配置。在正常運行期間,Q2和Q1由柵極引腳開啟,Q3不產(chǎn)生任何影響。但是,出現(xiàn)反向電壓連接時,Q3開啟,將Q2的柵極下拉至負(fù)輸入并隔離Q1,以保護(hù)輸出。
也可以通過可靠的器件引腳保護(hù)來實現(xiàn)反向輸出電壓保護(hù),根據(jù)所選的器件,可以承受高達(dá)20 V的接地電壓。
圖10 T4363反向輸入保護(hù)電路
對于需要寬輸入電壓范圍的應(yīng)用,可以使用浮動拓?fù)淅擞恳种破鳌0l(fā)生浪涌事件時,浪涌抑制器IC會監(jiān)控整個浪涌電壓,由內(nèi)部晶體管技術(shù)限制IC的電壓范圍。使用浮動浪涌抑制器(例如LTC4366)時,IC浮動剛好低于輸出電壓,為其提供更廣泛的工作電壓范圍。電源回流線中包含一個電阻(VSS),允許IC隨電源電壓浮動。如此,由外部元器件和MOSFET的電壓功能設(shè)置輸入電壓限值。圖11顯示的應(yīng)用電路可以在保護(hù)后端負(fù)載時,使用極高的直流電源正常運行。
圖11 LTC4366高壓浮動拓?fù)?/em>
為我的應(yīng)用選擇正確的器件
由于浪涌抑制器本身采用可靠設(shè)計,所以能從很多方面簡化保護(hù)電路的設(shè)計。數(shù)據(jù)手冊已顯示許多可能的應(yīng)用,在確定元器件尺寸時,能夠提供很大幫助。最困難的部分可能是選擇最合適的器件。您可以遵循以下幾個步驟來縮小范圍:
■ 訪問ADI的保護(hù)器件系列參數(shù)表。
■ 選擇輸入電壓范圍。
■ 選擇通道數(shù)量。
■ 篩選功能,縮小可行選項的范圍。
和所有產(chǎn)品選型一樣,在查找正確的器件前,您需要了解您的系統(tǒng)要求,這點非常重要。一些重要的考慮因素包括:預(yù)期的電源電壓和下游電子器件的電壓容限(在決定箝位電壓時非常重要),以及對設(shè)計而言非常重要的一些特性。
以下是一些經(jīng)過篩選的參數(shù)表示例,供大家參考。大家可以訪問網(wǎng)站,在網(wǎng)站上進(jìn)一步更改這些參數(shù)表,可以添加一些其他參數(shù)。
■ 高壓浪涌抑制器器件請參見這里。
■ 具有過壓斷開功能的保護(hù)控制器請參見這里。
結(jié)論
無論采用哪種類型的浪涌抑制器,基于IC的有源浪涌抑制器設(shè)計都無需使用繁雜的TVS二極管,或使用大尺寸電感和電容來進(jìn)行濾波。所以,解決方案的整體面積更小,體積也更小巧。相比TVS,其輸出電壓箝位精度可能高出1%至2%。如此可以防止過度設(shè)計,且能夠選擇公差更嚴(yán)格的下游器件。
ADI提供的系統(tǒng)保護(hù)器件系列讓設(shè)計人員能夠采用可靠、靈活且小巧的解決方案為下游器件提供保護(hù),尤其是對于工業(yè)、汽車、航空航天和通信設(shè)計中可能面臨嚴(yán)苛的過壓和過流事件的器件。
參考資料
“AN-9768:瞬變抑制器件和原則。”Littelfuse,1998年1月。
“Fuseology?!背擞密嚱鉀Q方案目錄,Littelfuse,2014年。
Jim Kalb?!翱?cè)蹟鄷r間”技術(shù)簡報,OptiFuse,2010年1月。
David Megaw?!盀槠囯娮酉到y(tǒng)提供供電和保護(hù),無開關(guān)噪聲,效率高達(dá)99.9%?!蹦M對話,第54卷第1期,2020年2月。
Wu Bin、Zhongming Ye?!坝糜趷毫悠嚟h(huán)境的全面電源系統(tǒng)設(shè)計占用空間極小,可節(jié)約電池電量且具有低EMI特性?!蹦M對話,第53卷第3期,2019年8月。
作者簡介
Diarmúid Carey是歐洲中央應(yīng)用中心的應(yīng)用工程師,工作地點在愛爾蘭利默里克。他自2008年以來一直擔(dān)任應(yīng)用工程師,并于2017年加入ADI公司,為歐洲的眾多市場客戶提供Power by Linear產(chǎn)品組合的設(shè)計支持。他擁有利默里克大學(xué)計算機(jī)工程學(xué)士學(xué)位。聯(lián)系方式:diarmuid.carey@analog.com。
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