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東芝第3代SiC肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品線增添1200 V新成員，其將助力工業(yè)電源設(shè)備實(shí)現(xiàn)高效率

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）產(chǎn)品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產(chǎn)品，為其面向太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)充電站和開(kāi)關(guān)電源等工業(yè)設(shè)備降低功耗。東芝現(xiàn)已開(kāi)始提供該系列的十款新產(chǎn)品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產(chǎn)品和采用TO-247封裝的五款產(chǎn)品。最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產(chǎn)品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進(jìn)型結(jié)勢(shì)壘肖特基（JBS）結(jié)構(gòu)[1]。在結(jié)勢(shì)壘中使用新型金屬，有
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第4講：SiC的物理特性

與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢(shì)明顯，比如擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對(duì)比見(jiàn)表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢(shì)。此外，由
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第5講：SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷，對(duì)SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類(lèi)缺陷的構(gòu)成和生長(zhǎng)機(jī)制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會(huì)影響器件的特性。SiC缺陷的主要類(lèi)型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯(cuò)（SF）、以及刃位錯(cuò)（TED）、螺旋位錯(cuò)（TSD）、基面位錯(cuò)（BPD）和這些復(fù)合體的混合位錯(cuò)。就密度而言，最近質(zhì)量相對(duì)較好的SiC晶體中，微管是1?10個(gè)/cm2，位錯(cuò)的密度約為103～10?長(zhǎng)達(dá)個(gè)/cm2。至今，與Si相
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6.6 kW車(chē)載電動(dòng)汽車(chē)充電器設(shè)計(jì)

我們采用單全橋LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以獲得高效率和合理的成本。它由U60和Q60、Q62、Q70、Q72等組成。NCV4390（U60）是一種電流模式高級(jí)LLC控制器。它是FAN7688的引腳到引腳兼容設(shè)備。如果您在網(wǎng)站上找不到該設(shè)備，可以參考FAN7688的說(shuō)明。有關(guān)該零件的更多詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱數(shù)據(jù)表和應(yīng)用說(shuō)明。由于輸出電壓高（250?450 Vdc），同步整流器對(duì)整流器的幫助不大傳導(dǎo)損失。因此，我們省略了NCV4390的SR功能。NCV57000是一款具有內(nèi)部電隔離功能的大電流單通道IGBT驅(qū)動(dòng)器。
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羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應(yīng)用于吉利集團(tuán)電動(dòng)汽車(chē)品牌“極氪”3種主力車(chē)型

8月29日上午，備受矚目的2024年武漢鐵人三項(xiàng)亞洲杯賽、2024年武漢全國(guó)鐵人三項(xiàng)冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國(guó)·武漢鐵人三項(xiàng)公開(kāi)賽新聞發(fā)布會(huì)成功召開(kāi)。發(fā)布會(huì)上，賽事組委會(huì)發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競(jìng)賽距離、競(jìng)賽日程、公開(kāi)賽標(biāo)志、賽事獎(jiǎng)牌等相關(guān)內(nèi)容。武漢市體育局黨組成員、副局長(zhǎng)洪旭艷，江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長(zhǎng)梁爽出席此次發(fā)布會(huì)；武漢市社會(huì)體育指導(dǎo)中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息；江夏區(qū)文化和旅游局（體育局）局長(zhǎng)繆璐進(jìn)行江夏區(qū)文旅推介，向社會(huì)各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
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新潔能SiC/GaN功率器件及封測(cè)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目延期

8月13日，新潔能發(fā)布公告稱(chēng)，擬將此前募投項(xiàng)目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測(cè)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項(xiàng)目的工程建設(shè)、設(shè)備采購(gòu)及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響，無(wú)法在計(jì)劃時(shí)間內(nèi)完成。據(jù)悉，此次延期項(xiàng)目屬新潔能二廠區(qū)擴(kuò)建項(xiàng)目，項(xiàng)目總投資約2.23億元，2022年開(kāi)建，原計(jì)劃2024年建設(shè)完成。項(xiàng)目建成后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬(wàn)只。新潔能稱(chēng)，本次募投項(xiàng)目延期僅涉及項(xiàng)目進(jìn)度的
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羅姆將亮相2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)PCIM Asia）（展位號(hào)：11號(hào)館D14）。屆時(shí)，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車(chē)領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)，羅姆工程師還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車(chē)論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
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第三代半導(dǎo)體，距離頂流差了什么

潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來(lái)越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過(guò)去了一年，這個(gè)市場(chǎng)非但沒(méi)有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展備受關(guān)注：Yole 數(shù)據(jù)顯示，2026 年 GaN 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)可達(dá) 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望突破 60 億美元。預(yù)測(cè)是人算不如天算，第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)已經(jīng)被講的翻來(lái)覆去了，市場(chǎng)的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車(chē)能不能齊飛？新能源是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用的重要驅(qū)動(dòng)力。新能源車(chē)的最大
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悉智科技首顆DCM封裝8并SiC產(chǎn)品量產(chǎn)下線

7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“悉智科技”）宣布，其首批車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊量產(chǎn)產(chǎn)品正式下線投產(chǎn)。悉智科技表示，此次下線的首批量產(chǎn)模塊，是悉智科技自研的高端電驅(qū)SiC塑封功率模塊產(chǎn)品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開(kāi)發(fā)上，悉智科技取得了顯著進(jìn)展，目前該產(chǎn)品已獲取到客戶(hù)的量產(chǎn)訂單，并會(huì)在今年四季度實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。資料顯示，悉智科技自2022年1月1日正式運(yùn)營(yíng)以來(lái)，始終專(zhuān)注于車(chē)規(guī)級(jí)功率與電源模塊的研發(fā)與生產(chǎn)，致力于為智能電動(dòng)汽車(chē)、光儲(chǔ)新能源等客戶(hù)提供深度定制化的解決方案。目前，該公司已在蘇州建成具
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電動(dòng)汽車(chē)和光伏逆變器的下一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)

圖1 半導(dǎo)體對(duì)許多新興綠色科技至關(guān)重要毋庸置疑，從社會(huì)發(fā)展的角度，我們必須轉(zhuǎn)向采用可持續(xù)的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個(gè)不幸的事實(shí)是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術(shù)的轉(zhuǎn)變也帶來(lái)了一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。無(wú)論是生產(chǎn)要跟上快速擴(kuò)張的市場(chǎng)步伐，還是新解決方案努力達(dá)到現(xiàn)有系統(tǒng)產(chǎn)出水平，如果我們要讓化石燃料成為過(guò)去，這些難題都必須被克服。對(duì)于電動(dòng)汽車(chē)（EV）和太陽(yáng)能電池板等應(yīng)用，工程師面臨著更多的挑戰(zhàn)，因?yàn)槊舾械碾娮釉仨氃趷毫拥沫h(huán)境中持續(xù)可靠地運(yùn)
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碳化硅模塊在太陽(yáng)能逆變器中的應(yīng)用

碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC FET)接近于理想的開(kāi)關(guān)，具有低損耗、寬帶隙技術(shù)和易于集成設(shè)計(jì)等優(yōu)勢(shì)。Qorvo的SiC FET技術(shù)如今以高效模塊化產(chǎn)品的形式呈現(xiàn);本文探討了這種產(chǎn)品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用的理想之選。
關(guān)鍵字： 202407 太陽(yáng)能 PV SiC FET 寬帶隙碳化硅光伏

瞻芯電子：第三代SiC MOSFET通過(guò)車(chē)規(guī)認(rèn)證

6月23日，瞻芯電子宣布，公司基于第三代工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試認(rèn)證。同時(shí)，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺(tái)正式量產(chǎn)，后續(xù)將依托浙江義烏的車(chē)規(guī)級(jí)SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。瞻芯電子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，致力于開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子表示，第三代1200V 13
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2023年SiC功率元件營(yíng)收排名，ST以32.6%市占率穩(wěn)居第一

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，2023年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)在純電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下保持強(qiáng)勁成長(zhǎng)，前五大SiC功率元件供應(yīng)商約占整體營(yíng)收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先，onsemi則是由2022年的第四名上升至第二名。TrendForce集邦咨詢(xún)分析，2024年來(lái)自AI服務(wù)器等領(lǐng)域的需求則顯著大增，然而，純電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量成長(zhǎng)速度的明顯放緩和工業(yè)需求走弱正在影響SiC供應(yīng)鏈，預(yù)計(jì)2024年全球SiC功率元件產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年成長(zhǎng)幅度將較過(guò)去幾年顯著收斂。作為關(guān)鍵的車(chē)用SiC MOSFE
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碳化硅的新爆發(fā)

隨著全球?qū)τ陔妱?dòng)汽車(chē)接納程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未來(lái)十年將會(huì)迎來(lái)全新的增長(zhǎng)契機(jī)。預(yù)計(jì)將來(lái)，功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商與汽車(chē)行業(yè)的運(yùn)作方會(huì)更踴躍地參與到這一領(lǐng)域的價(jià)值鏈建設(shè)里。SiC 作為第三代半導(dǎo)體以其優(yōu)越的性能，在今年再次掀起風(fēng)潮。6 英寸到 8 英寸的過(guò)渡推動(dòng)由于截至 2024 年開(kāi)放 SiC 晶圓市場(chǎng)缺乏批量出貨，因此 8 英寸 SiC 平臺(tái)被認(rèn)為具有戰(zhàn)略性意義。SiC 具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度和高遷移率等特點(diǎn)，是良好的半導(dǎo)體材料，目前已經(jīng)在汽車(chē)電子、工業(yè)半導(dǎo)體等領(lǐng)域有
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純電車(chē)需求放緩 SiC功率組件業(yè)年?duì)I收動(dòng)能降溫

在純電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)下，根據(jù)TrendForce研究顯示，2023年全球SiC功率組件產(chǎn)業(yè)保持強(qiáng)勁成長(zhǎng)，但2024年純電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量成長(zhǎng)速度的明顯放緩與工業(yè)需求走弱，預(yù)估今年全球SiC功率組件產(chǎn)業(yè)營(yíng)收年成長(zhǎng)幅度將較過(guò)去幾年顯著收斂。根據(jù)TrendForce研究顯示，2023年全球前5大SiC功率組件供貨商約占整體營(yíng)收91.9%，其中ST以32.6%市占率持續(xù)領(lǐng)先，onsemi則是由2022年的第4名上升至第2名。 TrendForce表示，作為關(guān)鍵的車(chē)用SiC MOSFET供貨商，ST正在意大利卡塔尼亞打
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sic介紹

SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類(lèi)型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類(lèi)：一類(lèi)是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱(chēng)為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類(lèi)是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱(chēng)為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能. Si [ 查看詳細(xì) ]